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首页 > 热门关键词 > 安华高光耦
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光耦合器将 820 nm AlGaAs 光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种半导体器件组合为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速 AlGaAs 发射器采用独特的扩散结制造,在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的 RS-232-C 接口。作为线路接收器,由于较低的 IF 和 VF 规格,在给定数据速率下,其可在更长的线路长度上工作。
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    ¥53.8146 ¥85.42
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    ¥46.6137 ¥73.99
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    ¥42.2226 ¥67.02
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    ¥38.5434 ¥61.18
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      ¥55.677 ¥83.1
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      ¥48.2266 ¥71.98
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      ¥39.8784 ¥59.52
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
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      ¥72.52
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      ¥82.812 ¥138.02
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      ¥70.26 ¥117.1
  • 有货
  • HCPL - 814包含一个光电晶体管,与两个反并联连接的发光二极管光耦合。它可由交流输入电流直接驱动。该器件采用4引脚DIP封装,提供宽引脚间距和引脚弯曲SMD两种选项
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      ¥2.35
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      ¥1.62
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      ¥1.34
  • 有货
  • 是一款直流输入、单通道、半间距光电晶体管光耦合器,包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。采用 4 引脚 SO 封装。输入-输出隔离电压额定值为 3750V_RMS。响应时间 tr 典型值为 2μs,在输入电流为 5mA 时,最小电流传输比 (CTR) 为 50%。
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      ¥3.25
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      ¥3.17
    • 30+

      ¥3.13
  • 有货
  • 由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。
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      ¥3.38
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      ¥3.3
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    • 100+

      ¥3.2
  • 有货
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      ¥8.71
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      ¥7.27
    • 30+

      ¥6.48
  • 有货
  • 是单通道低速光耦合器,具有晶体管输出。采用紧凑的表面贴装 SO4 封装,节省空间。输入和输出通道之间提供 4kV RMS 的隔离电压。主要为低功耗运行而设计,用于低速信号传输的工作 LED 驱动电流低至 0.3mA。低集电极暗电流,在不使用时几乎不消耗电流。提供增强绝缘和可靠性,可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。
    • 1+

      ¥12.85
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      ¥12.31
  • 有货
  • HCPL - 260L/060L/263L/063L 是光耦合门电路,它将 GaAsP 发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。使能输入可对探测器进行选通。探测器 IC 的输出为集电极开路的肖特基钳位晶体管
    数据手册
    • 1+

      ¥13.17
    • 10+

      ¥12.83
    • 30+

      ¥12.6
  • 有货
  • ACPL-071L (单通道) 和 ACPL-074L (双通道) 是采用 SOIC-8 封装的 15-MBd CMOS 光耦合器。光耦合器采用最新的 CMOS IC 技术,以极低的功耗实现出色的性能。ACPL-071L 和 ACPL-074L 的基本构建模块是高速 LED 和 CMOS 探测器 IC。每个探测器都集成了一个光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。
    • 1+

      ¥17.59
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      ¥17.2
    • 30+

      ¥16.94
  • 有货
  • 这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。若需要,VCC 和 VO 端子可以连接在一起,以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整
    数据手册
    • 1+

      ¥19.46
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      ¥16.76
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      ¥15.16
  • 有货
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      ¥19.64
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    • 30+

      ¥18.88
  • 有货
  • 低功耗数字光耦合器将AlGaAs发光二极管(LED)和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低,在整个温度范围内,每通道IDD电流最大为1.3 mA。LED正向电流低至1.6 mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽可保证共模瞬态抗扰度规格最高为20 kV/μs,在保持TTL/CMOS兼容性的同时实现最大AC和DC电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在-40℃至+105℃的温度范围内保证AC和DC性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
    • 1+

      ¥19.93
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      ¥16.88
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      ¥15.06
  • 有货
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      ¥21.56
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      ¥16.43
  • 有货
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      ¥22.99
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  • 有货
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      ¥19.37
  • 有货
  • HCPL - 4506和HCPL - 0466包含一个GaAsP(磷砷化镓)发光二极管,而HCPL - J456和HCNW4506包含一个AlGaAs(铝镓砷)发光二极管。该发光二极管与一个集成的高增益光电探测器进行光耦合。器件间的传播延迟差异极小,这使得这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案
    • 1+

      ¥25.38
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      ¥21.39
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      ¥19.01
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    • 1+

      ¥27.48
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      ¥23.29
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      ¥20.8
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证,可实现无故障系统性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥28.28
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      ¥18.64
  • 有货
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      ¥29.85
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      ¥29.19
    • 30+

      ¥28.75
  • 有货
  • 包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动用于功率转换应用的SiC/GaN(碳化硅/氮化镓)MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/100A的SiC/GaN MOSFET和IGBT。
    • 1+

      ¥30.04
    • 10+

      ¥25.56
    • 30+

      ¥22.9
  • 有货
  • 包含一个AlGaAs LED,它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,该光耦合器可用于驱动一个分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中,分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。
    • 1+

      ¥31.1
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      ¥26.35
    • 30+

      ¥23.53
  • 有货
    • 1+

      ¥33.26
    • 10+

      ¥28.64
    • 30+

      ¥25.9
  • 有货
    • 1+

      ¥33.88
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      ¥33.13
    • 30+

      ¥32.63
  • 有货
  • 高线性模拟光耦合器由高性能 AlGaAs LED 组成,该 LED 照亮两个紧密匹配的光电二极管。输入光电二极管可用于监测并稳定 LED 的光输出,从而几乎消除 LED 的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与 LED 光输出线性相关的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性和稳定增益特性。可用于各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号,非常灵活,通过适当设计应用电路,能够以多种不同模式工作,包括:单极/双极、交流/直流和反相/同相,是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。
    • 1+

      ¥33.94
    • 10+

      ¥29.19
    • 42+

      ¥26.3
  • 有货
  • 是高温数字CMOS光耦合器,采用SOIC-5封装。适用于混合动力和电动汽车应用,使用最新的CMOS IC技术实现出色性能和极低功耗。所有器件均符合AEC-Q100标准,工作温度范围为-40°C至125°C。使用高速LED,使用低电流LED以降低功耗。高速型最大传播延迟为35 ns(IF = 10mA),低功耗型典型传播延迟为60 ns(LED驱动电流为4 mA)。每个数字光耦合器都有一个CMOS探测器IC、一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。提供汽车和高温工业关键应用所需的加强绝缘和可靠性。
    • 1+

      ¥35.84
    • 10+

      ¥31.09
    • 30+

      ¥28.19
  • 有货
  • 更新序列号格式,用字母而不是数字来表示制造年份。当前序列号格式使用一位数字来表示制造年份,随着产量增加,当前格式可能导致产品序列号不唯一。为避免序列号耗尽,将更新格式。
    • 1+

      ¥74.28
    • 10+

      ¥63.88
    • 50+

      ¥57.54
  • 有货
    • 1+

      ¥2.49
    • 10+

      ¥2.43
    • 30+

      ¥2.4
  • 有货
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