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首页 > 热门关键词 > 东芝光耦
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描述
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特性:小型、薄型封装。 高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 9.4 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 11.3 mΩ(典型值) (V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_HSS = 10 μA(最大值) (V_DS = 100 V)。 增强模式:V_th = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
  • 1+

    ¥3.63
  • 10+

    ¥2.9
  • 30+

    ¥2.53
  • 100+

    ¥2.16
  • 500+

    ¥1.95
  • 1000+

    ¥1.83
  • 有货
  • TC74HCT7007A 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 缓冲器。它在保持 CMOS 低功耗的同时,能实现与等效 LSTTL 类似的高速运行。该器件可用作电平转换器,用于 TTL 或 NMOS 与高速 CMOS 的接口连接
    • 1+

      ¥3.81
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      ¥3.36
    • 30+

      ¥3.13
    • 100+

      ¥2.91
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      ¥2.77
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      ¥2.7
  • 有货
    • 1+

      ¥3.98
    • 10+

      ¥3.23
    • 30+

      ¥2.86
    • 100+

      ¥2.48
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      ¥2.26
    • 1000+

      ¥2.15
  • 有货
  • TB67H450FNG是一款PWM斩波型直流有刷电机驱动器,内置一个通道的电机输出模块。该器件采用BiCD工艺制造,额定输出电压为50V,最大电流为3.5A。
    • 1+

      ¥3.99
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      ¥3.19
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      ¥2.78
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      ¥2.39
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      ¥2.15
    • 1000+

      ¥2.03
  • 有货
  • 74VHC32FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS二输入或门。它能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。
    • 1+

      ¥4.18
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      ¥3.73
    • 30+

      ¥3.51
    • 100+

      ¥3.28
    • 500+

      ¥3.15
    • 1000+

      ¥3.08
  • 有货
  • 新产品,超小体积,ULN2803升级品,场效应管作输出管,管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.51
    • 10+

      ¥3.64
    • 30+

      ¥3.21
    • 100+

      ¥2.78
    • 500+

      ¥2.53
  • 有货
  • TC74VHC595是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速8位移位寄存器/锁存器。它在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。TC74VHC595包含一个8位静态移位寄存器,该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据
    数据手册
    • 1+

      ¥4.98
    • 10+

      ¥3.99
    • 30+

      ¥3.49
    • 100+

      ¥3
    • 500+

      ¥2.56
    • 1000+

      ¥2.41
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 10.6 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 50 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.2 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)。 增强模式:VTH = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用:高效DC-DC转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.03
    • 10+

      ¥4.08
    • 30+

      ¥3.61
    • 100+

      ¥3.14
    • 500+

      ¥2.86
  • 有货
    • 1+

      ¥5.71
    • 10+

      ¥4.59
    • 50+

      ¥3.87
    • 100+

      ¥3.31
    • 500+

      ¥2.98
    • 1000+

      ¥2.8
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 18 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 77 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.3 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 80 V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.07
    • 10+

      ¥5.45
    • 30+

      ¥5.11
    • 100+

      ¥4.73
    • 500+

      ¥4.56
    • 1000+

      ¥4.49
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 26 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.9 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IPASS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式:VDM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥6.17
    • 10+

      ¥4.98
    • 30+

      ¥4.38
    • 100+

      ¥3.79
    • 500+

      ¥3.44
  • 有货
  • 是多路复用器,具备选择和混合模拟信号与数字信号的能力。有不同的通道配置。控制终端的数字信号可使各通道的相应开关“导通”,大振幅 (VDD-VEE) 可由小逻辑振幅 (VDD-VSS) 的控制信号切换。例如,在 VDD = 5V、VSS = 0V 和 VEE = -5V 的情况下,-5V 至 +5V 之间的信号可由 5V 单电源逻辑电路切换。由于每个开关的导通电阻较低,可连接到低输入阻抗的电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.26
    • 10+

      ¥5.01
    • 30+

      ¥4.38
    • 100+

      ¥3.76
    • 500+

      ¥3.39
    • 1000+

      ¥3.19
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.0 mΩ(典型值)(VGS = -10V)。 低泄漏电流:IRSS = -10μA(最大值)(VDS = -40V)。 增强模式:VDD = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。应用:汽车。 电机驱动器
    • 1+

      ¥6.88
    • 10+

      ¥5.63
    • 30+

      ¥4.94
    • 100+

      ¥4.16
    • 500+

      ¥3.82
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.23Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:VtA = 3至4V(VDS = 10V,ID = 0.45mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.7024 ¥10.36
    • 10+

      ¥7.067 ¥9.55
    • 30+

      ¥5.7856 ¥9.04
    • 100+

      ¥5.4528 ¥8.52
    • 500+

      ¥5.2992 ¥8.28
    • 1000+

      ¥5.2352 ¥8.18
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.073Ω(典型值),采用超级结结构:DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.7 至 3.7V,VDS = 10V,ID = 1.5mA。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥12.0197 ¥15.61
    • 10+

      ¥11.0803 ¥14.39
    • 50+

      ¥10.4874 ¥13.62
    • 100+

      ¥9.8868 ¥12.84
    • 500+

      ¥9.6096 ¥12.48
    • 1000+

      ¥9.4941 ¥12.33
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.073Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.7至3.7V,VDS = 10V,ID = 1.5mA。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥13.61
    • 10+

      ¥12.45
    • 50+

      ¥11.18
    • 100+

      ¥10.44
    • 500+

      ¥10.1
  • 有货
  • TCB001HQ 是一款用于汽车音响应用的四通道 BTL 功率放大器。该集成电路具有纯互补 P 沟道和 N 沟道 DMOS 输出级,最大输出功率(POUT MAX)可达 45W。它包含一个待机开关、静音功能和多种保护特性。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.97
    • 10+

      ¥15.56
    • 30+

      ¥14.05
    • 100+

      ¥12.5
  • 有货
  • TB67S109AFNAG步进电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥31.53
    • 10+

      ¥27.51
    • 30+

      ¥22.03
    • 100+

      ¥19.61
  • 有货
  • 应用:超高速开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1462
    • 200+

      ¥0.1138
    • 600+

      ¥0.0958
    • 3000+

      ¥0.0805
  • 有货
  • 应用:ESD保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1711
    • 100+

      ¥0.1491
    • 300+

      ¥0.1381
    • 1000+

      ¥0.1298
    • 5000+

      ¥0.1232
  • 有货
  • 用于超高速开关应用,小封装,正向电压低,反向恢复时间快,总电容小。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1744
    • 200+

      ¥0.1339
    • 600+

      ¥0.1114
  • 有货
  • 特性:紧凑的2引脚封装。 适用于高密度安装。 低正向电压:VF(3) = 0.98V(典型值)。 快速反向恢复时间:trr = 1.6ns(典型值)。 小总电容:Crr = 0.3pF(典型值)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2135
    • 200+

      ¥0.1649
    • 600+

      ¥0.1379
    • 2000+

      ¥0.1217
  • 有货
  • 特性:低正向电压:VF(3) = 0.54V(典型值)。 低反向电流:IF(1) = 1μA(最大值)。 小型紧凑的ES0封装,相当于SOD-523和SC-79封装。应用:高速开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2311
    • 200+

      ¥0.1831
    • 600+

      ¥0.1591
    • 2000+

      ¥0.1411
  • 有货
  • 特性:低反向电流:IR(2) = 5 μA (max)。 通用USC封装,相当于SOD-323和SC-76封装。应用:高速开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2445
    • 200+

      ¥0.1912
    • 600+

      ¥0.1616
    • 3000+

      ¥0.1439
    • 9000+

      ¥0.1285
    • 21000+

      ¥0.1202
  • 有货
  • 应用:高速开关
    • 10+

      ¥0.2624
    • 100+

      ¥0.2304
    • 300+

      ¥0.2144
    • 1000+

      ¥0.2024
    • 5000+

      ¥0.1928
  • 有货
  • 特性:极低反向电流:IR(最大值)= 10 nA。 通过AEC-Q101认证。应用:通用整流器
    • 10+

      ¥0.3141
    • 100+

      ¥0.2448
    • 300+

      ¥0.2102
    • 1000+

      ¥0.1842
    • 5000+

      ¥0.1634
    • 8000+

      ¥0.153
  • 有货
  • 特性:低正向电压:VF(3) = 0.5V (最大值)。 薄而紧凑的封装:厚度 = 0.40mm (最大值)。应用:高速开关
    • 10+

      ¥0.3486
    • 100+

      ¥0.2718
    • 300+

      ¥0.2333
    • 1000+

      ¥0.2045
  • 有货
  • 总线缓冲器,具有三态输出
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3887
    • 100+

      ¥0.3109
    • 300+

      ¥0.2721
  • 有货
  • 特性:小封装。 低正向电压:VF(2) = 0.56V(典型值)(IF = 500mA)。应用:高速开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3937
    • 100+

      ¥0.3073
    • 300+

      ¥0.2641
    • 3000+

      ¥0.2317
  • 有货
  • 特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (max) (VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 300 mΩ (max) (VGS = 2.5 V)。 -RDS(ON) = 480 mΩ (max) (VGS = 1.8 V)。 -RDS(ON) = 840 mΩ (max) (VGS = 1.5 V)。应用:高速开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.409392 ¥0.5686
    • 50+

      ¥0.362664 ¥0.5037
    • 150+

      ¥0.339264 ¥0.4712
    • 500+

      ¥0.321696 ¥0.4468
    • 2500+

      ¥0.307728 ¥0.4274
    • 5000+

      ¥0.300672 ¥0.4176
  • 有货
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