安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：FGH60N60SMD 编号：C50649

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

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1+
￥19.85
10+
￥16.82
30+
￥15.02
90+
￥13.2
450+
￥12.36
900+
￥11.98

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型号：BAS16HT1G 编号：C131148

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。

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20+
￥0.1382
200+
￥0.1085
600+
￥0.092
3000+
￥0.0793
9000+
￥0.0707
21000+
￥0.066

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型号：BC847CLT1G 编号：C150094

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：湿度敏感度等级：1-ESD 等级。人体模型：>4000V。机器模型：>400V。 S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准

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20+
￥0.1463
200+
￥0.117
600+
￥0.1008
3000+
￥0.0881
9000+
￥0.0796
21000+
￥0.075

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型号：MMBTA06LT1G 编号：C77760

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.1887
200+
￥0.1465
600+
￥0.1231
3000+
￥0.0988
9000+
￥0.0866
21000+
￥0.08

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型号：MMSZ15T1G 编号：C27754

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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10+
￥0.2373
100+
￥0.1869
300+
￥0.1617
3000+
￥0.1428
6000+
￥0.1276
9000+
￥0.1201

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型号：BAT54SWT1G 编号：C78260

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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20+
￥0.2493
200+
￥0.1947
600+
￥0.1643
3000+
￥0.1326
9000+
￥0.1168
21000+
￥0.1083

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型号：MMBZ5V6ALT1G 编号：C123251

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

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10+
￥0.286
100+
￥0.2342
300+
￥0.2083
3000+
￥0.1691
6000+
￥0.1535
9000+
￥0.1458

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型号：BC817-40LT1G 编号：C94412

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.2875
200+
￥0.2281
600+
￥0.1985
3000+
￥0.1762
9000+
￥0.1584
21000+
￥0.1495

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型号：MM3Z3V3T1G 编号：C75073

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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20+
￥0.2885
200+
￥0.2242
600+
￥0.1885
3000+
￥0.167
9000+
￥0.1485
21000+
￥0.1384

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型号：2N7002 编号：C124475

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计可在最大程度减少导通电阻的同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。2N7002可用于需要高达400mA直流电的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。本产品特别适合于低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

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10+
￥0.3411
100+
￥0.2719
300+
￥0.2373
3000+
￥0.2114
6000+
￥0.1906
9000+
￥0.1802

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型号：MMBD4148SE 编号：C73223

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

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10+
￥0.4263
100+
￥0.3413
300+
￥0.2988
3000+
￥0.23
6000+
￥0.2045
9000+
￥0.1918

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型号：BSS123 编号：C513249

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

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10+
￥0.4323
100+
￥0.3466
300+
￥0.3038
3000+
￥0.2717
6000+
￥0.246
9000+
￥0.2331

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型号：NTJD4001NT1G 编号：C190019

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

特性：低栅极电荷，实现快速开关。小尺寸封装，比TSOP-6小30%。栅极具备ESD保护。NVTJD4001N符合AEC Q101标准。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：低端负载开关。锂离子电池供电设备，如手机、个人数字助理、数码相机

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5+
￥0.5776
50+
￥0.4622
150+
￥0.4045
500+
￥0.3612
3000+
￥0.2939
6000+
￥0.2766

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型号：S1M 编号：C232826

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

S1A -S1M General-Purpose Rectifiers 是 1 A、P -I -N、SMA 整流器，具有优化的低泄漏、低电容和快速响应时间。在 1 A 时保持行业标准 VF 最大值 1.1 V 和 30 A 浪涌额定值。在系统电源效率至关重要的当今，这些优势可用于支持更高效率目标。

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5+
￥0.6035
50+
￥0.4699
150+
￥0.4031
500+
￥0.3531
2500+
￥0.2834
7500+
￥0.2633

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型号：RS1M 编号：C84573

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化结，适用于表面贴装应用。内置应力消除，适合自动贴片。 UL认证：证书编号E326243。这些器件无铅且符合RoHS标准

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5+
￥0.759
50+
￥0.5987
150+
￥0.5185
500+
￥0.4584
2500+
￥0.3781
7500+
￥0.3541

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型号：ES1J 编号：C232830

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低外形封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高

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5+
￥1.0808
50+
￥0.8709
150+
￥0.781
500+
￥0.6687
2500+
￥0.4961
7500+
￥0.4661

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型号：MC7805BDTRKG 编号：C110908

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

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5+
￥1.2912
50+
￥1.0311
150+
￥0.9197
500+
￥0.73
2500+
￥0.668
5000+
￥0.6309

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型号：CAT24C02TDI-GT3A 编号：C81340

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C02 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 16 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多八个 CAT24C02 器件的寻址。

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5+
￥1.3977
50+
￥1.123
150+
￥1.0053
500+
￥0.6878
3000+
￥0.6224
6000+
￥0.5832

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型号：MC14584BDR2G 编号：C53571

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14584B 六路施密特触发器是使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。MC14584B 可用来代替 MC14069UB 六路逆变器，以增强抗扰度，适应缓慢变化的波形。

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5+
￥1.4956
50+
￥1.2464
150+
￥1.1396
500+
￥0.7481
2500+
￥0.6887
5000+
￥0.6531

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型号：MBRS540T3G 编号：C31849

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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5+
￥1.5496
50+
￥1.2223
150+
￥1.0273
500+
￥0.8522
2500+
￥0.7743
5000+
￥0.7275

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型号：SZNUD3160LT1G 编号：C894717

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此微型集成器件提供了单组件方案，可用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

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5+
￥2.1991
50+
￥1.6968
150+
￥1.4816
500+
￥1.1532
3000+
￥1.0336
6000+
￥0.9618

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型号：CAT24M01WI-GT3 编号：C62273

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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