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封装：DIP-8

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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￥32.05
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￥27.6
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型号：HCPL-3700-500E 编号：C2927820

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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型号：ACPL-333J-000E 编号：C17468024

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

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￥34.27
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型号：ASSR-4120-502E 编号：C6800675

封装：DIP-8-300mil

品牌：Broadcom(博通)

博通ASSR - 41xx系列由一个与高压输出检测电路光耦合的砷化铝镓红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3 mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。单通道配置的ASSR - 4110和ASSR - 4111相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR - 4120相当于2个A型EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装可供选择。其电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有明确规定。它们用于信号和低功率交流/直流负载的通用开关。ASSR - 4111支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流Io增加到0.24A，导通电阻R(ON)降至8.5Ω。

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型号：HCPL-2430-000E 编号：C24750

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器将 820 nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内保证电气和开关特性。

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型号：HCPL-3760-500E 编号：C692044

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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￥38.07
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型号：ACPL-K309T-500E 编号：C39097631

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

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￥39.49
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型号：HCPL-0723-000E 编号：C6795997

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 7723 或 HCPL - 0723 光耦合器分别提供 8 引脚 DIP 或 SO - 8 封装形式，采用最新的 CMOS IC 技术，实现了卓越的速度性能，数据速率最低可达 50 MBd，最大脉冲宽度失真为 2 ns。HCPL - 7723/0723 的基本组成部分包括一个 CMOS LED 驱动 IC、一个高速 LED 和一个 CMOS 探测器 IC。CMOS 逻辑输入信号控制 LED 驱动 IC，该驱动 IC 为 LED 提供电流

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型号：ACPL-K376-000E 编号：C17312209

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥41.46
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型号：HCPL-2430-500E 编号：C43019

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器将 820nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。HCPL2400 和 HCPL-2430 的电气和开关特性在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内得到保证。

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￥43.79
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￥42.89
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型号：ACPL-K73L-560E 编号：C2927823

封装：-

品牌：Broadcom(博通)

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￥51.86
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型号：HCPL-7800A-300E 编号：C2686009

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

隔离放大器专为电子电机驱动器中的电流传感而设计。在典型应用中，电机电流通过外部电阻，产生的模拟电压降由该放大器感应。在放大器的光隔离屏障另一侧会产生差分输出电压，此电压与电机电流成正比，可通过运算放大器转换为单端信号。由于现代开关逆变器电机驱动器中常见数百伏的共模电压在数十纳秒内摆动，该放大器设计为能忽略至少10 kV/µs的非常高的共模瞬态压摆率

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￥68.74
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型号：ACSL-6420-50TE 编号：C6854640

封装：SOIC-16

品牌：Broadcom(博通)

是真正的隔离式多通道双向高速光耦合器。通过专利工艺技术实现多个光耦合器的单片集成。这些器件在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输及通信能力。具有 15Mbd 速度选项和宽电源电压范围。高通道密度使其非常适合隔离数据转换设备、并行总线和外围接口。提供 8 引脚和 16 引脚窄体 SOIC 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +100°C。

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￥75.85
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￥59.51

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型号：HCPL-063L 编号：C6204657

封装：SOT-ALL-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 3.3V 时提供 15kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 LVTTL/LVCMOS 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。适用于高速逻辑接口、输入/输出缓冲，作为传统线路接收器无法耐受环境中的线路接收器，建议在极高接地或感应噪声环境中使用。

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￥84.72
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￥80.74
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￥73.85

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型号：HCPL-814-000E 编号：C6795850

封装：DIP-4

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 814包含一个光电晶体管，与两个反并联连接的发光二极管光耦合。它可由交流输入电流直接驱动。该器件采用4引脚DIP封装，提供宽引脚间距和引脚弯曲SMD两种选项

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￥2.48
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￥1.97
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型号：CNY17-3-500E 编号：C2686005

封装：SOP-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个发光二极管，该二极管与光电晶体管进行光耦合。采用6引脚DIP封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲SMD选项。集电极-发射极电压高于70V。响应时间tr通常为5μs，在输入电流为10mA时，最小电流传输比（CTR）为40%。

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￥2.86
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型号：4N25-300E 编号：C17604748

封装：SMD-6P

品牌：Broadcom(博通)

是用于通用应用的光耦合器。它包含一个发光二极管,该二极管与光电晶体管进行光耦合。采用6引脚DIP封装,有宽引脚间距选项和引脚弯曲SMD选项。响应时间tr通常为3μs,在输入电流为10mA时,最小电流传输比(CTR)为20%。

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￥3.34
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型号：HCPL-817-50AE 编号：C692059

封装：SOP-4

品牌：Broadcom(博通)

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￥3.75
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￥3.67
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型号：HCPL-181-060E 编号：C5355896

封装：SMD-4

品牌：Broadcom(博通)

更新序列号格式，用字母而不是数字来表示制造年份。当前序列号格式使用一位数字来表示制造年份，随着产量增加，当前格式可能导致产品序列号不唯一。为避免序列号耗尽，将更新格式。

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￥4.5
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￥4.4
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￥4.33

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型号：HCPL-817-00AE 编号：C17514602

封装：DIP-4

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲SMD选项。输入输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr典型值为4μs，在输入电流为5mA时最小电流传输比（CTR）为50%。

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￥4.68
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￥3.8
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￥3.37

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型号：ACPL-217-56DE 编号：C17189272

封装：SOIC-4-175mil

品牌：Broadcom(博通)

是一款直流输入、单通道、半间距光电晶体管光耦合器，包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。采用 4 引脚 SO 封装。输入-输出隔离电压额定值为 3750V_RMS。响应时间 tr 典型值为 2μs，在输入电流为 5mA 时，最小电流传输比 (CTR) 为 50%。

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￥4.77
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￥4.65
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￥4.57

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型号：HCPL-181-06DE 编号：C17658017

封装：Mini-4-FlAt

品牌：Broadcom(博通)

包含一个发光二极管，该二极管与光电晶体管光耦合。采用4引脚迷你扁平贴片（SMD）封装，高度为2.0mm。产品尺寸小，可显著节省空间，封装体积比传统DIP类型小30%。输入-输出隔离电压为3750Vrms。响应时间tr典型值为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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￥5.34
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￥4.34
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￥3.84

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型号：ACPL-847-000E 编号：C7501744

封装：DIP-16

品牌：Broadcom(博通)

是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含两个发光二极管，它们与两个独立的晶体管进行光耦合，采用8引脚DIP封装。同样，有一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含四个发光二极管，它们与四个独立的晶体管进行光耦合，采用16引脚DIP封装。两款光耦合器都有宽引脚间距选项和引脚弯曲的贴片式（SMD）选项，输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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￥5.49
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￥5.36
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￥5.27

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型号：ACPL-214-50AE 编号：C18198809

封装：SOIC-4

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 214是一款交流输入单通道半间距光电晶体管光耦合器，包含两个反向并联连接并与光电晶体管进行光耦合的发光二极管。它采用4引脚SO封装。输入 - 输出隔离电压额定值为3750 V_RMS

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￥5.99
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￥4.84
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￥4.26

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型号：HCPL-817-30DE 编号：C6795842

封装：PDIP-4

品牌：Broadcom(博通)

该产品包含一个发光二极管，与光电晶体管进行光耦合。它采用4引脚双列直插式封装，提供宽引脚间距选项和引脚弯曲的表面贴装选项。输入-输出隔离电压为5000 Vrms。响应时间tr典型值为4 μs，在输入电流为5 mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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￥6.02
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￥4.93
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￥4.39

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型号：ACPL-827-06CE 编号：C2937294

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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￥6.68
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￥6.53
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￥6.42

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型号：ACPL-827-500E 编号：C2829060

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含两个发光二极管，它们与两个独立的晶体管进行光耦合。采用8引脚双列直插式封装。同样，是一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含四个发光二极管，它们与四个独立的晶体管进行光耦合。采用16引脚双列直插式封装。两款光耦合器都提供宽引脚间距选项和引脚弯曲的表面贴装器件（SMD）选项，输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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￥7.18
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￥7
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￥6.88

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型号：ACPL-827-30BE 编号：C6795869

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含两个发光二极管，与两个独立的晶体管进行光耦合。采用8引脚DIP封装。是一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含四个发光二极管，与四个独立的晶体管进行光耦合。采用16引脚DIP封装。两种光耦合器都有宽引脚间距选项和引脚弯曲表面贴装（SMD）选项，输入输出隔离电压为5000Vrms。响应时间t(Γ)典型值为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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￥7.86
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￥6.53
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￥5.8

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型号：6N139-300E 编号：C17292832

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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￥8.73
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￥8.54
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￥8.41

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型号：ACPL-W343-060E 编号：C49269464

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路进行光耦合。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

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