ISOCOM光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：ATM3063-CuH-SE 编号：C20612773

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

ATM3063是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。

5+
￥1.0828
50+
￥0.856
150+
￥0.7587
500+
￥0.6374
3000+
￥0.5834
6000+
￥0.551

有货

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型号：MOC3020M(UMW) 编号：C5158042

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式与塑料DIP6封装中的单片硅随机相光电可控硅耦合，具有不同的引脚成型选项。凭借坚固的共面双模具结构，提供最稳定的隔离特性。

数据手册

5+
￥1.1081
50+
￥0.8774
130+
￥0.7379
520+
￥0.6145
2470+
￥0.5595
6500+
￥0.5266

有货

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型号：SL3H7C 编号：C5155351

封装：SSOP-4

品牌：Slkor(萨科微)

SL3H7X由光电晶体管组成，光学耦合到砷化镓红外发光二极管，封装在SSOP4中，非常小且薄的耦合器。

数据手册

5+
￥1.1587
50+
￥0.9319
150+
￥0.8347
500+
￥0.7134
3000+
￥0.5861
6000+
￥0.5536

有货

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型号：MOC3022 编号：C115466

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。6引脚DIP光电耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM:最小400V。高关态电压上升临界速率 (dV/dt):最小1000V/μs。应用：AC电机驱动器。AC电机启动器

数据手册

5+
￥1.2437
50+
￥0.9846
130+
￥0.8582
520+
￥0.7197
2080+
￥0.658
5200+
￥0.621

有货

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型号：EL3083 编号：C82997

封装：DIP-6

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

5+
￥1.3126
50+
￥1.0505
130+
￥0.8866
520+
￥0.7464
3250+
￥0.684
4875+
￥0.6466

有货

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型号：AT452-CuH-S 编号：C22390120

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT452是一款由发光二极管和达林顿晶体管组成的高耐压(VCEO≥350V)光电耦合器。四引脚封装（SOP4）。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等.

5+
￥1.32544 ￥1.3952
50+
￥1.047755 ￥1.1029
150+
￥0.92872 ￥0.9776
500+
￥0.780235 ￥0.8213
3000+
￥0.714115 ￥0.7517
6000+
￥0.6745 ￥0.71

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型号：CYTLP127(TP) 编号：C2836429

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：OCIC(卓睿科)

CYTLP127是一款小型贴片的光耦产品，适用于表面贴片组装。CYTLP127由砷化镓红外发光二极管与带积分基极-发射极电阻的达林顿光电晶体管组成的高压光电耦合器，VCEO达到300V以上。

数据手册

5+
￥1.5325
50+
￥1.22
150+
￥1.0861
500+
￥0.9189
3000+
￥0.803

有货

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型号：6N137S 编号：C20612601

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

6N137S是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个850nm的AlGaAs LED光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等

5+
￥1.619845 ￥1.7051
50+
￥1.284685 ￥1.3523
150+
￥1.141045 ￥1.2011
1000+
￥0.978215 ￥1.0297
2000+
￥0.898415 ￥0.9457
5000+
￥0.850535 ￥0.8953

有货

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型号：PS2701-1-F3 编号：C140831

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2701 - 1是一款光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。该封装为小外形封装（SOP）类型，具有屏蔽作用，可阻隔环境光。它专为高密度贴装应用而设计

数据手册

5+
￥1.7079
50+
￥1.3435
150+
￥1.1874
500+
￥0.9925
3500+
￥0.9058

有货

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型号：FOD817BSD 编号：C139543

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.8014
50+
￥1.4437
150+
￥1.2903
1000+
￥1.0674
2000+
￥0.9822
5000+
￥0.9311

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型号：MOC3041SM 编号：C22373366

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

MOC3041SM是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。

5+
￥1.965948 ￥2.1369
50+
￥1.57182 ￥1.7085
150+
￥1.402908 ￥1.5249
1000+
￥1.192228 ￥1.2959
2000+
￥1.098388 ￥1.1939
5000+
￥1.041992 ￥1.1326

有货

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型号：TLP183(GR-TPL,E 编号：C80194

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

数据手册

5+
￥1.983528 ￥2.4488
50+
￥1.380879 ￥1.9449
150+
￥1.05469 ￥1.729
500+
￥0.890295 ￥1.4595
3000+
￥0.817095 ￥1.3395
6000+
￥0.773175 ￥1.2675

有货

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型号：FODM121AR2V 编号：C479711

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

数据手册

5+
￥2.0307
50+
￥1.6232
150+
￥1.4486
500+
￥1.2306
2500+
￥1.1336
5000+
￥1.0754

有货

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型号：HCPL-817-56BE 编号：C40666

封装：SMD-4P

品牌：Broadcom(博通)

包含一个发光二极管，该二极管与光电晶体管进行光耦合。采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲贴片选项。输入输出隔离电压为5000 Vrms。响应时间tr通常为4 μs，在输入电流为5 mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

数据手册

5+
￥2.4754
50+
￥1.9776
150+
￥1.7643
1000+
￥1.393
2000+
￥1.2745
5000+
￥1.2033

有货

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型号：FODM217DR2 编号：C891191

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器（包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管，与一个光电晶体管进行光耦合），采用紧凑型、半间距、4 针封装输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。

数据手册

1+
￥2.53
10+
￥1.97
30+
￥1.73
100+
￥1.43
500+
￥1.3
1000+
￥1.22

有货

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型号：4N35SR2M 编号：C115039

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

1+
￥2.64
10+
￥2.13
30+
￥1.91
100+
￥1.63
500+
￥1.35
1000+
￥1.27

有货

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型号：HCPL-181-06BE 编号：C2927827

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

博通（Broadcom）HCPL - 181包含一个发光二极管和一个与之光耦合的光电晶体管。它采用4引脚迷你扁平表面贴装（SMD）封装，封装高度为2.0毫米。

1+
￥2.76
10+
￥2.24
30+
￥2.01
100+
￥1.73
500+
￥1.61
1000+
￥1.53

有货

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型号：6N136S-TA1-L 编号：C336082

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

6N135/6N136-L 由高效铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。光电二极管偏置连接通过减小基极 - 集电极电容，提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度

数据手册

1+
￥2.78
10+
￥2.23
30+
￥1.99
100+
￥1.7
500+
￥1.48
1000+
￥1.4

有货

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型号：ELM600(TA) 编号：C5200144

封装：SOP-5

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

1+
￥2.91
10+
￥2.62
30+
￥2.47
100+
￥2.33
500+
￥2.14
1000+
￥2.1

有货

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型号：CNY173SR2M 编号：C258247

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.32
30+
￥2.04
100+
￥1.68
500+
￥1.53
1000+
￥1.43

有货

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型号：TLP350F(UMW) 编号：C53109745

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

1+
￥3.3
10+
￥2.65
45+
￥2.32
90+
￥2
495+
￥1.81
990+
￥1.71

有货

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型号：MOC3043M 编号：C80489

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥3.46
10+
￥2.78
50+
￥2.33
100+
￥1.99
500+
￥1.78
1000+
￥1.68

有货

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型号：TLP387(TPL,E 编号：C7495072

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种光耦合器，由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L（4 引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压，适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。

1+
￥3.63
10+
￥2.91
30+
￥2.54
100+
￥2.18
500+
￥1.97
1000+
￥1.86

有货

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型号：MOC3062M 编号：C8919

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

数据手册

1+
￥3.8
10+
￥3.1
50+
￥2.75
100+
￥2.41
500+
￥2.2
1000+
￥2.1

有货

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型号：TLP250HF(UMW) 编号：C53109742

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

1+
￥3.93
10+
￥3.15
45+
￥2.77
90+
￥2.38
495+
￥2.15

有货

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型号：TLP290-4(V4GBTPE 编号：C2961982

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 - 4由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4保证能在较宽的工作温度范围ΔTa = -55至110 °C内正常工作，因此它适用于诸如可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥4.27
10+
￥3.46
30+
￥3.06
100+
￥2.65
500+
￥2.09
1000+
￥1.97

有货

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型号：APY217S 编号：C42444466

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光继电器具有以下明显优势：长寿命（机械和电气寿命无限制）、无弹跳开关、更高的速度和高频开关、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗EMI或RF干扰、无电弧、无弹跳和无噪音、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小。