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DC输入 隔离电压(rms):3750V
型号：HMHA2801BR2 编号：C903769
封装：SOIC-4-175mil
品牌：onsemi(安森美)
HMHA281、HMHA2801 系列包括一个砷化镓红外发光二极管，用以驱动紧凑型 4 引脚微型扁平封装中的硅光电晶体管。 引线间距为1.27mm。
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    ￥1.37964 / 个
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预售商品
4引脚半间距迷你扁平光电晶体管光耦合器
型号：HMHA2801AR3V 编号：C20884068
封装：-
品牌：onsemi(安森美)

  • 1+

    ￥2.932

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    ￥1.1699

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    ￥1.1308

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    ￥1.1115
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    预售商品
    4引脚半间距迷你扁平光电晶体管光耦合器
    型号：HMHA2801AR3 编号：C21015844
    封装：-
    品牌：onsemi(安森美)

    • 1+

      ￥2.932

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    预售商品
    DC输入 隔离电压(rms):2500V
    型号：MOC217R2VM 编号：C904289
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    这些器件由光耦合到单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。
    数据手册

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    DC输入 隔离电压(rms):2500V
    型号：MOC216R2M 编号：C904287
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    这些器件由砷化镓红外线发光二极管组成，二极管以光学方式耦合到单片硅光电晶体管检测器上，采用可表面帖装的小型塑料封装。 它们非常适合高密度应用，并且无需通过电路板安装。
    数据手册

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    HMHAA280R4
    型号：HMHAA280R4 编号：C22009664
    封装：-
    品牌：onsemi(安森美)

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      ￥3.0108

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    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：H11A1SR2VM 编号：C899424
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。
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      ￥1.45212 / 个
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    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：4N36SR2M 编号：C898971
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。
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      ￥1.38996 / 个
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    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：4N37SR2M 编号：C898973
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。
    数据手册

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      ￥1.39224 / 个
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    4引脚半间距迷你扁平光电晶体管光耦合器
    型号：HMHA2801AR4V 编号：C21909254
    封装：-
    品牌：onsemi(安森美)

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    6-PIN DIP光耦合器，用于电源应用
    型号：MOC8113300 编号：C17349318
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)

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    预售商品
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：CNY17F1SR2VM 编号：C899091
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。
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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：HMHA281R4V 编号：C903774
    封装：-
    品牌：onsemi(安森美)
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    预售商品
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：CNY174SR2VM 编号：C899084
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。
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    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：CNY172SR2VM 编号：C899074
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。
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      ￥1.54908 / 个
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    DC输入 隔离电压(rms):2500V
    型号：MOC205R2VM 编号：C904284
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此类器件由光耦合到单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。
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    DC输入 隔离电压(rms):2500V
    型号：MOC211R2VM 编号：C904286
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此类器件由光耦合到单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。
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    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：MOC8021SM 编号：C899879
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。
    数据手册

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    预售商品
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：MOC8050VM 编号：C899883
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。
    数据手册

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      ￥1.60092 / 个
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    预售商品
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：H11B1VM 编号：C899449
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。
    数据手册

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      ￥1.63152 / 个
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    预售商品
    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：FODM352R2 编号：C605166
    封装：MFP-4
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

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      ￥2.34528 / 个
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    预售商品
    DC输入 隔离电压(rms):2500V
    型号：MOCD213R2VM 编号：C904294
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    MOCD213M 器件包含两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。
    数据手册

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      ￥1.98168 / 个
    我要订货
    预售商品
    HMHAA280V
    型号：HMHAA280V 编号：C891340
    封装：SO-4-175mil
    品牌：onsemi(安森美)
    HMHAA280 包括两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管，用于驱动一个硅光电晶体管，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 1.27mm。
    数据手册

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      ￥1.49208 / 个
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    预售商品
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：H11G2TVM 编号：C899471
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。
    数据手册

    • 单价：

      ￥2.049 / 个
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    预售商品
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：4N30SR2M 编号：C898956
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。
    数据手册

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      ￥1.53144 / 个
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    预售商品
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：H11B1SR2VM 编号：C899448
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。
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      ￥1.77924 / 个
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：MCT6S 编号：C899750
    封装：SMD-8P
    品牌：onsemi(安森美)
    MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。
    数据手册

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      ￥1.84692 / 个
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    预售商品
    AC,DC输入 隔离电压(rms):2500V
    型号：MOC256R2M 编号：C904291
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC256M 是一款交流输入光电晶体管光耦合器。该器件包括两个防并联联接的红外发光二极管，与硅 NPN 光电晶体管检测器进行耦合。它适用于需要检测或监控交流信号的应用。该器件使用标准的 SOIC-8 构造。
    数据手册

    • 单价：

      ￥1.82892 / 个
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    预售商品
    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：FODM1008 编号：C900937
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：onsemi(安森美)
    FODM100x 系列，单通道，直流感应输入，光耦合器包括一个砷化镓红外线放射晶体管，与光耦合至一个光电晶体管，采用 SOP 4 引脚的延展体封装。 输入输出隔离电压 VISO 额定值为 5,000 VACRMS。
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      ￥1.03884 / 个
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    预售商品
    AC,DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：HMHAA280R2V 编号：C903775
    封装：SOIC-4-175mil
    品牌：onsemi(安森美)
    HMHAA280 包括两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管，用于驱动一个硅光电晶体管，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 1.27mm。
    数据手册

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