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  • 这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。若需要,可将 VCC 和 VO 端子连接在一起,以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整
    数据手册
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  • 提供用于模拟信号的宽带隔离。与应用电路结合使用时,非常适合视频隔离。通过AlGaAs LED与高速探测器相结合,实现高线性度和低相移。单通道光耦合器,有8引脚DIP和宽体封装配置。
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  • 有货
  • 这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与TTL兼容的饱和电压和高速操作。如有需要,VCC和V0端子可以连接在一起,以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整
    • 1+

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      ¥13.39
  • 有货
  • 这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器,输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装可供选择。
    • 1+

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    • 10+

      ¥16.4
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      ¥14.59
    • 100+

      ¥12.72
  • 有货
  • 包含一个AlGaAs LED,该LED通过光耦合到具有功率输出级的集成电路。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,该光耦合器可用于驱动分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。
    • 1+

      ¥19.38
    • 10+

      ¥18.93
    • 30+

      ¥18.63
  • 有货
  • HCPL-J314 系列器件包含一个与带功率输出级的集成电路进行光耦合的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压
    • 1+

      ¥20.2
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      ¥17.43
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      ¥15.78
  • 有货
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      ¥20.19
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      ¥21.37
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      ¥20.89
    • 50+

      ¥20.58
  • 有货
  • 该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.89
    • 10+

      ¥19.78
    • 30+

      ¥17.93
  • 有货
    • 1+

      ¥23.39
    • 10+

      ¥22.88
    • 30+

      ¥22.54
  • 有货
    • 1+

      ¥23.88
    • 10+

      ¥23.35
    • 30+

      ¥23
  • 有货
  • 这些双通道光耦合器包含一对分离的GaAsP发光二极管,它们与一对集成高增益光电探测器进行光耦合。它们提供极高的电流传输比和出色的输入-输出共模瞬态抗扰度。光电二极管和第一增益级的独立引脚(VCC)允许比传统光电达林顿型光耦合器更低的输出饱和电压和更高的速度操作。此外,VCC低至1.6V时也不会对参数性能产生不利影响。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装。SO-8封装不需要在PCB上有“通孔”,该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一,引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。
    • 1+

      ¥24.93
    • 10+

      ¥24.3
    • 30+

      ¥23.87
  • 有货
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      ¥26.22
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      ¥25.64
    • 50+

      ¥25.25
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    • 1+

      ¥27.48
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      ¥23.29
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      ¥27.09
    • 30+

      ¥26.68
  • 有货
  • 是电压/电流阈值检测光耦合器。使用高效AlGaAs LED,在低驱动电流下具有更高的光输出。具有阈值感应输入缓冲IC,允许通过单个外部电阻在宽范围的输入电压上设置阈值水平。输入缓冲器具有几个增强性能的特性:额外的噪声抗扰度和开关抗扰度的迟滞、便于与交流输入信号一起使用的二极管电桥,以及保护缓冲器和LED免受过电压和过电流瞬变影响的内部钳位二极管
    • 1+

      ¥28.25
    • 10+

      ¥27.53
    • 30+

      ¥27.05
  • 有货
    • 1+

      ¥30.76
    • 10+

      ¥30.08
    • 42+

      ¥29.63
  • 有货
    • 1+

      ¥31.15
    • 10+

      ¥30.46
    • 30+

      ¥30
  • 有货
  • 这些器件是低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。每个通道可以用低至 40μA 的输入电流驱动,典型电流传输比为 3500%。这些高增益耦合器使用 AlGaAs 发光二极管和集成高增益光电探测器,在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行
    数据手册
    • 1+

      ¥33
    • 10+

      ¥28.08
    • 30+

      ¥25.09
  • 有货
    • 1+

      ¥33.26
    • 10+

      ¥28.64
    • 30+

      ¥25.9
  • 有货
    • 1+

      ¥33.88
    • 10+

      ¥33.13
    • 30+

      ¥32.63
  • 有货
  • 该系列专为驱动高功率MOSFET而设计,由一个与输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成,用于外部开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3mA时,继电器驱动器开启(触点闭合)。当输入电压为0.8V或更低时,继电器驱动器关闭(触点断开)。双通道配置允许驱动2个独立的MOSFET。它具有多功能性,可通过串联连接2个通道使光伏电压加倍,或通过并联连接2个通道使短路电流加倍。它们有8引脚DIP和鸥翼表面贴装封装。
    • 1+

      ¥33.97
    • 10+

      ¥33.1
    • 30+

      ¥32.52
  • 有货
    • 1+

      ¥36.48
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    • 30+

      ¥35.13
  • 有货
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