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MCT6W
型号：MCT6W 编号：C899752
封装：DIP-8
品牌：onsemi(安森美)
MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。
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  • 单价：

    ￥1.92852 / 个
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AC,DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11AA4TVM 编号：C899434
封装：PDIP-6
品牌：onsemi(安森美)
H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。
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    ￥1.96056 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):5000V
型号：MCT623S 编号：C899747
封装：SMD-8P
品牌：onsemi(安森美)
MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。
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    ￥2.03976 / 个
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AC,DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11AA4SVM 编号：C899433
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。
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    ￥1.87884 / 个
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AC,DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11AA4VM 编号：C899435
封装：PDIP-6
品牌：onsemi(安森美)
H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。
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    ￥1.81344 / 个
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AC,DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11AA1SVM 编号：C899428
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。
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    ￥1.91148 / 个
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AC,DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11AA1VM 编号：C899430
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。
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    ￥1.87884 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11G2VM 编号：C899472
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。
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    ￥2.02632 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):2500V
型号：MOCD217R2VM 编号：C904295
封装：SOIC-8
品牌：onsemi(安森美)
MOCD217M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。
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DC输入 隔离电压(rms):5000V
型号：FOD852300W 编号：C900933
封装：DIP-4
品牌：onsemi(安森美)
FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。
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    ￥2.0604 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):5000V
型号：MCT61SD 编号：C899745
封装：SMD-8P
品牌：onsemi(安森美)
MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅平面光电晶体管。
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    ￥2.1054 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11AV1VM 编号：C899444
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。
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    ￥1.36596 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):5000V
型号：MCT623SD 编号：C899748
封装：SMD-8P
品牌：onsemi(安森美)
MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。
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    ￥2.28396 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):2500V
型号：MOCD207VM 编号：C891769
封装：SOIC-8
品牌：onsemi(安森美)
MOCD207M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。
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    ￥2.09424 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):2500V
型号：MOCD207D2M 编号：C904292
封装：SOIC-8
品牌：onsemi(安森美)
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    ￥2.39988 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11D1SM 编号：C899450
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11G1SR2VM 编号：C899467
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。
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    ￥2.24268 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11G2SR2VM 编号：C899470
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。
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    ￥2.0226 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11AV1SR2VM 编号：C899443
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。
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    ￥1.52256 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):2500V
型号：MOC205M 编号：C891759
封装：SOIC-8
品牌：onsemi(安森美)
此类器件由光耦合到单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。
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    ￥1.46868 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11D1SR2VM 编号：C899451
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。
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    ￥2.43684 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：H11AG1VM 编号：C899439
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
H11AG1M 系列包含一个与采用双列直插封装的硅光电晶体管耦合的砷铝镓红外发光二极管。此器件在低输出电压和低输入电流下具有高电流传输比的独特功能。该功能使其非常适用于低功率逻辑电路，电信设备和便携式电子隔离应用
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  • 单价：

    ￥2.67084 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：MOC8021SR2M 编号：C899880
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。
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    ￥5.48

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    ￥2.12

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    ￥2.05

  • 1000+

    ￥2.01
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    预售商品
    高压光电达林顿光耦合器
    型号：H11G1300W 编号：C17522632
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)

    • 1+

      ￥5.59

    • 200+

      ￥2.24

    • 500+

      ￥2.16

    • 1000+

      ￥2.12
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    预售商品
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：MCT5211TVM 编号：C899742
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MCT52XXM 系列在六引脚双列直插封装内包括一个与 NPN 光电晶体管耦合的高能效 AlGaAs 红外发光二极管。MCT52XXM 适用于 CMOS 与 LSTT/TTL 的接口，提供 250% CTR CE(SAT)，LED 输入电流为 1mA。提供 1.6mA 的 LED 输入电流时，数据速率可达 20K bits/s。MCT52XXM 可将 LSTTL 轻松接口 LSTTL/ TTL，使用外部基极-射极电阻时，数据速率可达 100K bits/s。
    数据手册

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      ￥2.90304 / 个
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    预售商品
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：H11AG1SR2M 编号：C899437
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    H11AG1M 系列包含一个与采用双列直插封装的硅光电晶体管耦合的砷铝镓红外发光二极管。此器件在低输出电压和低输入电流下具有高电流传输比的独特功能。该功能使其非常适用于低功率逻辑电路，电信设备和便携式电子隔离应用
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      ￥2.98068 / 个
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    HCPL0701V
    型号：HCPL0701V 编号：C891335
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    HCPL-0700、HCPL-0701、HCPL-0730 和 HCPL-0731 光耦合器包括一个与高增益分离达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED，采用紧凑型 8 引脚小外形封装。HCPL-0730 和 HCPL-0731 器件每个封装有两个沟道，可实现最佳安装密度。该分离达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。
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      ￥3.22116 / 个
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    预售商品
    4引脚高工作温度光电晶体管光耦合器
    型号：FOD617B 编号：C17510032
    封装：DIP-4
    品牌：onsemi(安森美)

    • 单价：

      ￥0.81492 / 个
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    预售商品
    FOD2712R2
    型号：FOD2712R2 编号：C21169965
    封装：-
    品牌：onsemi(安森美)

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    预售商品
    FOD2712R2V
    型号：FOD2712R2V 编号：C21792969
    封装：-
    品牌：onsemi(安森美)

    • 1+

      ￥7.19

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      ￥2.87

    • 500+

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