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NCV5701 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包含感应加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中等到高功率应用。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5701A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5701C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5701B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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型号：UCC27517AQDBVRQ1 编号：C524784

封装：SOT-23-5

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

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型号：LB1838M-TRM-E 编号：C242280

封装：LSOP-14-175mil

LB1838M是一款低饱和双通道双向电机驱动IC，适用于低压应用。 LB1838M是一款双极步进电机驱动IC，非常适合用于打印机、相机和其他便携式设备。

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型号：MC33035MW/TR-HG 编号：C53155527

封装：SOP-24W

品牌：HGSEMI(华冠)

Brushless DC Motor Controller

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型号：FAN7392MX-MNS 编号：C47967295

封装：SOP-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392MX 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。

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型号：2EDL05N06PF 编号：C533066

封装：DSO-8

2ED05 是一款 600V 半桥栅极驱动器系列产品。其英飞凌薄膜绝缘体上硅（thin-film-SOI）技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容

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型号：DRV8213DSGR 编号：C22407186

封装：WSON-8-EP(2x2)

是一款集成电机驱动器，具有N通道H桥、电荷泵、电流感应输出、电流调节和保护电路。三倍电荷泵允许器件低至1.65 V电压下工作，以适应1.8 V电源轨和低电池条件。电荷泵集成了所有电容器，允许100%占空比运行。内部电流镜实现电流感应和调节，无需大型功率分流电阻，节省电路板面积并降低系统成本

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型号：TC4427COA713 编号：C144205

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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型号：MAX5048BAUT 编号：C3655031

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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型号：XL298P 编号：C17179540

封装：HSOP-20

品牌：XINLUDA(信路达)

XZ298N/XL298P是一款采用15引脚ZIP和HSOP20封装的单片集成电路。它是一款高压、大电流双路全桥驱动器，设计用于接收标准TTL逻辑电平，并驱动继电器、螺线管、直流电机和步进电机等感性负载。该器件提供两个使能输入，可独立于输入信号对器件进行使能或禁用操作

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型号：DRV8871DDARQ1 编号：C701805

封装：SOIC-8-EP

DRV8871-Q1 具有集成电流检测功能的汽车类 50V、3.6A H 桥电机驱动器

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型号：NCV7718BDQR2G 编号：C513035

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

NCV7718B/C由十二个DMOS功率驱动器（六个PMOS高端驱动器和六个NMOS低端驱动器）组成，这些驱动器配置为六个半桥，可实现三个独立的全桥操作。每个输出驱动器的最大直流负载为550 mA，典型浪涌能力为2 A（在VSx = 13.2 V时）。必须严格遵守集成电路管芯温度要求

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型号：MP1907GQ-Z 编号：C91944

封装：QFN-10(3x3)

品牌：MPS(芯源)

MP1907是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道可独立控制，且延时匹配误差小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源供电不足时会强制其输出为低电平

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型号：MCP14A1202T-E/SN 编号：C622986

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14A1201/2 器件是高速 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 12.0A 的峰值电流。有两种输出配置可供选择：反相（MCP14A1201）和同相（MCP14A1202）。这些器件具有低直通电流、快速的上升和下降时间以及匹配的传播延迟，使其非常适合高开关频率应用。MCP14A1201/2 系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效使能引脚可拉低，以使 MCP14A1201/2 的输出为低电平，而与输入引脚的状态无关。集成上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们能够承受高达 500 mA 的反向电流倒灌到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达 2 kV（HBM）和 200V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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型号：AUIRS2181STR 编号：C533513

封装：SOIC-8

AUIRS2181(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：1ED3124MU12HXUMA1 编号：C5353840

封装：DSO-8

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：VNHD7012AYTR 编号：C2150695

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

用于汽车直流电机驱动的H桥电机驱动器

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型号：LM5110-2MX/NOPB 编号：C962895

封装：SOIC-8

LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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型号：TC4422AVOA713 编号：C157601

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：LV8729V-TLM-H 编号：C77586

封装：SSOP-44-275mil

128细分 1.8A 步进电机驱动器

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型号：DRV8353SRTAT 编号：C2150480

封装：WQFN-40-EP(6x6)

DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

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型号：DRV8323RSRGZR 编号：C545497

封装：VQFN-48-EP(7x7)

DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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型号：IR2110SPBF 编号：C537554

封装：SOIC-16-300mil

IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：L6506D013TR 编号：C238872

封装：SOIC-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

步进电机电流控制器

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￥23.34
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￥17.67
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型号：DRV8873HPWPR 编号：C2150604

封装：HTSSOP-24-EP

DRV8873 具有集成电流检测和电流检测反馈功能的 40V、10A H 桥电机驱动器

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型号：DRV8343SPHPRQ1 编号：C2879411

封装：HTQFP-48(7x7)