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低噪声双/四运算放大器

型号：MC33078DR2G 编号：C7299

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33078/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列，运用创新高性能理念，适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频PNP输入晶体管，使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全NPN输出级无死区交越失真，输出电压摆幅大，相位和增益裕度出色，开环高频输出阻抗低，源极和漏极交流频率性能对称。MC33078/9系列提供双放大器和四放大器版本，采用塑料DIP和SOIC封装（后缀为P和D）。

数据手册

5+
￥1.0124
50+
￥0.7999
150+
￥0.7089
500+
￥0.5953
2500+
￥0.5447
5000+
￥0.5143

有货

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耐压:600V 电流:500mA

型号：MB6S 编号：C82584

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是 0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些特性使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，甚至更高的浪涌能力，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

数据手册

5+
￥1.7273
50+
￥1.38
150+
￥1.2312
500+
￥1.0454
3000+
￥0.8963
6000+
￥0.8466

有货

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64 Kb I2C 接口，CMOS 串行 EEPROM

型号：CAT24C64WI-GT3 编号：C13645

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C64 是一款 64-kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

数据手册

5+
￥2.052
50+
￥1.5987
150+
￥1.4045
500+
￥1.1621
3000+
￥1.0542
6000+
￥0.9894

有货

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7.6V~30V

型号：UC2843BD1R2G 编号：C59197

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的经济高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。此外，还包括了保护功能，其中包含输入和参考欠压锁定且每个都带有迟滞、逐周期电流限制、可编程输出停滞时间以及用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有用于图腾柱输出级的单独电源和接地引脚。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），非常适用于离线转换器。UCX843B 专门用于 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压应用。

数据手册

5+
￥2.1377
50+
￥1.7326
150+
￥1.559
500+
￥1.1425
2500+
￥1.046
5000+
￥0.9881

有货

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工业电感负载驱动器

型号：SZNUD3160LT1G 编号：C894717

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此微型集成器件提供了单组件方案，可用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

数据手册

5+
￥2.1991
50+
￥1.6968
150+
￥1.4816
500+
￥1.1532
3000+
￥1.0336
6000+
￥0.9618

有货

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低功耗、低噪声运算放大器

型号：MC33179DR2G 编号：C153743

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33178/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器产品系列，运用了创新的高性能理念，适用于优质音频和数据信号处理应用。该器件系列采用高频PNP输入晶体管，使放大器具备低输入失调电压、低噪声和低失真的特性。此外，该放大器每个放大器仅消耗420 μA的漏极电流，同时还具备高输出电流驱动能力

数据手册

5+
￥2.2929
50+
￥1.775
150+
￥1.5676
500+
￥1.3087
2500+
￥1.1934
5000+
￥1.1242

有货

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256 Kb串行SPI EEPROM

型号：CAT25256VI-GT3 编号：C238492

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件，内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品（修订版E）。

数据手册

1+
￥3.3
10+
￥2.64
30+
￥2.35
100+
￥2
500+
￥1.71
1000+
￥1.61

有货

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升压型 1.5A 3V~40V

型号：MC33063ADR2G 编号：C7296

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款单片控制电路，包含直流到直流转换器所需的主要功能。这些器件包括内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和大电流输出开关。该系列专为在降压、升压和电压反转应用中使用最少的外部元件而设计。

数据手册

1+
￥3.77
10+
￥3.08
30+
￥2.78
100+
￥2.41
500+
￥1.77
1000+
￥1.67

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:0.2A 停产

型号：FQT1N60CTF-WS 编号：C258152

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用专有平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥4.39
10+
￥3.62
30+
￥3.24
100+
￥2.86
500+
￥2.63
1000+
￥2.51

有货

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512 Kb I2C CM0S 串行 EEPROM

型号：CAT24C512YI-GT3 编号：C56096

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512 是一款 EEPROM 串行 512-Kb I2C，内部组织为 65,536 个词，每个词 8 位。它具有 128 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

数据手册

1+
￥4.83
10+
￥3.92
30+
￥3.47
100+
￥3.02
500+
￥2.59
1000+
￥2.45

有货

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256位置I2C兼容数字电位器

型号：CAT5171TBI-50GT3 编号：C154777

封装：SOT-23-8

品牌：onsemi(安森美)

50K ±20% I2C，数字电位芯片

数据手册

1+
￥7.11
10+
￥5.83
30+
￥5.19
100+
￥4.56
500+
￥3.95
1000+
￥3.76

有货

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耐压:1.2kV 电流:75A 反向恢复时间：100ns

型号：RHRG75120 编号：C11773

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRG75120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

数据手册

1+
￥15.21
10+
￥13.04
30+
￥10.91
90+
￥9.52
450+
￥8.9
900+
￥8.62

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:5uA@1V

型号：BZX84C3V3LT1G 编号：C82473

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.1884
200+
￥0.1568
600+
￥0.1392
3000+
￥0.1225
9000+
￥0.1134
21000+
￥0.1084

有货

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独立式耐压:1.8V 电流:7.5uA@1V

型号：MMSZ4678T1G 编号：C36599

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

1.8V 0.5W

数据手册

20+
￥0.2343
200+
￥0.1826
600+
￥0.1539
3000+
￥0.135
9000+
￥0.1201
21000+
￥0.112

有货

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1个N沟道耐压:25V 电流:0.22A

型号：FDV301N 编号：C15310

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

数据手册

10+
￥0.2667
100+
￥0.2127
300+
￥0.1887
1500+
￥0.1421
4500+
￥0.1349
10500+
￥0.13

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:10uA@3V

型号：MMSZ4689T1G 编号：C236187

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。宽齐纳反向电压范围：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50μA。封装设计适合优化自动化电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级 (>16kV)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

20+
￥0.2862
200+
￥0.2333
600+
￥0.2069
6000+
￥0.167
12000+
￥0.1511
18000+
￥0.1432

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:7.5uA@1.5V

型号：MMSZ4684T1G 编号：C24672

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

提供了三种齐纳二极管系列，采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。

数据手册

10+
￥0.288
100+
￥0.2394
300+
￥0.2151
3000+
￥0.1732
6000+
￥0.1586
9000+
￥0.1513

有货

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PNP 电流:500mA 电压:45V

型号：BC807-40LT1G 编号：C82369

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2996
100+
￥0.2442
300+
￥0.2165
3000+
￥0.1787
6000+
￥0.1621
9000+
￥0.1537

有货

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单路2输入与门

型号：NL17SZ08DFT2G 编号：C150234

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ08 是一款单路 2 输入与门，有三种超小尺寸封装。该器件在速度和驱动能力方面的表现与 LCX 多门产品相当

数据手册

10+
￥0.3143
100+
￥0.2557
300+
￥0.2265
3000+
￥0.1557
6000+
￥0.1381
9000+
￥0.1294

有货

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独立式耐压:18V 电流:50nA@12.6V

型号：BZX84C18LT1G 编号：C82474

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

10+
￥0.3449
100+
￥0.2788
300+
￥0.2457
3000+
￥0.2135
6000+
￥0.1937
9000+
￥0.1837

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:154mA

型号：NTA7002NT1G 编号：C145524

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET 30 V，154 mA，单，N 沟道，门极 ESD 保护，SC-75

数据手册

10+
￥0.3571
100+
￥0.2895
300+
￥0.2557
3000+
￥0.2232
6000+
￥0.2029
9000+
￥0.1927

有货

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1kV 1A

型号：1N4007G 编号：C232439

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

该款标准整流器适合通用及低功率应用。

数据手册

10+
￥0.3622
100+
￥0.2975
300+
￥0.2651
1000+
￥0.2292
5000+
￥0.2098
10000+
￥0.2

有货

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PNP 电流:600mA 电压:150V

型号：2N5401YBU 编号：C896648

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：集电极-发射极电压：VCEO = 150V。集电极耗散功率：PC(max) = 625mW。后缀 “-C” 表示反集电极

数据手册

5+
￥0.551
50+
￥0.4422
150+
￥0.3877
1000+
￥0.3469
2000+
￥0.2908
5000+
￥0.2745

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:3.2A

型号：NTR4501NT1G 编号：C85416

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,20V,3.2A,80mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.6102
50+
￥0.4854
150+
￥0.423
500+
￥0.3761
3000+
￥0.3387
6000+
￥0.32

有货

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电压:20V 电流:1A

型号：MBR120VLSFT1G 编号：C223608

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用大面积金属 - 硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管。与无引脚34封装形式相比，这种封装也更易于操作

数据手册

5+
￥0.809
50+
￥0.6418
150+
￥0.5502
500+
￥0.4876
3000+
￥0.4374
6000+
￥0.4123

有货

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1.2V~37V 100mA 40V

型号：LM317LBDR2G 编号：C274645

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款可调的三端正电压调节器，能够在1.2 V至37 V的输出电压范围内提供超过100 mA的电流。这款电压调节器非常易于使用，只需两个外部电阻即可设置输出电压。此外，它采用了内部电流限制、热关断和安全区域补偿，使其基本不会出现熔断问题。可用于多种应用，包括本地、板载调节。该器件还可用于制作可编程输出调节器，或者通过在调节端和输出端之间连接一个固定电阻，可作为精密电流调节器使用。

数据手册

5+
￥0.8438
50+
￥0.6715
150+
￥0.5854
500+
￥0.5208
2500+
￥0.4691
5000+
￥0.4432

有货

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耐压:600V 电流:2A 反向恢复时间：75ns

型号：MURS260T3G 编号：C111834

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或在对尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中作为续流和保护二极管。

数据手册

5+
￥0.8834
50+
￥0.7106
150+
￥0.6242
500+
￥0.5594
2500+
￥0.5076
5000+
￥0.4816

有货

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耐压:600V 电流:2A 反向恢复时间：75ns

型号：MURA160T3G 编号：C50432

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.0767
50+
￥0.9082
150+
￥0.8239
500+
￥0.7607
2500+
￥0.5402
5000+
￥0.5149

有货

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电压:40V 电流:2A

型号：SS24FL 编号：C894433

封装：SOD-123F

品牌：onsemi(安森美)

特性：超薄外形：最大高度1.08mm。 UL可燃性94V-0分类。 MSL-1。绿色模具化合物。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.0976
50+
￥0.891
150+
￥0.8024
500+
￥0.6919
3000+
￥0.5792
6000+
￥0.5496

有货

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B后缀系列CMOS门电路

型号：MC14081BDR2G 编号：C52342

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

B系列逻辑门采用P沟道和N沟道增强型器件构建在单一的单片结构中（互补金属氧化物半导体，即CMOS）。它们主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。

数据手册

5+
￥1.1921
50+
￥0.9401
150+
￥0.8321
500+
￥0.6974
2500+
￥0.6374
5000+
￥0.6013

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

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