ISOCOM光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：6N137-500E 编号：C691907

封装：SOIC-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：HCPL0600R2 编号：C500389

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。此类器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由 CMOS 工艺上的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制。

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型号：ILD205T 编号：C145456

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是光耦合对，由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成。该器件能够传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。 ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装，非常适合空间有限的高密度应用

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型号：6N137-560E 编号：C691908

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽保证了在Vcm = 1000V时高达15,000V/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40℃至 + 85℃范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

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型号：ACPL-M50L-500E 编号：C54677

封装：SOP-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

单通道（SO-5封装）、双通道（SO-8封装）、单通道（拉伸SO-6封装）和双通道（拉伸SO-8封装）是低功耗、低输入电流、1MBd的数字光耦合器。这种数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在温度范围为-40至105°C，VCM = 1500V时，最小共模瞬态抗扰度为15kV/μs

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型号：TP3120 编号：C47326391

封装：DIP-8

品牌：拓朴微

集成电路

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型号：LTV-244 编号：C125640

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = ±1mA、VCE = 5V时，最小为20%。高输入输出隔离电压：(viso = 3,750Vms)。采用双传输模塑技术。 UL1577、VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5)、CSA CA5A、FIMKO认证。 RoHS合规：器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令（No.2002/95/EC）。 ESD通过HBM 6000V/MM2000V。应用：要求高密度安装的混合基板。可编程控制器

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型号：QX176-CuH-S 编号：C42917562

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：600V，负载电流：0.04A

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型号：APY252G3HS 编号：C42444481

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过移动光子来完成其开关功能，不会产生机械磨损，提供一致可靠的开关。

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型号：TLP2161(TP,F) 编号：C516860

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2161由一个高输出红外LED与一个高速光电二极管 - 晶体管芯片耦合而成。它采用SO8封装。单个SO8封装内集成了两个电路，可减小安装面积

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型号：AT252A-CuH-S 编号：C42371491

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

AT252A光继电器由光电MOSFET和光电压发生器组成，它们通过红外LED光学耦合。AT252A实现了低导通电阻。广泛应用于：工业机械和设备、防盗，防灾市场、空调控制、娱乐市场。

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型号：QX3H74-CuH-S 编号：C43517247

封装：SSOP-16

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。十六引脚封装（SSOP16）。

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型号：TLP292-4(TP,E 编号：C5349740

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：QX3H44-CuH-S 编号：C51026080

封装：SSOP-16

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SSOP16封装四通道晶体管光耦，3750V隔离电压，50-300%电流传输比

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型号：QX173-CuH-SH 编号：C52164476

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：100V，负载电流：1.25A 工作温度：-40℃~125℃

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型号：GAQW211G2S 编号：C19188592

封装：SOP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：LT236 编号：C2691606

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Letex(丽太)

LT236 是一款采用 4 引脚 SOP 封装的微型 1-Form A 固态继电器，它采用光耦合 MOSFET 技术，可实现 1500V 的输入 - 输出隔离。光耦合输入由高效的 GaAlAs 红外 LED 控制，输出端采用 MOSFET。

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型号：QX212A-CuH-S 编号：C52164504

封装：SMD-4P

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SMD4封装双通道光继电器 5000V隔离电压，负载电压60V, 负载电流：3A

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型号：AQY212GHAX 编号：C719739

封装：SMD-4P

品牌：PANASONIC(松下)

特性：大大增加了容量。连续负载电流：1.1A。高绝缘性。 I/O隔离电压：5000Vrms。紧凑的4引脚DIP类型。相对于汞或机械继电器性能有所提高。应用：测量仪器。安全和防灾系统：用于报警和安全设备的I/O等

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型号：AT316J-CuH-S 编号：C22372855

封装：SOP-16

品牌：AOTE(奥特)

AT316J是一款高度集成的功率控制器件，它将具有故障保护和反馈的完整、隔离的IGBT门极驱动电路所需的所有组件集成到一个SOP16封装中。TTL输入逻辑电平允许与微控制器直接接口，光隔离功率输出级可驱动150A/1200V的IGBTs。输出IC为IGBT提供局部保护，以防止过流期间产生损坏，第二个光链路为微控制器提供完全隔离的故障状态反馈信号。

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型号：AQY221R2VY 编号：C2936861

封装：SSOP-4

品牌：PANASONIC(松下)

特性：采用新型扁平负载端子形状的微型封装（SSOP）。兼具低导通电阻（R型）和低电容（C型）特性，C×R10特性出色。应用：测量和测试设备：半导体测试设备、探针卡、数据记录器、电路板测试仪等测试设备。电信和广播设备

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￥16.28
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￥12.59
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￥11.73

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型号：IL420-X009T 编号：C511027

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

由与光敏非过零三端双向可控硅网络光耦合的砷化镓红外发光二极管组成。三端双向可控硅由两个反向并联的单片可控硅组成。这三个半导体组装在一个六引脚双列直插式封装中。通过使用射极跟随器光电晶体管和级联可控硅预驱动器实现了高输入灵敏度，从而使LED触发电流小于2 mA（直流）

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￥19.29
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型号：ASSR-1218-503E 编号：C6747780

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

由红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。继电器通过输入LED的最小输入电流为3 mA时开启（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。单通道配置相当于1 Form A机电继电器（EMR），双通道配置相当于2 Form A EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装。ASSR-1219支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接，输出电流IO增加到0.4A，导通电阻R(ON)降至2.5Ω。

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型号：AQV412EHAX 编号：C6507047

封装：SMD-6P

品牌：PANASONIC(松下)

常闭型，具有高绝缘性。1 Form B 输出类型。60V 类型结合了大容量（0.55A）和低导通电阻（典型值 1Ω）。低导通电阻，可控制低电平模拟信号，高灵敏度和低导通电阻，低电平关态泄漏电流，高 I/O 隔离电压为 5,000 V。

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型号：APV211G4EH 编号：C42444443

封装：SMD-6P

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：TLP3545A(TP1,F 编号：C2152260

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3545A和TLP3545AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它采用6引脚DIP封装。TLP3545A和TLP3545AF的低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用

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￥20.35
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￥17.93
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型号：ASSR-1611-501E 编号：C5570486

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。该继电器是单极、常开（1 Form A）机电继电器的固态替代品。由一个铝镓砷红外发光二极管（LED）输入级和一个高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5mA时，继电器导通（触点闭合）；当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。连接方式A允许继电器切换交流或直流负载；连接方式B具有降低导通电阻和提高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。电气和开关特性在 -40℃至 +85℃的温度范围内规定。

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￥31.79
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型号：ASSR-1510-503E 编号：C6795975

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

Broadcom ASSR-15XX 系列专为高电流应用设计，常见于工业应用中。ASSR-15XX 系列由一个AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级通过光学耦合到高压输出检测电路。检测器由高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，以切换两个离散的高压MOSFET的开和关。当输入LED的电流最小为3 mA时，继电器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。单通道配置的ASSR-1510和ASSR-1511相当于1 Form A 机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR-1520和ASSR-1530相当于2 Form A EMR。它们提供4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP以及DIP封装的鸥翼表面贴装和真正的表面贴装SO-8引脚。其电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内指定。ASSR-1511支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接，输出电流I0增加到2A，导通电阻R(ON)降低到0.2Ω。