EG驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR2110-MNS 编号：C47967292

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V

1+
￥5
10+
￥4.05
25+
￥3.57
100+
￥3.1
500+
￥2.82
1000+
￥2.67

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型号：UCC27538DBVR 编号：C2677323

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案）分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

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1+
￥5.05
10+
￥4.52
30+
￥4.24
100+
￥3.91

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型号：TMI8260SP 编号：C2985070

封装：SOP-8

品牌：TMI(拓尔微)

TMI8260是一款直流双向电机驱动器，适用于中、大电流电机。两个逻辑输入端（IN1/IN2）用作PWM控制模式的输入，通过H桥控制电流流向，进而控制直流电机的旋转方向。该电路抗干扰性好、待机电流小、输出内阻超低，采用BCD工艺，耐压能力强，释放感性负载时的反向浪涌电流能力强

5+
￥5.46
50+
￥4.2
150+
￥3.66
500+
￥2.99
3000+
￥2.69
6000+
￥2.5

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型号：MC33152VDR2G 编号：C233740

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

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1+
￥5.88
10+
￥5.27
30+
￥4.94
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￥4.56
500+
￥4.39
1000+
￥4.31

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型号：FAN3278TMX 编号：C903510

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3278是一款双通道1.5A栅极驱动器，针对在电压轨道最高值为27V的电机控制应用中驱动一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET进行了优化。内部电路将加在外部MOSFET栅极上的电压限制在最大值13V。驱动器具有TTL输入限制，提供逻辑输入的缓冲和电平转换。内部电路防止输出开关器件在V

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1+
￥5.89
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￥5.29
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￥4.96
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￥4.59
500+
￥4.43
1000+
￥4.35

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型号：LM5109BSD/NOPB 编号：C544701

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥6.37
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￥5.21
30+
￥4.62
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￥4.04

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型号：TF0579U-NHP 编号：C22375958

封装：TDFN-10(3x3)

品牌：TFSS(德律风根)

100V, 单相, 内置自举二极管高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.426 ￥7.14
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￥5.823 ￥6.47
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￥5.49 ￥6.1
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￥5.112 ￥5.68
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￥4.941 ￥5.49
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￥4.869 ￥5.41

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型号：IR21814STRPBF-JSM 编号：C7498987

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.656 ￥8.32
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￥5.504 ￥6.88
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￥4.872 ￥6.09
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￥4.16 ￥5.2
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￥3.84 ￥4.8
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￥3.696 ￥4.62

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型号：DRV8323HRTAR 编号：C701783

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323 具有电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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1+
￥6.78
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￥5.51
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￥4.87
100+
￥3.74

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型号：UCC27531QDBVRQ1 编号：C2677112

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO、35V VDD 和分离输出的汽车类 2.5A/5A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 125

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1+
￥6.8
10+
￥5.64
30+
￥5
100+
￥4.27

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型号：MCP1401T-E/OT 编号：C2676948

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1401/02 是高速 MOSFET 驱动器，能够提供 500 mA 的峰值电流。反相或同相单通道输出可直接由 TTL 或 CMOS（3V 至 18V）控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升/下降时间和传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用

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1+
￥6.93
10+
￥5.76
30+
￥5.11

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型号：NSD1624-DSPR 编号：C5290345

封装：SOP-8_150mil

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1624是一款高压高低侧栅极驱动器，能够提供4A的灌电流和拉电流，以驱动功率MOSFET或IGBT。高端部分采用创新且成熟的隔离技术，设计可承受超过1200V的直流电压。NSD1624具备同类产品中最佳的传播延迟、低静态电流，以及SW引脚具有高负向和dv/dt抗扰度

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￥7.01
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￥5.7
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￥4.98
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￥4.17
500+
￥3.81
1000+
￥3.64

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型号：ADP3624ARDZ-RL 编号：C659198

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

ADP362x/ADP363x 是一系列大电流双高速驱动器，能够驱动两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该系列产品采用行业标准封装尺寸，同时具备高速开关性能并提高了系统可靠性。该系列产品内置温度传感器，提供两级过温保护，即过温警告和在极端结温下的过温关断功能

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1+
￥7.5592 ￥8.59
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￥6.9344 ￥7.88
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￥6.5472 ￥7.44
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￥6.1424 ￥6.98
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￥5.9664 ￥6.78
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￥5.8872 ￥6.69

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型号：TF21834M-TUH 编号：C5382739

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：半桥电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥7.92
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￥7.29
30+
￥6.89
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￥6.49

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型号：IRS21844STRPBF-JSM 编号：C7498968

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相。大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥8.531 ￥8.98
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￥6.992 ￥7.36
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￥6.1465 ￥6.47
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￥5.187 ￥5.46
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￥4.7595 ￥5.01
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￥4.5695 ￥4.81

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型号：TB6559FG(O,8,EL) 编号：C845531

封装：HSOP-16-EP-6.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB6559FG是一款带有LDMOS输出晶体管的全桥直流电机驱动IC。可通过IN1和IN2选择四种操作模式：顺时针（CW）、逆时针（CCW）、短制动和停止。

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1+
￥8.65
10+
￥7.08
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￥6.22
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￥5.25
500+
￥4.82

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型号：FU6832N 编号：C2886810

封装：QFN-32-EP(4x4)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

特性：MDU特性：无（文档未明确具体特性内容）。 PI/PID特性：无（文档未明确具体特性内容）

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1+
￥8.81
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￥7.35
30+
￥6.55
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￥5.65
490+
￥5.25

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型号：A3916GESTR-T 编号：C5124220

封装：WQFN-16-EP(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3916专为低压步进电机以及单直流电机和双直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，每通道输出电流最高可达1 A，工作电压范围为2.7至15 V。A3916内置固定关断时间PWM定时器，可根据电流检测电阻的选择来设置峰值电流。该器件还提供输出故障标志，用于通知用户发生热关断（TSD）或过流保护事件。A3916采用两种封装形式：3x3 mm小外形16引脚QFN（后缀“ES”）和4x4 mm小外形20引脚QFN（后缀“ES, -1”），两种封装均带有外露功率焊盘，以增强散热性能。

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1+
￥9.23
10+
￥8.99
30+
￥8.83

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型号：BD63860EFV-E2 编号：C600853

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：ROHM(罗姆)

BD63860EFV是一款高级步进电机驱动器，内置3位DAC，旨在以八细分模式驱动双极步进电机。该IC具备多个集成保护电路，由于其低导通电阻DMOS输出晶体管和高散热功率封装，实现了出色的散热性能。该IC的最大输入电压额定值为36 V，最大输出电流额定值为2.5 A，采用恒流PWM控制，支持整步、半步、四分之一步和八分之一步励磁模式。此外，电流衰减模式可自由设置为快速和慢速衰减的比例，使该IC能够适应每个电机的最佳控制条件。单电源配置便于在应用中进行设计和布局。

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1+
￥9.39
10+
￥7.89
30+
￥6.95

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型号：LMG1205YFXR 编号：C2653814

封装：DSBGA-12

品牌：TI(德州仪器)

LMG1205 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半桥栅极驱动器

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1+
￥9.66
10+
￥8.13
30+
￥7.17

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型号：LV8549MC-AH 编号：C79895

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

步进电机驱动器，低饱和电压，12V

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1+
￥10.35
10+
￥8.42
30+
￥7.45
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￥6.49
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￥5.05
1000+
￥4.76

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型号：MP1921HS-A-LF-Z 编号：C7304239

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1921A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出为低电平

1+
￥12.2888
50+
￥11.2237
100+
￥9.9129

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型号：TC4420EPA 编号：C640742

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是6A（峰值）、单输出MOSFET驱动器，其中一款为反相驱动器，另一款为同相驱动器。采用CMOS制造，与双极驱动器相比，功耗更低，运行更高效。输入与TTL/CMOS兼容，输入电压可高至VDD + 0.3V或低至-5V，不会对器件造成干扰或损坏，无需外部电平转换电路，节省成本和尺寸。输出摆幅为轨到轨，确保更好的驱动电压裕量，特别是在电源开启/关闭时序期间。传播延迟时间仅为55 ns（典型值），在整个可用电源范围内，2500 pF负载下的输出上升和下降时间仅为25 ns（典型值）。与其他驱动器不同，几乎不会发生闩锁效应。可替代三个或更多分立元件，节省PCB面积和元件数量，提高整体系统可靠性。

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1+
￥12.4
10+
￥10.77
60+
￥9.75

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型号：HX293E-P 编号：C47002284

封装：DIP-20

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

四通道推挽驱动器，每通道可提供高达1A的输出电流，TTL兼容逻辑输入独立控制每个通道，确保精确可靠运行。每对驱动器（全桥）配有抑制输入，可同时关闭四个晶体管，提高控制灵活性和安全性，适用于多种应用场景。

1+
￥13.932 ￥15.48
10+
￥11.853 ￥13.17
36+
￥10.539 ￥11.71
108+
￥9.207 ￥10.23
504+
￥8.604 ￥9.56
1008+
￥8.334 ￥9.26

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型号：HD1001 编号：C3024761

封装：TDFN-6-EP(2x2)

品牌：QH MICRO-E(乾鸿微)

HD1001型超高速GaN FET驱动器具有快速开关频率和低延迟、窄脉宽、低失真、驱动能力强等特性；尤其适用于高分辨率、远程激光雷达发射机系统，同样也适用于其它需要高频开关驱动器的应用场合，例如DC/DC变换器、自动驾驶辅助系统ADAS、电源调制器等。HD1001具有欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP)，以确保设备在意外故障情况下的安全性。该产品采用塑封DFN6L（2mm*2mm）封装，工作温度范围为 -40°C ~ 125°C。

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