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特性:采用专有、高单元密度DMOS技术制造。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 42mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS = 1.8V)。应用:DC/DC转换器。 便携式应用负载开关
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  • 20+

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  • 特性:塑料封装具有UL-94V-0阻燃等级。 金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 有保护环用于过压保护。 低功耗,高效率。 高电流能力,低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 保证250℃/10秒高温焊接
    数据手册
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  • 特性:设计用于保护对电压敏感的组件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响。 出色的钳位能力。 低泄漏。 快速响应时间。 小外形尺寸。 低本体高度。应用:手机。 便携式设备
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  • 设计用于需要瞬态过电压保护能力的应用。适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。适用于电路板空间有限的情况。
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  • 有货
  • 设计用于需要瞬态过电压保护能力的应用。适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。适用于电路板空间有限的情况。
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  • 有货
  • 适用于需要瞬态过电压保护能力的应用。用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。适用于电路板空间有限的情况。
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  • 设计用于需要瞬态过电压保护能力的应用。适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
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  • 双向TVS/ESD管,VRWM:3V,VBR:4V,VC MAX:13.9V,Ppp:150W
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  • 有货
  • 瞬态电压抑制器旨在保护低压、先进的CMOS半导体免受静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬变影响。
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  • 静电放电ESD
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  • TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷电感应浪涌的损坏。该系列可以吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击,而性能不会下降,并能以非常低的钳位电压安全地耗散高达24A的8/20μs感应浪涌电流(IEC-61000-4-5,第2版)。
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  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻。 低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 26mΩ(VGS = 4.5V)。应用:电池保护。 其他开关应用
    数据手册
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  • 特性:双线ESD保护装置。 符合IEC 61000-4-2标准的ESD抗扰度:接触放电±30 kV,空气放电±30 kV。 根据AEC-Q101标准的ESD能力:人体模型,H3B级,> 8 kV。 节省空间的SOT-23封装。 符合AEC-Q101标准
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      ¥0.201
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      ¥0.0951
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
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      ¥0.201
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      ¥0.0951
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  • 用于保护敏感电子设备免受静电放电和其他电压瞬态事件的损坏或闩锁。适用于电路板空间有限的应用。可保护多达两条线路。双向器件,可用于信号极性高于地的线路。
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  • 特性:60W 峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Ci = 0.25μF 典型值)。 保护一条数据/电源线。 IEC 61000-4-2 ±15kV 接触,±20kV 空气。应用:以太网。 数字视频接口
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      ¥0.2095
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      ¥0.1626
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  • 特性:两行ESD保护装置。 ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2标准:接触放电±30 kV,空气放电±30 kV。 根据AEC-Q101标准的ESD能力:人体模型,H3B级:> 8 kV。 节省空间的SOT-23封装。 可提供AEC-Q101认证
    • 20+

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      ¥0.1364
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  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2206
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      ¥0.1028
  • 有货
  • 特性:60W 峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向和单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Ci = 0.7pF 典型值)。应用:数据线。 自动取款机
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2238
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      ¥0.099
  • 有货
  • SN74LVC1G34是一款单缓冲器,工作电源电压范围为1.65至5.5 V。该器件采用先进的CMOS技术制造,可实现超高速运行和高输出驱动能力,同时保持低静态功耗。
    • 20+

      ¥0.2246
    • 200+

      ¥0.1743
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      ¥0.1463
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      ¥0.1296
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      ¥0.1072
  • 有货
  • 固定电压单片集成电路稳压器适用于需要高达100mA电源的应用。
    • 10+

      ¥0.2296
    • 100+

      ¥0.1801
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      ¥0.1554
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      ¥0.1423
    • 5000+

      ¥0.1275
    • 10000+

      ¥0.12
  • 有货
  • 超低电容:典型值 0.3pF(I/O-IO)。超低泄漏:nA 级别。低工作电压:5V。低钳位。可保护多达 4 条数据线和 1 条电源线。IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电 ±30kV,接触放电 ±25kV。IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。IEC 61000-4-5(雷电):A(8/20μs)
    • 20+

      ¥0.2322
    • 200+

      ¥0.1798
    • 600+

      ¥0.1507
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    • 9000+

      ¥0.1181
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  • 有货
  • 此N沟道逻辑电平MOSFET采用专门定制的工艺生产,可最大限度降低导通电阻,同时保持出色的开关性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2338
    • 200+

      ¥0.1823
    • 600+

      ¥0.1537
    • 3000+

      ¥0.1308
    • 9000+

      ¥0.116
    • 21000+

      ¥0.108
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻,低栅极电荷,并且可以在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于负载开关应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2349
    • 100+

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    • 3000+

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    • 6000+

      ¥0.1228
    • 9000+

      ¥0.115
  • 有货
  • 4路单向TVS/ESD管,VRWM:5V,VBR:6.1V,VC MAX:20V,Ppp:150W
    • 10+

      ¥0.2364
    • 100+

      ¥0.1863
    • 300+

      ¥0.1613
    • 3000+

      ¥0.1425
    • 6000+

      ¥0.1275
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      ¥0.12
  • 有货
  • SN74AUP1G125是一款来自超低功耗系列的单路三态输出缓冲器,可在0.8V至3.6V电源电压下工作。
    • 10+

      ¥0.2364
    • 100+

      ¥0.1863
    • 300+

      ¥0.1613
    • 3000+

      ¥0.1425
    • 6000+

      ¥0.1275
    • 9000+

      ¥0.12
  • 有货
  • 是一个三端可调稳压器系列,在适用的温度范围内具有有保证的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在参考电压和36V之间的任何值。具有典型的动态输出阻抗0.27Ω,有源输出电路提供非常尖锐的导通特性,使其在许多应用中是齐纳二极管的优秀替代品。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2376
    • 200+

      ¥0.1871
    • 1000+

      ¥0.1443
    • 2000+

      ¥0.1274
    • 10000+

      ¥0.1128
    • 20000+

      ¥0.1049
  • 有货
  • 特性:VDS(V) = -30V。 RDS(ON) < 46mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 54mΩ (VGS = -4.5V)。应用:移动计算负载开关。 笔记本适配器开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2386
    • 200+

      ¥0.1835
    • 600+

      ¥0.1528
    • 3000+

      ¥0.1345
    • 9000+

      ¥0.1185
    • 21000+

      ¥0.11
  • 有货
  • 可用于提供高达 ±30 kV(接触放电)的 ESD 保护(根据 IEC61000-4-2),并能承受高达 20 A(8/20 μs)的峰值脉冲电流(根据 IEC61000-4-5)。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2407
    • 200+

      ¥0.1876
    • 600+

      ¥0.158
    • 3000+

      ¥0.1347
    • 9000+

      ¥0.1193
    • 21000+

      ¥0.111
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2408
    • 200+

      ¥0.1883
    • 600+

      ¥0.1591
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