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封装：SOIC-8

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

数据手册

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￥5.24
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￥4.24
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￥3.74
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￥3.25
500+
￥2.61
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￥2.46

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型号：NCP5111DR2G-JSM 编号：C7498967

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动，带关断和可编程死区时间控制功能

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￥3.996 ￥4.44
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￥3.213 ￥3.57
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￥2.214 ￥2.46
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￥2.088 ￥2.32

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型号：DGD2304S8-13-JSM 编号：C17701714

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 DGD2304是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥3.996 ￥4.44
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￥3.213 ￥3.57
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型号：SN74LS244DWR 编号：C7751

封装：SOIC-20-300mil

品牌：TI(德州仪器)

SN74LS244 具有三态输出的 8 通道、4.75V 至 5.25V 双极缓冲器

数据手册

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￥4.04
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￥3.24
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￥2.84
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￥1.97
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型号：BL55077 编号：C177783

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：BL(上海贝岭)

BL55077(A)是一款通用型液晶控制和驱动单芯片，具有4背极和40段极共160位元的输出能力，适用于常用低占空比的字符/图形式液晶屏幕，具有兼容多数微机系统的双向二线式串行总线通讯接口，可以级联使用，具备自动地址增量功能。

数据手册

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￥4.17
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￥3.07
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型号：TF0227-TAH 编号：C2836238

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

4A, 单相, 双低侧驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥4.22
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￥3.33
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￥3
1000+
￥2.93

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型号：GR7666NS16ARDQ 编号：C42402865

封装：SOP-16

品牌：GR(国睿)

双声道5级电平指示驱动集成电路

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￥4.36
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型号：LM5106SDX/NOPB 编号：C544463

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

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￥4.42
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￥3.3
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￥3.24

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型号：IRS21867STRPBF-JSM 编号：C7432820

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路

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￥2.227 ￥2.62

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型号：TLC59281RGER 编号：C130033

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

TLC59281 具有 LED 开路检测功能的 16 通道恒流 LED 驱动器

数据手册

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￥4.79
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型号：NSG2000 编号：C41414507

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 快速、高压侧NMOS静态开关驱动器，可实现100%占空比

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￥4.921 ￥5.18
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￥2.5175 ￥2.65

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型号：KSSG74B16 编号：C7437070

封装：SMD

品牌：KINGSTATE(志丰电子)

电磁式蜂鸣器无源蜂鸣器志丰蜂鸣器 SMD,8.5x8.5xH3.0mm

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￥3.02
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￥2.88

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型号：NCP81071BDR2G 编号：C411209

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流，在米勒平坦区高达 5A 峰值电流，有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能，在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。

数据手册

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￥3.54
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￥2.68
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￥2.53

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型号：FAN7391MX-JSM 编号：C7498991

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：PCF8574ALQ/TR 编号：C51949660

封装：QFN-16(3x3)

品牌：HGSEMI(华冠)

Remote 8-bit I/O expander for I2C-bus

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型号：LM5101AMX/NOPB 编号：C575559

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

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型号：UCC27211AQDDARQ1 编号：C485921

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

数据手册

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型号：ZXLD1350ET5TA 编号：C397970

封装：TSOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

led电源驱动器

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型号：NCV8450ASTT3G 编号：C100028

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是一款全保护的高端智能分立器件，典型导通电阻为1.0Ω，典型内部电流限制为0.8A。该器件可以切换各种阻性、感性和容性负载。

数据手册

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￥5.64
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型号：SLMi8233BDCG-DG 编号：C2976443

封装：SOP-16-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLMi823x隔离驱动器系列是具有不同配置的隔离式双通道栅极驱动器。SLMi8230/1/3/4配置为高端/低端驱动器，而SLMi8232/5配置为双驱动器

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￥5.67
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￥3.99
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￥3.43
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￥2.98

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型号：DRV8840PWPR 编号：C95203

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8840 具有相位/使能控制功能的 45V、5A H 桥电机驱动器

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￥4.59
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￥4.43
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￥4.35

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型号：DRV8844PWPR 编号：C177807

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8844 具有双极性 (±30v) 电源和独立半桥控制的 60V、2.5A 双路 H 桥电机驱动器

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5+
￥4.6904
2000+
￥3.8115

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型号：GBI7A54NOCR 编号：C42404796

封装：DFN-10L(3x3)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7A54可为半桥或同步降压配置中的MOSFET提供4A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为24ns，电源轨为20V，使其适用于高频电源转换器应用。负输入可低至 -10V，HS引脚能够承受显著的负电压，增强了系统的抗噪能力

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￥6.46
10+
￥5.29
30+
￥4.65
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￥3.92
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￥3.6
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￥3.45

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型号：2EDS8265H 编号：C533091

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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