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封装：TO-263-5

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：SS6951A-ET-TP 编号：C3345073

封装：ETSSOP-28

品牌：LEADPOWER(率能)

双通道 H 桥电流控制电机驱动器：单个或两个有刷直流电机、一个步进电机。固定频率下电流控制可选择：2 bits 电流控制，提供 4 个电流台阶。低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)：24V，Ta = 25°C 时可实现 4.0A 最大驱动电流；24V，Ta= 25°C 时 RDS(on)为 300mΩ（典型值 HS + LS）。最大工作耐压 50V。睡眠模式低电流。内置 3.3V 基准电压。带散热片的表面贴装封装。保护特性：过流保护 (OCP)；热关断 (TSD)；欠压闭锁(UVLO)；故障显示 Pin（nFAULT）。

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型号：TMI8420 编号：C5259221

封装：HTSSOP-28

品牌：TMI(拓尔微)

TMI8420/Q 为打印机、扫描仪和其他自动化设备应用提供集成电机驱动解决方案。该器件集成了两个H桥驱动器和一个微步进分度器，用于驱动双极步进电机。输出驱动模块由N沟道功率MOSFET组成一个H桥驱动电路来驱动电机绕组。

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型号：DRV8872DDARQ1 编号：C524788

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

DRV8872-Q1 具有故障报告和电流调节功能的汽车类 50V、3.6A H 桥电机驱动器

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型号：TC4426EOA713 编号：C66262

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：2EDF7275FXUMA1 编号：C2677065

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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型号：DRV8833PWR 编号：C544801

封装：TSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

DRV8833 具有电流调节功能的 10.8V、2A、双通道 H 桥电机驱动器

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型号：LM5105SD/NOPB 编号：C86253

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5105 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8、1.6A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：DRV3201AQPAPRQ1 编号：C22396839

封装：HTQFP-64(10x10)

品牌：TI(德州仪器)

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型号：FAN73912MX 编号：C899115

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73912 是一款单片半桥门极驱动器集成电路，适用于最高在 +1200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT 的高压和高速驱动。HIN 的高级输入滤波器针对干扰导致的短脉冲输入信号提供保护。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VCC 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和接收 2 A 和 3 A。

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型号：MAX4427ESA+T 编号：C559513

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

双路、高速、1.5A MOSFET驱动器

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型号：1ED3122MC12HXUMA1 编号：C17379449

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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￥17.28
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型号：TLE9201SGAUMA1 编号：C2653438

封装：DSO-12

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE9201SG是一款通用型6A H桥，专为汽车应用中的直流电机或其他感性负载控制而设计（但不限于这些应用）。输出可进行脉宽调制，最高频率达20kHz。PWM/DIR控制减少了微控制器端所需的具备PWM功能的引脚数量

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型号：VN5770AKPTR-E 编号：C78480

封装：SOIC-28-300mil

品牌：ST(意法半导体)

完整H桥配置的四通道智能功率固态继电器

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型号：MCF8316A1VRGFR 编号：C3681167

封装：VQFN-40(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

MCF8316A 40V 最大电压、8A 峰值电流无传感器 FOC 控制三相 BLDC 电机驱动器

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￥21.2
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型号：TMC2300-LA-T 编号：C516356

封装：QFN-20-EP(3x3)

品牌：TRINAMIC

TMC2300可由单节锂离子电池或两节AA电池供电，非常适合电池供电设备。先进的StealthChop2斩波器可确保步进电机无噪音运行、实现最高效率和最佳扭矩。其快速电流调节功能可实现高动态运动。集成的功率MOSFET和内部电荷泵即使在低电源电压下也能实现同类最佳的RDSon，可处理高达1.2A RMS的电机电流。再加上极小的待机电流，可确保电池续航时间长。保护和诊断功能支持稳定可靠的运行。简单易用的UART接口可进行配置。这款先进的驱动器可确保无噪音且最精确的运行，提供经济高效且极具竞争力的解决方案。

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型号：1ED3123MC12HXUMA1 编号：C5311592

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：ISL55110IRZ-T 编号：C2680304

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL55110和ISL55111是双路高速MOSFET驱动器，适用于需要精确脉冲生成和缓冲的应用。目标应用包括超声、CCD成像、压电距离传感和时钟生成电路。这些器件具有宽输出电压范围和低导通电阻，能够驱动各种阻性和容性负载，实现快速的上升和下降时间，满足大型CCD阵列成像应用对高速运行和低偏斜的要求

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￥24.32
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型号：DRV8662RGPT 编号：C181554

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8662 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的压电式触觉驱动器

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￥22.02
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型号：DRV8353RHRGZR 编号：C2868224

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353R 具有降压稳压器和电流分流放大器的 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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￥26.72
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￥20.26

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型号：DRV8323RSRGZT 编号：C2653553

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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￥27.33
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型号：DRV8353FSRTAR 编号：C1518717

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353F 具有 3 个 CSA 的 102V（最大值）三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器

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￥35.76
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￥30.4
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型号：2SC0108T2G0-17 编号：C1549443

封装：-

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

低功耗SCALE-˙2+双驱动器内核2SC0108T2G0-17（连接器引脚长度为3.1mm，适用于2mm厚的PCB；增强了EMI能力；实现了SSD；无铅）/2SC0108T2G0C-17（采用Lackwerke Peters的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本），将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器设计用于需要高可靠性的通用应用。2SC0108T2G0(C)-17可驱动所有常用的IGBT模块，最高可达600A/1200V或450A/1700V。

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￥175.92
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￥167.21

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型号：TEC18V15A 编号：C53446560

封装：插件

品牌：ATI(恒光)

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￥1397.97
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￥1331

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型号：AD6208 编号：C5795599

封装：SOT-23-6

品牌：IDCHIP(英锐芯)

待机电流(uA) 400 功能描述单通道双向马达驱动芯片应用领域电子锁

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￥0.2489
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￥0.1459
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￥0.1301
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￥0.1221

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型号：DX2213E 编号：C22364159

封装：ESOP-8

品牌：Dersem(德信创微)

LED驱动高压单路线性输入电压：内置500V MOS管输出电流：可调输出电流精度：±5% 开关调光/调色

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￥0.39078 ￥0.4342
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￥0.31086 ￥0.3454
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￥0.2709 ￥0.301
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￥0.24093 ￥0.2677
4000+
￥0.2169 ￥0.241
8000+
￥0.20493 ￥0.2277

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型号：BE6208 编号：C406218

封装：SOP-8

品牌：BORN(伯恩半导体)

为控制和驱动双向马达设计的专用集成电路。该电路输入端兼容TTL/CMOS电平，具有良好的抗干扰性；内部逻辑控制电路可控制双向马达正转、反转和刹车；该电路功率管能通过典型值为100mA的持续电流；该电路内置的钳位二极管能释放感性负载的反向冲击电流。

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10+
￥0.3998
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￥0.3278
300+
￥0.2918
3000+
￥0.2245
6000+
￥0.2029
9000+
￥0.192

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型号：L9110SDRG4 编号：C52121025

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

L9110S 是为控制和驱动电机设计的双通道推挽式功率放大专用集成电路器件，将分立电路集成在单片IC 之中，使外围器件成本降低，整机可靠性提高。该芯片输入端兼容TTL/CMOS 电平，具有良好的抗干扰性；两个输出端能直接驱动电机做正反向运动，它具备较大的电流驱动能力，每通道能通过800mA 的持续电流，峰值电流能力可达1.5A；内置的钳位二极管能释放感性负载的反向冲击电流，使它在驱动继电器、直流电机、步进电机或开关功率管的使用上安全可靠。芯片集成有热关断保护功能模块，检测到芯片PN 结温超过设计阈值时，关断所有电路模块功能。

10+
￥0.4682
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￥0.3722
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￥0.3242
1000+
￥0.2882

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型号：BA6208S-HXY 编号：C49247410

封装：SOT-23-6L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该有刷直流电机驱动芯片工作电压范围为4.5V至18V，支持宽电压输入，适应多种电池或直流电源供电场景。芯片可提供最高500mA的峰值输出电流，满足小型电机短时高负载需求，同时具备低至0.4mA的待机电流，有效延长设备续航时间。适用于便携式电动工具、智能家电、遥控装置及微型机器人等应用场景，集成度高且功耗低，有助于简化电路设计并提升系统能效。

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￥0.55594 ￥0.5852
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￥0.44194 ￥0.4652
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￥0.38494 ￥0.4052
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￥0.34219 ￥0.3602
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￥0.30799 ￥0.3242
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￥0.29089 ￥0.3062

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型号：DRV8837DSGR-TP 编号：C53340873

封装：DFN-8(2x2)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥0.567036 ￥0.7461
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￥0.446652 ￥0.5877
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￥0.38646 ￥0.5085
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￥0.341316 ￥0.4491
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￥0.30514 ￥0.4015
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