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封装：SOIC-8

TC4426/TC4427/TC4428是早期TC426/TC427/TC428系列MOSFET驱动器的改进版本。TC4426/TC4427/TC4428器件在对MOSFET的栅极进行充电和放电时，具有匹配的上升和下降时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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￥6.35
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型号：TF2101M-TAH 编号：C2683752

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：TB67H451FNG(O,EL) 编号：C1858375

封装：SOIC-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H451FNG是一款PWM斩波式直流有刷电机驱动器，内置一个电机输出通道。该器件采用BiCD工艺制造，额定输出电压为50 V，最大电流为3 A。

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型号：HT4344ARMZ 编号：C2895053

封装：MSOP-10

品牌：HTCSEMI(海天芯)

串行输入24位，192khz立体声D/A转换器

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型号：DRV8824PWPR 编号：C86252

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8824 具有电流调节功能和 1/32 微步进的 45V、1.6A 双极步进电机驱动器

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￥5.43
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型号：BD6220F-E2 编号：C253179

封装：SOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

这些 H 桥驱动器是用于有刷电机应用的全桥驱动器。每个 IC 可在 6V 至 15V 的电源电压范围内工作，输出电流高达 2A。输出级的 MOS 晶体管可实现 PWM 速度控制。

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型号：SGM48000XS8G/TR 编号：C700286

封装：SOIC-8

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM48000/1/2系列是双通道低端驱动器，典型源电流和灌电流能力为2A。反相和同相输入均可用，可选择三种组合以实现灵活的逻辑应用。SGM48000/1/2的上升时间和下降时间分别匹配为12ns和13ns，这使得脉冲宽度能够以最小的时序误差和时钟偏移问题传输到输出端

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型号：TF2117-TAH 编号：C2683755

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.35
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型号：FU6812V 编号：C22471069

封装：SSOP-24

品牌：Fortior Tech(峰岹)

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型号：IR2113STRPBF 编号：C2974

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥6.63
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型号：UCC27288DR 编号：C2866142

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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￥8.36
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型号：TMI8420 编号：C5259221

封装：HTSSOP-28

品牌：TMI(拓尔微)

TMI8420/Q 为打印机、扫描仪和其他自动化设备应用提供集成电机驱动解决方案。该器件集成了两个H桥驱动器和一个微步进分度器，用于驱动双极步进电机。输出驱动模块由N沟道功率MOSFET组成一个H桥驱动电路来驱动电机绕组。

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￥5

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型号：1EDI60I12AF 编号：C533025

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

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型号：TC4426EOA713 编号：C66262

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥11.26
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型号：FU6818Q 编号：C2832696

封装：QFN-56(7x7)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

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型号：FAN73901MX 编号：C380794

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

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￥12.07
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型号：BD6231F-E2 编号：C253180

封装：SOP-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

这些H桥驱动器是用于有刷电机应用的全桥驱动器。每个集成电路可在较宽的电源电压范围（6V至32V）内工作，输出电流最高可达2A。输出级的MOS晶体管支持PWM调速

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型号：MAX4427ESA+T 编号：C559513

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

双路、高速、1.5A MOSFET驱动器

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￥13.8336 ￥15.72
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￥12.056 ￥13.7

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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

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￥14.07
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￥7.59
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￥6.81

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型号：DRV8323RHRGZR 编号：C543035

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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￥14.15
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型号：MCT8314Z0HRRWR 编号：C34748847

封装：WQFN-24(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

为要驱动12V至24V有刷直流电机的客户提供了一种单芯片无代码含传感器梯形换向器件。集成了三个1/2H桥，具有40V的绝对最大电压和575mΩ的低RDS(ON)（高侧和低侧相结合），可提供大功率驱动能力。集成电流限制功能可限制启动或肩负载条件下的电机电流，同时无需外部检测电阻。集成的5V LDO可为器件生成必要的电压轨并为外部电路供电

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￥9.31
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￥8.62
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型号：DRV8718SQRVJRQ1 编号：C3019561

封装：HVQFN-56-EP(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8718-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、8 通道半桥智能栅极驱动器

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￥15.1
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型号：MASTERGAN1TR 编号：C5198250

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

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￥17.84
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￥16.35
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￥15.4

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型号：A3977SLPTR-T 编号：C163514

封装：TSSOP-28-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

输出额定值：±2.5 A、35 V 低导通电阻（RDS(on)）输出，典型值：源极 0.28 Ω，漏极 0.22 Ω

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1+
￥18.23
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￥15.29
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￥13.45
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型号：ISG3202LA 编号：C41417827

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装，包含两个高性能增强型GaN FET、驱动器、栅极电阻和驱动器电源电容，提供紧凑高效的GaN电源解决方案。提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端GaN FET，实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化EMI和效率。内置全面的故障保护，包括有源自举（BST）电压控制，防止过充电并确保稳定的栅极驱动电压；VCC和BST的独立欠压和过压保护；以及过温保护。具有快速传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的dv/dt抗扰度和超低的封装内寄生电感环路，使设计人员能够大幅提高功率密度和效率。

1+
￥22.29
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￥21.28
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￥20.69
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￥18.28
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1000+
￥17.88

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型号：L6205PD013TR 编号：C36543

封装：PowerSO-20

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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￥22.8
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￥19.47
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￥16.03
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￥13.9
600+
￥12.93

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型号：1ED3491MU12M 编号：C530929

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED34x1Mc12M系列（X3模拟）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

1+
￥26.95
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￥22.93
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￥20.54
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￥18.12
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￥17.01

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型号：TMC2130-TA-T 编号：C328952

封装：TQFP-48-EP(7x7)

品牌：TRINAMIC

TMC2130是一款用于两相步进电机的高性能驱动IC。标准SPI和STEP/DIR接口简化了通信。TRINAMIC先进的stealthChop斩波器可确保无噪音运行，同时实现最高效率和最佳电机扭矩。coolStep功能可将能耗降低多达75%。dcStep功能可在无失步的情况下尽可能快速驱动高负载。集成功率MOSFET可处理每相绕组高达1.2A RMS（QFN封装）/ 1.4A RMS（TQFP封装）的电机电流，或每相绕组2.5A的短时峰值电流。保护和诊断功能支持稳定可靠的运行。业界最先进的步进电机驱动器可实现小型化设计，减少外部元件数量，提供经济高效且极具竞争力的解决方案。

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1+
￥28.8
10+
￥27.53
30+
￥25.66
100+
￥25.01

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型号：L298P013TR 编号：C111210

封装：PowerSO-20

品牌：ST(意法半导体)

L298是一款采用15引脚Multiwatt和PowerSO20封装的单片集成电路。它是一款高压、大电流双路全桥驱动器，设计用于接收标准TTL逻辑电平，并驱动继电器、螺线管、直流电机和步进电机等感性负载。该器件提供两个使能输入，可独立于输入信号对器件进行使能或禁用操作

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1+
￥29.39
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￥25.26
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￥22.8
100+
￥19.49

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型号：DRV8316CTQRGFRQ1 编号：C20345370

封装：VQFN-40(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8316C-Q1集成了三个H桥，绝对最大耐压能力为40 V，导通电阻RDS(ON)极低，仅为95 mΩ（高端 + 低端），可为12 V汽车无刷直流电机提供高功率驱动能力。DRV8316C-Q1具备集成式电流感应功能，无需外部检测电阻。DRV8316C-Q1集成了电源管理电路，包括电压可调的降压稳压器（3.3 V / 5 V，200 mA）和低压差线性稳压器（LDO，3.3 V / 30 mA），可用于为外部电路供电。DRV8316C-Q1提供可配置的6倍或3倍PWM控制方案，可配合外部微控制器实现有感或无感磁场定向控制（FOC）、正弦控制或梯形控制。DRV8316C-Q1能够驱动高达200 kHz的PWM频率。DRV8316C-Q1可通过SPI（DRV8316CR-Q1）或引脚（DRV8316CT-Q1）进行高度配置，PWM模式、压摆率、过流保护（OCP）电平、电流感应增益等均为可配置特性。DRV8316C-Q1集成了多项保护功能，包括电源欠压锁定（UVLO）、过压保护（OVP）、电荷泵欠压（CPUV）、过流保护（OCP）、过温警告（OTW）和过温关断（OTSD），可保护器件、电机和系统免受故障影响。故障状态通过nFAULT引脚指示。

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￥34.05
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￥28.85
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￥25.77
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