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DRV8801A-Q1 具有电流反馈功能并采用可湿性侧面 QFN 封装的汽车类 40V、2.8A H 桥电机驱动器

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型号：UCD7100PWPR 编号：C523751

封装：HTSSOP-14-EP

UCD7100 具有电流感应的数字控制兼容单输出低侧 +/- 4A MOSFET 驱动器

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型号：IR2111STRPBF 编号：C520630

封装：SOIC-8

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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型号：NCD5701ADR2G 编号：C603415

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCD5701 系列是一组高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包括电感加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中到大功率应用。该器件不再使用很多外部组件，提供了一个成本高效的方案。器件保护特性有有源米勒箝位（对于 NCD5701A）、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。这些驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅对于 NCD5701C），方便系统设计。此类驱动器可采用较宽的单极偏置电源电压范围（对于 NCD5701B 则为双极偏置电源）。所有版本均采用 8 引脚 SOIC 封装。

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型号：DRV8231ADDAR 编号：C5218849

封装：SOPowerPAD-8

DRV8231A 具有集成电流调节和电流检测反馈功能的 35V、3.7A H 桥电机驱动器

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型号：DRV8872DDARQ1 编号：C524788

封装：SO-8

DRV8872-Q1 具有故障报告和电流调节功能的汽车类 50V、3.6A H 桥电机驱动器

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型号：IR2110PBF 编号：C2967

封装：DIP-14

500V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：EMC2301-1-ACZL-TR 编号：C148036

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

EMC2301是一款符合SMBus标准的风扇控制器，带有PWM风扇驱动器。该风扇驱动器由可编程频率PWM驱动器和风扇速度控制算法控制，可在闭环模式下运行，也可作为直接PWM控制设备运行。每个闭环风扇速度控制算法（FSC）都能够检测老化风扇并向系统发出警报

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型号：IXDI609SIA 编号：C1549670

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：DRV8323SRTAR 编号：C701784

封装：WQFN-40-EP(6x6)

DRV8323 具有电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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型号：A4984SLPTR-T 编号：C38917

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4984是一款完整的微步进电机驱动器，内置易于操作的转换器。它旨在以全步、半步、四分之一步和八分之一步模式驱动双极步进电机。步进模式可通过MSx逻辑输入进行选择。其输出驱动能力高达35 V和±2 A。A4984包含一个固定关断时间的电流调节器，能够在慢速或混合衰减模式下工作。 ET封装通过在关键输出、检测和电源引脚之间添加不连接引脚，满足了客户对无烟无火（NSNF）设计的要求。因此，在引脚与相邻引脚短路的情况下，该器件不会引发冒烟或起火。此外，当任何引脚接地短路或悬空时，该器件也不会引发冒烟或起火。转换器是A4984易于实施的关键。只需在STEP输入上输入一个脉冲，即可驱动电机进行一次微步进。无需相位序列表、高频控制线或复杂的接口编程。A4984接口非常适合没有复杂微处理器或微处理器负担过重的应用。在步进操作期间，A4984中的斩波控制会自动选择电流衰减模式，即慢速或混合模式。在混合衰减模式下，器件在固定关断时间的一部分初始设置为快速衰减，然后在关断时间的其余部分设置为慢速衰减。混合衰减电流控制可降低电机可听噪声、提高步进精度并降低功耗。提供内部同步整流控制电路，以改善PWM操作期间的功耗。内部电路保护包括：带迟滞的热关断、欠压锁定（UVLO）和交叉电流保护。无需特殊的上电时序。 A4984提供三种表面贴装封装：两种QFN封装，即4 mm×4 mm、标称总高度为0.75 mm的ES封装，以及5 mm×5 mm×0.90 mm的ET封装。LP封装是24引脚TSSOP封装。所有三种封装均有外露焊盘以增强散热性能，并且无铅（后缀 -T），引脚框架采用100%雾锡电镀。

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型号：L6225DTR 编号：C962628

封装：SOIC-20-300mil

DMOS双全桥驱动器

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型号：L293DD013TR 编号：C21610

封装：SOIC-20-300mil

具有二极管的推挽四通道驱动器

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型号：DRV8830DGQR 编号：C127591

封装：MSOP-10-EP

DRV8830 具有速度调节和 I2C 控制的 7V、1A H 桥电机驱动器

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型号：CSD97374Q4M 编号：C140327

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

CSD97374Q4M 30V 25A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

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型号：DRV8834PWPR 编号：C456273

封装：HTSSOP-24

DRV8834 具有 1/32 微步进分度器的 11V、1.5A、双路 H 桥或步进电机驱动器

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型号：1ED020I12-F2 编号：C2441209

封装：DSO-16

1ED020I12 - F2是一款采用PG - DSO - 16 - 15封装的单通道IGBT电流隔离驱动器，其输出电流能力典型值为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容，可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输

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型号：LMG1020YFFT 编号：C2861308

封装：DSBGA-6

LMG1020 具有 5V UVLO、可提供纳秒级输入脉冲的 7A/5A 单通道栅极驱动器

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型号：A4955GESTR-T 编号：C5204686

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4955专为直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，能够在50 V电压下工作，并为全N沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。输入端子用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部提供同步整流控制电路，以降低PWM运行期间的功耗。内部电路保护包括VDS保护、带迟滞功能的热关断、VBB欠压监测和交越电流保护。A4955采用低外形4×4 mm、20引脚QFN封装（后缀“ES”）和20引脚eTSSOP封装（后缀“LP”），两种封装均带有外露散热焊盘。

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型号：BD6232HFP-TR 编号：C2981752

封装：TO-263-8

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：L6205D013TR 编号：C962257

封装：SO-20-300mil

DMOS双全桥驱动器

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￥19.01
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型号：TB5128FTG(CP,EL 编号：C428723

封装：QFN-48

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB5128是一款采用斩波器的两相双极步进电机驱动器，内置时钟解码器。采用BiCD工艺制造，输出额定值为50 V/5.0 A（电机电源电压μ = 44 V）。

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￥22.59
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型号：DRV8334PHPR 编号：C32712900

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行，并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。

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型号：IR2214SSTRPBF 编号：C537614

封装：SSOP-24-208mil

IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力（2 A 源电流、3 A 灌电流），且静态电流需求低，这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护，并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障，从而防止过电压并减少电磁辐射

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￥24.07
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型号：TC4422ESM 编号：C638566

封装：SOIJ-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421/TC4422是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和IGBT。除了直接过压或过耗散外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地端子出现高达5V的接地反弹时，这些器件不会受到损坏或出现不当操作。它们能够承受超过1A的任一极性的感性电流被强制反馈到其输出端，而不会损坏或出现逻辑错误。此外，所有端子都具备高达4kV的静电放电保护。TC4421/TC4422的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，输入内置了300mV的迟滞，提供抗噪能力，并允许该器件由缓慢上升或下降的波形驱动。凭借表面贴装和通孔引脚封装以及四种工作温度范围选项，9A MOSFET驱动器系列TC4421/TC4422适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。

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￥28.64
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￥25.77
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型号：L6205N 编号：C962260

封装：PDIP-20