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型号：BZX84C3V3LT1G 编号：C82473

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.2424
200+
￥0.2014
600+
￥0.1787
3000+
￥0.157
9000+
￥0.1451
21000+
￥0.1388

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型号：BAS40-04LT1G 编号：C78265

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。

数据手册

20+
￥0.2453
200+
￥0.194
600+
￥0.1655
3000+
￥0.1369
9000+
￥0.1221
21000+
￥0.1141

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型号：MMBZ27VALT1G 编号：C41376

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

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10+
￥0.2823
100+
￥0.214
300+
￥0.1799
3000+
￥0.1543
6000+
￥0.1339
9000+
￥0.1236

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型号：RB520S30T1G 编号：C154821

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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20+
￥0.2842
200+
￥0.2361
600+
￥0.2093
3000+
￥0.1846
9000+
￥0.1707
21000+
￥0.1632

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型号：NC7WZ16P6X 编号：C114148

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

NC7WZ16 是安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列双逆变器。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。

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10+
￥0.3203
100+
￥0.2567
300+
￥0.2248
3000+
￥0.201
6000+
￥0.1819
9000+
￥0.1724

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型号：MMBF170LT1G 编号：C28871

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，500 mA，60 V，N 沟道，SOT?23

数据手册

10+
￥0.3638
100+
￥0.2839
300+
￥0.244
3000+
￥0.2141
6000+
￥0.1901
9000+
￥0.1781

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型号：NC7WZ17P6X 编号：C81546

封装：SOT-363-6

品牌：onsemi(安森美)

带施密特触发器输入的 TinyLogic UHS 双通道缓冲器

数据手册

10+
￥0.3959
100+
￥0.3086
300+
￥0.2649
3000+
￥0.2322
6000+
￥0.206
9000+
￥0.1929

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型号：MMUN2233LT1G 编号：C86932

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。

数据手册

10+
￥0.4392
100+
￥0.3568
300+
￥0.3156
3000+
￥0.2846
6000+
￥0.2599
9000+
￥0.2475

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型号：SM05T1G 编号：C111172

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

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5+
￥0.5334
50+
￥0.4274
150+
￥0.3745
500+
￥0.3347
3000+
￥0.3029
6000+
￥0.287

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型号：BSS138K 编号：C255592

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，0.22A，1.6Ω

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5+
￥0.575
50+
￥0.4742
150+
￥0.4238
500+
￥0.386
3000+
￥0.3149
6000+
￥0.2998

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型号：NTR4501NT1G 编号：C85416

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,20V,3.2A,80mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.7183
50+
￥0.5714
150+
￥0.4979
500+
￥0.4428
3000+
￥0.3987
6000+
￥0.3766

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型号：SS16T3G 编号：C113257

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.7328
50+
￥0.5712
150+
￥0.4904
500+
￥0.4297
2500+
￥0.3813
5000+
￥0.357

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型号：MURS120T3G 编号：C36610

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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5+
￥0.8058
50+
￥0.6326
150+
￥0.5461
500+
￥0.4604
2500+
￥0.4085
5000+
￥0.3825

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型号：LM293DR2G 编号：C99582

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM393系列是双路独立精密电压比较器，可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源供电时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子众多应用的理想选择。

数据手册

5+
￥0.8085
50+
￥0.6488
150+
￥0.5689
500+
￥0.5091
2500+
￥0.3766
5000+
￥0.3527

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型号：NDS331N 编号：C192741

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

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5+
￥1.0253
50+
￥0.8007
150+
￥0.7045
500+
￥0.5845
3000+
￥0.531
6000+
￥0.499

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型号：MC74HC14ADR2G 编号：C152545

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC14A的引脚排列与LS14、LS04和HC04相同。该器件的输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，可与LSTTL输出兼容。HC14A可有效改善缓慢的输入信号上升和下降时间，使波形更接近方波

数据手册

5+
￥1.3001
50+
￥1.0078
150+
￥0.8825
500+
￥0.7262
2500+
￥0.6566
5000+
￥0.6149

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型号：MMBFJ175LT1G 编号：C133304

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

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5+
￥1.5487
50+
￥1.2355
150+
￥1.1012
500+
￥0.9337
3000+
￥0.7713
6000+
￥0.7266

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型号：CAT24C08WI-GT3 编号：C80801

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C08 是一款 EEPROM 串行 8-Kb I2C 器件，内部组织为 64 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多两个 CAT24C08 器件的寻址。

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5+
￥1.7468
50+
￥1.3766
150+
￥1.2179
500+
￥0.9411
3000+
￥0.8529
6000+
￥0.8

有货

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型号：CAT24C16WI-GT3 编号：C81197

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C16 是一款 EEPROM 串行 16-Kb I2C 器件，内部组织为 128 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多一个 CAT24C16 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.7562
50+
￥1.3782
150+
￥1.2162
500+
￥1.0141
3000+
￥0.8491
6000+
￥0.7951

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型号：FDS4435BZ 编号：C23931

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

5+
￥2.1463
50+
￥1.7683
150+
￥1.6063
500+
￥1.4042
2500+
￥1.3142
5000+
￥1.2602

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型号：MC33179DR2G 编号：C153743

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33178/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器产品系列，运用了创新的高性能理念，适用于优质音频和数据信号处理应用。该器件系列采用高频PNP输入晶体管，使放大器具备低输入失调电压、低噪声和低失真的特性。此外，该放大器每个放大器仅消耗420 μA的漏极电流，同时还具备高输出电流驱动能力

数据手册

5+
￥2.1788
50+
￥1.6628
150+
￥1.4561
500+
￥1.1982
2500+
￥1.0834
5000+
￥1.0145

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型号：CAT24C128WI-GT3 编号：C81195

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C128是一款128 kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为16,384个8位字。它具有64字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增强（1 MHz）I²C协议。

数据手册

1+
￥2.41
10+
￥1.88
30+
￥1.66
100+
￥1.38
500+
￥1.25
1000+
￥1.18

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型号：CAT25256VI-GT3 编号：C238492

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件，内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品（修订版E）。

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