安华高光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：HCPL-817-00BE 编号：C2927830

封装：DIP-4

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 817包含一个发光二极管和一个光电晶体管，二者通过光耦合。它采用4引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距选项和弯引脚贴片（SMD）选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms

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￥3.68
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￥3.6
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￥3.55

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型号：HCPL-181-060E 编号：C5355896

封装：SMD-4

品牌：Broadcom(博通)

更新序列号格式，用字母而不是数字来表示制造年份。当前序列号格式使用一位数字来表示制造年份，随着产量增加，当前格式可能导致产品序列号不唯一。为避免序列号耗尽，将更新格式。

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￥4.5
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￥4.33

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型号：HCPL-817-30DE 编号：C6795842

封装：PDIP-4

品牌：Broadcom(博通)

该产品包含一个发光二极管，与光电晶体管进行光耦合。它采用4引脚双列直插式封装，提供宽引脚间距选项和引脚弯曲的表面贴装选项。输入-输出隔离电压为5000 Vrms。响应时间tr典型值为4 μs，在输入电流为5 mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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￥6.02
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￥4.93
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￥4.39

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型号：ACPL-227-56CE 编号：C39748355

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 227是一款直流输入的双通道半间距光电晶体管光耦合器，包含两个与两个独立光电晶体管光耦合的发光二极管。它采用8引脚SO封装。同样，ACPL - 247是一款直流输入的四通道半间距光电晶体管光耦合器，包含四个与四个独立光电晶体管光耦合的发光二极管

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￥8.36
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￥6.85
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￥6.03

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型号：HCPL-3140-000E 编号：C692035

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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￥9.67
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￥8.11
50+
￥7.14
100+
￥6.15

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型号：HCPL-3120-300E 编号：C188743

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

与HCPL-3120-500E是同一颗料，包装不同

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￥15.59
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￥15.18
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￥14.91

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型号：HCPL-0201-000E 编号：C188693

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

高CMR、宽Vcc4.5V到20V、逻辑门光电耦合器

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￥19.47
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￥19.04
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￥18.76

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型号：ACPL-K342-500E 编号：C691948

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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￥20.59
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￥17.62
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￥15.86

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型号：HCNW2611-300E 编号：C7466708

封装：DIP

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥22.06
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￥21.53
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￥21.17

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型号：HCNW4503-000E 编号：C49269409

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥23.36
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￥19.87
42+
￥17.8

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型号：ACPL-W70L-000E 编号：C6854592

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥23.11
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￥22.76

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型号：HCPL-3180-300E 编号：C6795935

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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￥24.17
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￥23.65
50+
￥23.3

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型号：HCPL-2211-000E 编号：C6630864

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合逻辑门。HCPL22XX和HCPL-02XX包含GaAsP LED，而HCNW22XX包含AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。

1+
￥24.31
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￥23.77
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￥23.41

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型号：HCNW3120-300E 编号：C6795941

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

HCPL-3120包含GaAsP LED，HCPL-J312和HCNW3120包含AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。

1+
￥24.41
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￥23.85
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￥23.47

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型号：ACPL-P346-000E 编号：C3036217

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - P346/W346包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC - DC/DC - DC转换器应用中的功率MOSFET和碳化硅（SiC）MOSFET。输出级较宽的工作电压范围可为栅极控制设备提供所需的驱动电压

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￥24.53
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￥23.96
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型号：ACFL-3161-500E 编号：C17398119

封装：SO-12

品牌：Broadcom(博通)

是10A峰值、轨到轨输出的栅极驱动光耦合器，采用紧凑的、可表面贴装的SO-12封装以节省空间。输入和输出通道之间提供5kVrms的隔离电压。主要设计用于具备高峰值驱动电流能力，以确保在各种应用中直接驱动SiC MOSFET或IGBT时达到最佳性能。具有快速传播延迟和严格的死区时间失真，非常适合高频驱动SiC MOSFET和IGBT。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

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￥24.95
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￥24.4
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￥24.03

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型号：ASSR-1411-001E 编号：C5555230

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

该系列由与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）

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￥25.76
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￥21.87
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￥19.56

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型号：ACPL-244-560E 编号：C691930

封装：SO-16

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 224是一款交流输入的双通道半间距光电晶体管光耦合器，每个通道包含两个反向并联的发光二极管，且与两个独立的光电晶体管进行光耦合。它采用8引脚SO封装。同样地，ACPL - 244是一款交流输入的四通道半间距光电晶体管光耦合器，每个通道包含两个反向并联的发光二极管，且与四个独立的光电晶体管进行光耦合

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1+
￥26.95
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￥23.21
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￥20.98

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型号：ACSL-6300-50TE 编号：C6800668

封装：SO-16

品牌：Broadcom(博通)

是真正隔离的多通道和双向高速光耦合器。通过专利工艺技术实现多个光耦合器的单片集成。这些器件在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输与通信能力。提供15Mbd速度选项和宽电源电压范围。高通道密度使其非常适合隔离数据转换设备、并行总线和外围接口。有8引脚和16引脚窄体SOIC封装，工作温度范围为 -40℃至 +100℃。

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￥28.2
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￥27.48
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￥27

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型号：ACPL-024L-560E 编号：C6854541

封装：SOT-ALL-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合逻辑门。探测器IC具有CMOS输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。内部屏蔽保证在1000V共模电压下，共模瞬态抗扰度为25kV/μs。工作电源为2.7V至5.5V，在-40℃至+105℃的扩展温度范围内保证交流和直流性能。

1+
￥28.74
10+
￥24.46
30+
￥21.91
100+
￥19.33

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型号：HCPL-3120-060E 编号：C6795900

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

1+
￥32.05
10+
￥27.6
30+
￥24.96

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型号：ACPL-074L-000E 编号：C22379963

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

是15-MBd的CMOS光耦合器，采用SOIC-8封装。该光耦合器采用最新的CMOS IC技术，以极低的功耗实现出色的性能。基本构建模块是高速LED和CMOS探测器IC。每个探测器都集成了一个光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。

1+
￥33.21
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￥32.36
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￥31.8

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型号：HCPL-4701-500E 编号：C6800670

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些器件是超低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。HCPL-4701代表单通道8引脚DIP配置，与行业标准6N139引脚兼容。HCPL-4731代表双通道8引脚DIP配置，与流行标准HCPL-2731引脚兼容。

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￥35.16
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￥30.38
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￥27.53

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型号：HCPL-2430-300E 编号：C2686012

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 2400和HCPL - 2430高速光耦合器将820 nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了极高的数据传输速率和低输入电流。图腾柱输出（HCPL - 2430）或三态输出（HCPL - 2400）无需上拉电阻，可直接驱动数据总线

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1+
￥36.01
10+
￥35.17
50+
￥34.6

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型号：HCPL-2430-000E 编号：C24750

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器将 820 nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内保证电气和开关特性。

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1+
￥36.95
10+
￥36.09
50+
￥32.32

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型号：HCPL-3760-000E 编号：C6795981

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

1+
￥41.08
10+
￥35.3
50+
￥31.77

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型号：HCPL-0723-000E 编号：C6795997

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 7723 或 HCPL - 0723 光耦合器分别提供 8 引脚 DIP 或 SO - 8 封装形式，采用最新的 CMOS IC 技术，实现了卓越的速度性能，数据速率最低可达 50 MBd，最大脉冲宽度失真为 2 ns。HCPL - 7723/0723 的基本组成部分包括一个 CMOS LED 驱动 IC、一个高速 LED 和一个 CMOS 探测器 IC。CMOS 逻辑输入信号控制 LED 驱动 IC，该驱动 IC 为 LED 提供电流

1+
￥41.08
10+
￥40.03
30+
￥39.32

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型号：ACNT-H343-500E 编号：C17646021

封装：SOIC-8-13.6mm

品牌：Broadcom(博通)

是一款5A栅极驱动光耦合器设备，采用15mm SSO8封装，适用于高压、空间受限的工业应用，包括电机驱动器和太阳能逆变器。该封装平台具有15mm爬电距离和14.2mm电气间隙、2262VPEAK的高绝缘电压和紧凑的封装尺寸。具有大于100kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）和小于150ns的传播延迟，能够实现高频开关，提高驱动IGBT和SiC/GaN MOSFET的效率。