安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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描述

价格(含税)

库存

操作

DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD2741BSD 编号：C899230

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

数据手册

单价：
￥4.76028 / 个

我要订货

8引脚SOIC双通道光电晶体管输出光耦合器

型号：MOCD208VM 编号：C17625414

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥7.69
200+
￥3.07
500+
￥2.97
1000+
￥2.92

订货

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DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：FOD2712AV 编号：C891160

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A光隔离放大器包括流行的AZ431L精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。参考电压容差为1%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2712A时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用紧凑型8引脚小型封装。

数据手册

单价：
￥3.02784 / 个

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD2711AV 编号：C899224

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A 光隔离放大器由受欢迎的 AZ431L 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。参考电压容限为 1%。电流传输比 (CTR) 范围为 100% 至 200%。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2711A 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

数据手册

单价：
￥3.15552 / 个

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD2711ATV 编号：C899223

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A 光隔离放大器由受欢迎的 AZ431L 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。参考电压容限为 1%。电流传输比 (CTR) 范围为 100% 至 200%。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2711A 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

数据手册

单价：
￥3.15552 / 个

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H11AA4SDM

型号：H11AA4SDM 编号：C17527986

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥8.04
200+
￥3.21
500+
￥3.1
1000+
￥3.05

订货

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8引脚SOIC双通道光电晶体管输出光耦合器

型号：MOCD208R2VM 编号：C17541621

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥8.39
200+
￥3.35
500+
￥3.24
1000+
￥3.18

订货

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低输入电流光电晶体管光耦合器

型号：MCT5201SM 编号：C17278361

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥8.92
200+
￥3.56
592+
￥3.44
1184+
￥3.38

订货

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DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：FOD2742BV 编号：C891162

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2742 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个等级的参考耐压 = 2％、1％和 0.5％。电流传输率 (CTR) 范围介于 100％到 200％之间。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2742 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚小外形封装。

数据手册

单价：
￥3.58992 / 个

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DC输入隔离电压(rms):7500V

型号：H11F3SVM 编号：C899464

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

数据手册

单价：
￥3.6306 / 个

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DC输入隔离电压(rms):7500V

型号：H11F1TVM 编号：C899458

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM 系列由一个与对称双向硅光电检测器耦合的砷铝镓红外发光二极管组成。该检测器可与输入进行电气隔离，就好像一个理想隔离的 FET，适用于低电平交流和直流模拟信号的无失真控制。H11FXM 系列器件安装在双线内封装内。

数据手册

单价：
￥3.6306 / 个

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DC输入隔离电压(rms):7500V

型号：H11F1VM 编号：C899459

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM 系列由一个与对称双向硅光电检测器耦合的砷铝镓红外发光二极管组成。该检测器可与输入进行电气隔离，就好像一个理想隔离的 FET，适用于低电平交流和直流模拟信号的无失真控制。H11FXM 系列器件安装在双线内封装内。

数据手册

单价：
￥3.6306 / 个

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DC输入隔离电压(rms):7500V

型号：H11F3VM 编号：C899465

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

数据手册

单价：
￥3.6306 / 个

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：FODM8801BR2V 编号：C903720

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

OptoHiT FODM8801 是一款全新光电晶体管，利用安森美半导体先进的专属工艺技术，可实现高运行温度特性，最高可达 125°C。该光耦合器在紧凑的半间距、微型扁平、4 引脚封装中包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED),与光电晶体管进行光耦合。它以极低输入电流提供高电流传输率。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3750 VACRMS。

数据手册

单价：
￥3.89364 / 个

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DC输入隔离电压(rms):7500V

型号：H11F3SR2M 编号：C899462

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

数据手册

单价：
￥3.91068 / 个

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD2741ASV 编号：C899226

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

数据手册

单价：
￥4.95624 / 个

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD2711A 编号：C899218

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A 光隔离放大器由受欢迎的 AZ431L 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。参考电压容限为 1%。电流传输比 (CTR) 范围为 100% 至 200%。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2711A 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

数据手册

单价：
￥3.97404 / 个

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD2711ASD 编号：C899220

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A 光隔离放大器由受欢迎的 AZ431L 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。参考电压容限为 1%。电流传输比 (CTR) 范围为 100% 至 200%。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2711A 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

数据手册

单价：
￥3.97404 / 个

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD2711AS 编号：C899219

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A 光隔离放大器由受欢迎的 AZ431L 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。参考电压容限为 1%。电流传输比 (CTR) 范围为 100% 至 200%。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2711A 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

数据手册

单价：
￥3.97404 / 个

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD2711ASDV 编号：C899221

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A 光隔离放大器由受欢迎的 AZ431L 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。参考电压容限为 1%。电流传输比 (CTR) 范围为 100% 至 200%。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2711A 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

数据手册

单价：
￥3.97404 / 个

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD2711ASV 编号：C899222

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A 光隔离放大器由受欢迎的 AZ431L 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。参考电压容限为 1%。电流传输比 (CTR) 范围为 100% 至 200%。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2711A 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

数据手册

单价：
￥3.97404 / 个

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：FODM8801AV 编号：C891207

封装：SO-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

OptoHiT 系列的FODM8801器件是第一款此类光电晶体管，它采用飞兆半导体领先的专利工艺技术生产，可实现高达125°C的工作温度特性。光电耦合器是由与光电晶体管进行光耦合的铝砷化镓(AlGaAs)红外发光二极管组成，它采用紧凑型的半间距、4引脚微型扁平封装。它可以在极低的输入电流下提供高电流传输比。输入输出隔离电压V

数据手册

单价：
￥4.2144 / 个

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：FODM8801AR2V 编号：C903718

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

OptoHiT 系列的FODM8801器件是第一款此类光电晶体管，它采用飞兆半导体领先的专利工艺技术生产，可实现高达125°C的工作温度特性。光电耦合器是由与光电晶体管进行光耦合的铝砷化镓(AlGaAs)红外发光二极管组成，它采用紧凑型的半间距、4引脚微型扁平封装。它可以在极低的输入电流下提供高电流传输比。输入输出隔离电压V

数据手册

单价：
￥4.2144 / 个

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H11F1300

型号：H11F1300 编号：C17655161

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥11.01
200+
￥4.4
500+
￥4.25
1000+
￥4.18

订货

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DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：FOD2712AR2V 编号：C903691

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A光隔离放大器包括流行的AZ431L精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。参考电压容差为1%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2712A时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用紧凑型8引脚小型封装。

数据手册

单价：
￥4.43388 / 个

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DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：FOD2742BR2V 编号：C903692

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2742 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个等级的参考耐压 = 2％、1％和 0.5％。电流传输率 (CTR) 范围介于 100％到 200％之间。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2742 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚小外形封装。

数据手册

单价：
￥4.43388 / 个

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：FODM8801CV 编号：C891210

封装：SO-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

OptoHiT FODM8801 是一款全新光电晶体管，利用安森美半导体先进的专属工艺技术，可实现高运行温度特性，最高可达 125°C。该光耦合器在紧凑的半间距、微型扁平、4 引脚封装中包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED),与光电晶体管进行光耦合。它以极低输入电流提供高电流传输率。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3750 VACRMS。

数据手册

单价：
￥4.71108 / 个

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD2741BSV 编号：C899231

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

数据手册

单价：
￥4.76028 / 个

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD2743BV 编号：C899239

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级：2%，1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

数据手册

单价：
￥5.48412 / 个

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD2741ATV 编号：C899227

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

数据手册

单价：
￥4.95624 / 个

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