东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TC7SZ126FE,LJ(CT 编号：C2675580

封装：SOT-553-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

带三态输出的总线缓冲器。

数据手册

5+
￥0.5064
50+
￥0.4404
150+
￥0.4074
500+
￥0.3827
2500+
￥0.3629

有货

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型号：TC7S14FU,LF 编号：C7032

封装：SOT-353-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7S14是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速C²MOS施密特反相器。它在保持C²MOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC7SU04F相同，但输入具有25% Vcc的滞后特性

数据手册

5+
￥0.5064
50+
￥0.4003
150+
￥0.3472
500+
￥0.3074

有货

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型号：TC7SZ125FE,LJ(CT 编号：C2676800

封装：SOT-553-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

总线缓冲器，具有三态输出

数据手册

5+
￥0.539
50+
￥0.469
150+
￥0.434
500+
￥0.4078
2500+
￥0.3868

有货

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型号：TC7SH17FU,LJ(CT 编号：C5156523

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

5+
￥0.584
50+
￥0.4598
150+
￥0.3976
500+
￥0.351
3000+
￥0.2982

有货

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型号：SSM3J56ACT,L3F 编号：C146297

封装：SOT-883-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(@VGS = -4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(@VGS = -2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(@VGS = -1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(@VGS = -1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(@VGS = -1.2V)。应用：高速开关

数据手册

5+
￥0.61028 ￥0.836
50+
￥0.538229 ￥0.7373
150+
￥0.50735 ￥0.695
500+
￥0.468806 ￥0.6422
2500+
￥0.451651 ￥0.6187
5000+
￥0.441358 ￥0.6046

有货

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型号：SSM3J331R,LF 编号：C3008600

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 150 mΩ（最大值）(@VGS = -1.5V)。RDS(ON) = 100 mΩ（最大值）(@VGS = -1.8V)。RDS(ON) = 75 mΩ（最大值）(@VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 55 mΩ（最大值）(@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥0.6616
50+
￥0.5721
150+
￥0.5337
500+
￥0.427592 ￥0.4859
3000+
￥0.408848 ￥0.4646
6000+
￥0.397584 ￥0.4518

有货

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型号：TC7S02F,LF 编号：C7121121

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：在VCC = 5V时，tpd = 7ns（典型值）。低功耗：在Ta = 25℃时，ICC = 1μA（最大值）。高抗噪性：VNI H = VNI L = 28%VCC（最小值）。输出驱动能力：5个LSTTL负载。对称输出阻抗：|IOH| = |IOL| = 2mA（最小值）。平衡传播延迟：tpLH ≡ tpHL。宽工作电压范围：VCC = 2至6V

5+
￥0.7437
50+
￥0.645
150+
￥0.6027
500+
￥0.5499

有货

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型号：SSM6N7002BFE,LM 编号：C17461588

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低导通电阻：RDS(ON) = 3.3Ω (max)(VGS = 4.5V)。低导通电阻：RDS(ON) = 2.6Ω (max)(VGS = 5V)。低导通电阻：RDS(ON) = 2.1Ω (max)(VGS = 10V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

5+
￥0.7722
50+
￥0.6042
150+
￥0.5202
500+
￥0.4572
2500+
￥0.4068

有货

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型号：2SC5692(TE85L,F) 编号：C194834

封装：2-3S1C

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hPE = 400 至 1000（IC = 0.3 A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.14 V（最大值）。高速开关：tf = 120 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.0267
50+
￥0.8896
150+
￥0.8308
500+
￥0.7575

有货

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型号：TC7WZ34FU,LJ(CT 编号：C7421353

封装：SOT-505

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：宽工作温度范围：Topr = -40 至 125℃。高输出电流：在 VCC = 3.0V 时为 ±24mA（最小值）。超高速运行：在 VCC = 5.0V、CL = 50pF 时，tpd = 2.4ns（典型值）。工作电压范围：VCC = 1.65 至 5.5V。 5.5V 容限输入。 5.5V 掉电保护输出。在 3.3VVCC 下运行时，性能与 TC74LCX 系列相匹配

5+
￥1.0607
50+
￥0.9452
150+
￥0.8957
500+
￥0.834
3000+
￥0.7115
6000+
￥0.695

有货

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型号：SSM3J374R,LF 编号：C7088717

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格（请参阅可订购的零件编号列表）。 4.0V栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 71mΩ（最大值）(@VGS =-10V)；RDS(ON) = 105mΩ（最大值）(@VGS =-4.5V)；RDS(ON) = 136mΩ（最大值）(@VGS =-4.0V)。应用：电源管理开关

5+
￥1.099
50+
￥0.8725
150+
￥0.7754
500+
￥0.6543

有货

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型号：74VHC541FT(BJ) 编号：C261919

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器 74VHC540FT：反相、三态输出 74VHC541FT：同相、三态输出 74VHC540FT/74VHC541FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速先进 CMOS 八进制总线缓冲器。

数据手册

5+
￥1.1208
50+
￥0.8688
150+
￥0.7608
500+
￥0.6261

有货

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型号：SSM3K341R,LF 编号：C2932178

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AFC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）(@VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.128
50+
￥0.8757
150+
￥0.7675
500+
￥0.6326

有货

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型号：CMS06(TE12L,Q,M) 编号：C261920

封装：SOD-128

品牌：TOSHIBA(东芝)

正向电压：VFM = 0.37V（最大值）平均正向电流：IF (AV) = 2.0A 重复峰值反向电压：VRRM = 30V 由于采用小型表面贴装封装M - FLATTM（东芝封装名称），适合紧凑型组装。

5+
￥1.1358
50+
￥0.8838
150+
￥0.7758
500+
￥0.6411

有货

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型号：74VHC123AFT(BJ) 编号：C262129

封装：TSSOP-16B

品牌：TOSHIBA(东芝)

双单稳态多谐振荡器 74VHC123AFT：可重触发；74VHC221AFT：不可重触发。74VHC123A/221AFT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 CMOS 单稳态多谐振荡器。

5+
￥1.3871
50+
￥1.0888
150+
￥0.9609
500+
￥0.8014

有货

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型号：CRS20I30B,LXGQ 编号：C22391508

封装：S-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：峰值正向电压：VFM = 0.45V （最大值）@IFM = 2 A。平均正向电流：IF(AV) = 2 A。重复峰值反向电压：VRRM = 30V。小而薄的封装，适用于高密度电路板组装东芝昵称：S-FLAT。应用：开关稳压器中的二次整流。移动设备中的反向电流保护

5+
￥1.4151
50+
￥1.2261
150+
￥1.1451
500+
￥1.044
3000+
￥0.999
6000+
￥0.972

有货

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型号：CUHZ16V,H3F 编号：C7236804

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。 VZ的典型电压符合E24系列。应用：电压浪涌保护

5+
￥1.4485
50+
￥1.1228
150+
￥0.9833
500+
￥0.8092

有货

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型号：74VHC153FT(BJ) 编号：C150159

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC153FT是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS双4通道多路复用器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

数据手册

5+
￥1.5165 ￥1.685
50+
￥1.197 ￥1.33
150+
￥1.06002 ￥1.1778
500+
￥0.88911 ￥0.9879
2500+
￥0.81306 ￥0.9034
5000+
￥0.76734 ￥0.8526

有货

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型号：2SC2881-Y(TE12L,ZC 编号：C6077880

封装：TO-243AA

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电压：VCEO = 120V。高过渡频率：fr = 120MHz（典型值）。小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0W（安装在陶瓷基板上）。与2SA1201互补。应用：电压放大器应用。功率放大器应用

5+
￥1.5426
50+
￥1.2402
150+
￥1.1106
1000+
￥0.9489

有货

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型号：74LCX244FT(AE) 编号：C7421265

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压八进制总线缓冲器，输入和输出具有5V容限。是高性能CMOS八进制总线缓冲器，专为3.3V系统设计，在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC应用而设计，但可用于与5V电源环境进行输入和输出接口。是具有两个低电平有效输出使能的非反相三态缓冲器，设计用于与三态存储器地址驱动器等一起使用。所有输入均配备防静电放电保护电路。

5+
￥1.5803
50+
￥1.3913
150+
￥1.3103
500+
￥1.2092

有货

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型号：TA78L05F(TE12L,F) 编号：C4153784

封装：SOT-89-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：最适合为TTL/CMOS供电。无需外部组件。内置过热保护。内置过流保护。最大输出电流为150mA（Tj = 25℃）。采用PW-mini（SOT-89）封装

5+
￥1.6173
50+
￥1.3048
150+
￥1.1709
1000+
￥1.0038
2000+
￥0.9294

有货

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型号：74VHCT244AFT 编号：C5188726

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进的高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器，具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器，也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备用、热板插入等）而导致的器件损坏。

5+
￥1.6325
50+
￥1.3049
150+
￥1.1645
500+
￥0.9894

有货

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型号：2SJ168TE85LF 编号：C3279667

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：出色的开关时间：ton = 14 ns（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 100 mS（最小值），aID =-50 mA。低导通电阻：RDS(ON) = 1.3 Ω（典型值），aID =-50 mA。增强模式。与2SK1062互补。应用：高速开关应用。模拟开关应用

1+
￥1.95
10+
￥1.72
30+
￥1.62
100+
￥1.5
500+
￥1.45
1000+
￥1.41

有货

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型号：2SA1721-O(TE85L,F) 编号：C150150

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电压：VcBO = -300V。低饱和电压：VCE(sat) = -0.5V (max)。小集电极输出电容：Cob = 5.5 pF (typ.)。与2SC4497互补。应用：等离子显示器高压控制应用。数码管驱动应用

数据手册

5+
￥2.0066
50+
￥1.5559
150+
￥1.3628
500+
￥1.1218

有货

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型号：74VHC4040FT 编号：C2649406

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款先进的高速CMOS 12级二进制计数器/分频器，采用硅栅C2MOS技术制造。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。将CLR置为高电平可将计数器复位为低电平。CK输入的负跳变会使计数器加1。该计数器提供所有分频输出级，在Q12端将输出1/4096分频的频率。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可承受0至5.5V的电压。此器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如备用电池）的接口。该电路可防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。

数据手册

5+
￥2.1271
50+
￥1.6735
150+
￥1.4791
500+
￥1.2366

有货

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型号：74VHC240FT 编号：C2675657

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器 74VHC240FT：反相三态输出 74VHC244FT：同相三态输出 74VHC240FT 和 74VHC244FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。

数据手册

1+
￥2.16
10+
￥1.88
30+
￥1.76
100+
￥1.52
500+
￥1.46
1000+
￥1.41

有货

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型号：TPCP8901(TE85L,F) 编号：C7421360

封装：JPN

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥2.2096
50+
￥1.756
150+
￥1.5616
500+
￥1.319
3000+
￥1.211

有货

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型号：TK6A60D(STA4,X,S) 编号：C22438937

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 3.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

1+
￥2.36
10+
￥2.08
50+
￥1.94
100+
￥1.8
500+
￥1.72
1000+
￥1.68

有货

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型号：TC74HC74AF(EL,F) 编号：C6342366

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74HC74A是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速CMOS D触发器。它在保持CMOS低功耗特性的同时，能实现与等效LSTTL类似的高速运行。在时钟脉冲的上升沿期间，施加到D输入端的信号电平会传输到Q输出端

1+
￥2.37
10+
￥2.1
30+
￥1.98
100+
￥1.84
500+
￥1.77
1000+
￥1.73

有货

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型号：TC74AC245FT(EL) 编号：C5331544

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

是先进的高速CMOS八进制总线收发器，采用硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗。用于数据总线之间的双向异步通信，数据传输方向由DIR输入电平决定。使能输入 (G(overline)) 可用于禁用设备，使总线有效隔离。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

数据手册

1+
￥3.35
10+
￥2.99
30+
￥2.81
100+
￥2.63
500+
￥2.52
1000+
￥2.47

有货

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海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

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提示