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首页 > 热门关键词 > 博通光耦
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是真正的隔离式多通道双向高速光耦合器。通过专利工艺技术实现多个光耦合器的单片集成。这些器件在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输及通信能力。具有 15Mbd 速度选项和宽电源电压范围。高通道密度使其非常适合隔离数据转换设备、并行总线和外围接口。提供 8 引脚和 16 引脚窄体 SOIC 封装,工作温度范围为 -40°C 至 +100°C。
  • 1+

    ¥75.85
  • 10+

    ¥65.7
  • 30+

    ¥59.51
  • 有货
  • 包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。采用4引脚DIP封装,有宽引脚间距选项和引脚弯曲SMD选项。输入输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr典型值为4μs,在输入电流为5mA时最小电流传输比(CTR)为50%。
    • 1+

      ¥4.68
    • 10+

      ¥3.8
    • 30+

      ¥3.37
  • 有货
  • 包含一个发光二极管,该二极管与光电晶体管光耦合。采用4引脚迷你扁平贴片(SMD)封装,高度为2.0mm。产品尺寸小,可显著节省空间,封装体积比传统DIP类型小30%。输入-输出隔离电压为3750Vrms。响应时间tr典型值为4μs,在输入电流为5mA时,最小电流传输比(CTR)为50%。
    • 1+

      ¥5.34
    • 10+

      ¥4.34
    • 30+

      ¥3.84
  • 有货
  • 是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器,包含两个发光二极管,它们与两个独立的晶体管进行光耦合,采用8引脚DIP封装。 同样,有一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器,包含四个发光二极管,它们与四个独立的晶体管进行光耦合,采用16引脚DIP封装。 两款光耦合器都有宽引脚间距选项和引脚弯曲的贴片式(SMD)选项,输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs,在输入电流为5mA时,最小电流传输比(CTR)为50%。
    • 1+

      ¥5.49
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      ¥5.36
    • 30+

      ¥5.27
  • 有货
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      ¥6.68
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      ¥6.53
    • 30+

      ¥6.42
  • 有货
  • 光耦合门,结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在Vcm = 1000V时,共模瞬态抗扰度规格高达15,000V/μs。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40°C至+85°C范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    • 1+

      ¥6.73
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      ¥6.56
    • 50+

      ¥6.45
  • 有货
  • 是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器,包含两个发光二极管,它们与两个独立的晶体管进行光耦合。采用8引脚双列直插式封装。同样,是一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器,包含四个发光二极管,它们与四个独立的晶体管进行光耦合。采用16引脚双列直插式封装。两款光耦合器都提供宽引脚间距选项和引脚弯曲的表面贴装器件(SMD)选项,输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs,在输入电流为5mA时,最小电流传输比(CTR)为50%。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.18
    • 10+

      ¥7
    • 30+

      ¥6.88
  • 有货
  • 包含一个发光二极管,该二极管与光电晶体管光耦合。采用4引脚微型扁平贴片封装,高度为2.0mm。该产品尺寸小,可显著节省空间,封装体积比传统DIP型小30%。输入-输出隔离电压为3750Vrms。响应时间τᵣ通常为4μs,在输入电流为5mA时,最小电流传输比(CTR)为50%。
    • 1+

      ¥7.72
    • 10+

      ¥6.47
    • 30+

      ¥5.78
  • 有货
    • 1+

      ¥8.73
    • 10+

      ¥8.54
    • 50+

      ¥8.41
  • 有货
    • 1+

      ¥11.92
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      ¥11.65
    • 30+

      ¥11.47
  • 有货
  • 这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用,在IF = 16mA时,这些器件的电流传输比(CTR)最小为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时,这些器件的CTR最小为19%。
    • 1+

      ¥12.13
    • 10+

      ¥11.86
    • 30+

      ¥11.67
  • 有货
  • 是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器,包含两个发光二极管,它们与两个独立的晶体管进行光耦合。采用8引脚双列直插式封装。同样,是一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器,包含四个发光二极管,它们与四个独立的晶体管进行光耦合。采用16引脚双列直插式封装。两款光耦合器都提供宽引脚间距选项和引脚弯曲的表面贴装器件(SMD)选项,输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs,在输入电流为5mA时,最小电流传输比(CTR)为50%。
    • 1+

      ¥12.24
    • 10+

      ¥11.99
    • 25+

      ¥11.82
  • 有货
    • 1+

      ¥12.87
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    • 30+

      ¥12.4
  • 有货
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      ¥13.88
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      ¥13.57
    • 30+

      ¥13.37
  • 有货
    • 1+

      ¥14.05
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      ¥13.74
    • 50+

      ¥13.54
  • 有货
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      ¥14.73
    • 10+

      ¥14.4
    • 30+

      ¥14.19
  • 有货
  • 这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。若需要,可将 VCC 和 VO 端子连接在一起,以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整
    数据手册
    • 1+

      ¥15.37
    • 10+

      ¥13.12
    • 30+

      ¥11.71
  • 有货
  • 提供用于模拟信号的宽带隔离。与应用电路结合使用时,非常适合视频隔离。通过AlGaAs LED与高速探测器相结合,实现高线性度和低相移。单通道光耦合器,有8引脚DIP和宽体封装配置。
    • 1+

      ¥15.96
    • 10+

      ¥15.56
    • 50+

      ¥15.29
  • 有货
  • 这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与TTL兼容的饱和电压和高速操作。如有需要,VCC和V0端子可以连接在一起,以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整
    • 1+

      ¥16.02
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      ¥15.61
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      ¥15.34
  • 有货
    • 1+

      ¥16.55
    • 10+

      ¥14.13
    • 25+

      ¥12.61
  • 有货
  • 这些二极管-晶体管光耦合器在 LED 和集成光电探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。部分产品适用于 TTL/CMOS、TTL/LSTTL 或宽带宽模拟应用,在 IF = 16mA 时,电流传输比(CTR)最低为 7%
    • 1+

      ¥17.62
    • 10+

      ¥17.21
    • 42+

      ¥16.94
  • 有货
    • 1+

      ¥18.78
    • 10+

      ¥18.36
    • 50+

      ¥18.09
  • 有货
  • 这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器,输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装可供选择。
    • 1+

      ¥18.92
    • 10+

      ¥18.5
    • 50+

      ¥18.23
  • 有货
  • 包含一个GaAsP LED,该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,可用于驱动分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。绝缘电压为VIORM = 630 V峰值(选项060)。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.16
    • 10+

      ¥19.71
    • 30+

      ¥19.42
  • 有货
  • HCPL-J314 系列器件包含一个与带功率输出级的集成电路进行光耦合的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压
    • 1+

      ¥20.2
    • 10+

      ¥17.43
    • 50+

      ¥15.78
  • 有货
  • 光耦合逻辑门,包含GaAsP LED或AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。部分型号的内部屏蔽可保证在1000伏共模电压下具有10kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥20.32
    • 10+

      ¥19.88
    • 30+

      ¥19.58
  • 有货
    • 1+

      ¥20.97
    • 10+

      ¥20.5
    • 30+

      ¥20.19
  • 有货
    • 1+

      ¥21.35
    • 10+

      ¥20.85
    • 30+

      ¥20.51
  • 有货
    • 1+

      ¥21.37
    • 10+

      ¥20.89
    • 50+

      ¥20.58
  • 有货
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