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首页 > 热门关键词 > 友台光耦
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特性:该P沟道2.5V产品针对电源管理应用进行了优化,具有宽范围的栅极驱动电压(2.5V-12V)。 漏源击穿电压VDS(V) = 20V。 漏极电流ID = -2.4A。 静态漏源导通电阻RDS(ON):55mΩ(VGS = -4.5V);80mΩ(VGS = -2.5V)
数据手册
  • 20+

    ¥0.1495
  • 200+

    ¥0.1157
  • 600+

    ¥0.0969
  • 3000+

    ¥0.0856
  • 9000+

    ¥0.0758
  • 21000+

    ¥0.0705
  • 有货
  • 是一种单向单线瞬态抑制二极管,专为保护便携式设备和小型化电子设备中的集成电路免受EOS和ESD瞬态过电压影响而设计。
    • 20+

      ¥0.1516
    • 200+

      ¥0.1167
    • 600+

      ¥0.0973
    • 3000+

      ¥0.0857
    • 9000+

      ¥0.0756
    • 21000+

      ¥0.0701
  • 有货
  • 特性:单向ESD保护。 低二极管电容:Cd = 25pF。 低钳位电压:VCL = 12V。 极低泄漏电流:IRM = 10nA。 ESD保护高达26kV。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。应用:计算机及周边设备。 音频和视频设备
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1591
    • 200+

      ¥0.1241
    • 600+

      ¥0.1046
    • 3000+

      ¥0.0903
    • 9000+

      ¥0.0802
    • 21000+

      ¥0.0747
  • 有货
  • 特性:两行ESD保护装置。 ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2标准:接触放电±30 kV,空气放电±30 kV。 根据AEC-Q101标准的ESD能力:人体模型H3B级:>8 kV。 节省空间的SOT-23封装。 可提供AEC-Q101认证
    • 20+

      ¥0.1677
    • 200+

      ¥0.1302
    • 600+

      ¥0.1093
    • 3000+

      ¥0.0968
    • 9000+

      ¥0.086
    • 21000+

      ¥0.0801
  • 有货
  • TVS/ESD管,VRWM:3.3V,VBR:4.5V
    • 20+

      ¥0.1692
    • 200+

      ¥0.131
    • 600+

      ¥0.1098
    • 3000+

      ¥0.0971
    • 9000+

      ¥0.086
    • 21000+

      ¥0.0801
  • 有货
  • 静电放电ESD
    • 20+

      ¥0.1751
    • 200+

      ¥0.1364
    • 600+

      ¥0.1149
    • 3000+

      ¥0.102
    • 9000+

      ¥0.0908
    • 21000+

      ¥0.0848
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1763
    • 200+

      ¥0.1381
    • 600+

      ¥0.1169
    • 3000+

      ¥0.0969
    • 9000+

      ¥0.0859
    • 21000+

      ¥0.08
  • 有货
  • 特性:设计用于保护对电压敏感的组件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响。 出色的钳位能力。 低泄漏。 快速响应时间。 小外形尺寸。 低本体高度。应用:手机。 便携式设备
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1765
    • 200+

      ¥0.1378
    • 600+

      ¥0.1163
    • 3000+

      ¥0.0991
    • 9000+

      ¥0.088
    • 21000+

      ¥0.0819
  • 有货
  • 特性:对一条线路进行瞬态电压抑制(TVS)保护。 最大峰值脉冲功率:Pₚₚ = 890 W。 低钳位电压:V_CL = 19 V。 低泄漏电流:I_RM = 300 nA。 ESD保护高达30 kV。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。应用:计算机及外围设备。 音频和视频设备
    • 20+

      ¥0.1851
    • 200+

      ¥0.1427
    • 600+

      ¥0.1191
    • 3000+

      ¥0.1049
    • 9000+

      ¥0.0927
    • 21000+

      ¥0.086
  • 有货
  • 特性:VDS(V) = -30V。 RDS(ON) < 46mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 54mΩ (VGS = -4.5V)。应用:移动计算负载开关。 笔记本适配器开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1922
    • 200+

      ¥0.1491
    • 600+

      ¥0.1252
    • 3000+

      ¥0.1109
    • 9000+

      ¥0.0984
    • 21000+

      ¥0.0917
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器旨在保护低压、先进的CMOS半导体免受静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬变影响。
    • 20+

      ¥0.1943
    • 200+

      ¥0.1508
    • 600+

      ¥0.1266
    • 3000+

      ¥0.1121
    • 9000+

      ¥0.0995
    • 21000+

      ¥0.0928
  • 有货
  • 用于保护敏感电子设备免受静电放电和其他电压瞬态事件的损坏或闩锁。适用于电路板空间有限的应用。可保护多达两条线路。双向器件,可用于信号极性高于地的线路。
    • 20+

      ¥0.1949
    • 200+

      ¥0.1508
    • 600+

      ¥0.1263
    • 3000+

      ¥0.1116
    • 9000+

      ¥0.0988
    • 21000+

      ¥0.092
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1968
    • 200+

      ¥0.1531
    • 600+

      ¥0.1289
    • 3000+

      ¥0.1095
    • 9000+

      ¥0.0968
    • 21000+

      ¥0.09
  • 有货
  • 静电放电(ESD)
    • 20+

      ¥0.1994
    • 200+

      ¥0.1549
    • 600+

      ¥0.1301
    • 3000+

      ¥0.1153
    • 9000+

      ¥0.1024
    • 21000+

      ¥0.0955
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。 有 AEC-Q101 认证可选-汽车订购代码:基础型号 P/NHE3 或 P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-4 的数据线 EFT 保护
    数据手册
    • 25+

      ¥0.2006
    • 250+

      ¥0.1514
    • 750+

      ¥0.1237
    • 2250+

      ¥0.1073
    • 12750+

      ¥0.0931
    • 24750+

      ¥0.0854
  • 有货
  • 为USB3.0、HDMI1.3/1.4和其他高速端口提供ESD保护。可用于满足IEC 61000-4-2的ESD抗扰度要求。旨在最小化ESD峰值钳位和TLP钳位。动态电阻最小化(典型值0.47Ω),以对敏感电路进行最佳保护。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2072
    • 200+

      ¥0.1632
    • 600+

      ¥0.1388
    • 2000+

      ¥0.1241
    • 10000+

      ¥0.0991
    • 20000+

      ¥0.0923
  • 有货
  • 74AUP1G00是一款高性能单路2输入与非门,工作电源电压范围为0.8V至3.6V。该器件采用先进的CMOS工艺制造,可实现超高速运行和高输出驱动能力。
    • 20+

      ¥0.2096
    • 200+

      ¥0.1627
    • 600+

      ¥0.1366
    • 3000+

      ¥0.1209
    • 9000+

      ¥0.1074
    • 21000+

      ¥0.1001
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 20+

      ¥0.2204
    • 200+

      ¥0.171
    • 600+

      ¥0.1436
    • 3000+

      ¥0.1271
    • 9000+

      ¥0.1129
    • 21000+

      ¥0.1052
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.222
    • 200+

      ¥0.1752
    • 600+

      ¥0.1491
    • 3000+

      ¥0.1239
    • 9000+

      ¥0.1104
    • 21000+

      ¥0.1031
  • 有货
  • 集成超低电容二极管,为可能遭受破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。该组件能安全吸收高于IEC 61000-4-2国际标准(4级,±8kV接触放电)规定的最大水平的重复性ESD冲击,且性能不会下降。
    • 20+

      ¥0.2223
    • 200+

      ¥0.1742
    • 600+

      ¥0.1475
    • 3000+

      ¥0.1314
    • 9000+

      ¥0.1175
    • 21000+

      ¥0.1101
  • 有货
  • 是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器,适合替代便携式电子产品中的多个分立元件,专门用于保护电源线。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2238
    • 200+

      ¥0.1733
    • 600+

      ¥0.1452
    • 3000+

      ¥0.1284
    • 9000+

      ¥0.1138
    • 21000+

      ¥0.1059
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(on)和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    • 10+

      ¥0.22496 ¥0.2368
    • 100+

      ¥0.17575 ¥0.185
    • 300+

      ¥0.148485 ¥0.1563
    • 3000+

      ¥0.126635 ¥0.1333
    • 6000+

      ¥0.112385 ¥0.1183
    • 9000+

      ¥0.104785 ¥0.1103
  • 有货
  • 该N沟道2.5V特定MOSFET经过特别设计,可最大限度地降低导通电阻,同时保持较低的栅极电荷,以实现卓越的开关性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2352
    • 200+

      ¥0.1872
    • 600+

      ¥0.1632
    • 3000+

      ¥0.1392
    • 9000+

      ¥0.1248
    • 21000+

      ¥0.1175
  • 有货
  • 是一款高性能单非反相施密特触发器缓冲器,具有施密特触发输入,工作电源电压范围为 0.8V 至 3.6V。采用先进的 CMOS 技术,实现了超高速和高输出驱动能力。
    • 10+

      ¥0.2382
    • 100+

      ¥0.1873
    • 300+

      ¥0.1619
    • 3000+

      ¥0.1428
    • 6000+

      ¥0.1275
    • 9000+

      ¥0.1199
  • 有货
  • 此N沟道逻辑电平MOSFET采用专门定制的工艺生产,可最大限度降低导通电阻,同时保持出色的开关性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2402
    • 200+

      ¥0.1872
    • 600+

      ¥0.1578
    • 3000+

      ¥0.1343
    • 9000+

      ¥0.119
    • 21000+

      ¥0.1108
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2408
    • 200+

      ¥0.1876
    • 600+

      ¥0.1581
    • 3000+

      ¥0.1345
    • 9000+

      ¥0.1191
    • 21000+

      ¥0.1108
  • 有货
  • 是一种瞬态电压抑制器阵列,旨在保护连接到数据和传输线上的组件免受静电放电 (ESD)、电快速瞬变 (EFT) 和雷击的影响。所有引脚都能承受 30kV ESD 脉冲。
    • 20+

      ¥0.2465
    • 200+

      ¥0.1866
    • 600+

      ¥0.1532
    • 3000+

      ¥0.1333
    • 9000+

      ¥0.1159
    • 21000+

      ¥0.1066
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻,低栅极电荷,并且可以在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于负载开关应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2524
    • 100+

      ¥0.1977
    • 300+

      ¥0.1703
    • 3000+

      ¥0.1497
    • 6000+

      ¥0.1333
    • 9000+

      ¥0.125
  • 有货
  • 特性:VDS(V)为12V。 Qg为9nC。 RDS(ON)<35mΩ(VGS=-4.5V,ID=-5.1A)。 RDS(ON)<45mΩ(VGS=-2.5V,ID=-4.5A)。 RDS(ON)<59mΩ(VGS=-1.8V,ID=-3.0A)。应用:负载开关。 PA开关
    • 10+

      ¥0.2574
    • 100+

      ¥0.2049
    • 300+

      ¥0.1786
    • 3000+

      ¥0.1523
    • 6000+

      ¥0.1366
    • 9000+

      ¥0.1287
  • 有货
  • 采用超小DFN1610-6L封装。每个器件可保护两条高速数据线。超低电容、超小尺寸和高ESD鲁棒性的组合特性,使其非常适合高速数据端口和高频线路(如HDMI和DVI)应用。低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2908
    • 100+

      ¥0.2323
    • 300+

      ¥0.2031
    • 3000+

      ¥0.1666
    • 6000+

      ¥0.1491
    • 9000+

      ¥0.1403
  • 有货
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