安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-6

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.34648 / 个

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型号：FOD060LR2 编号：C903686

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此类光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。器件包含可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽具有出色的共模抑制性能，在 1,000V 共模下通常为 50 kV/us。

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1+
￥7.83
10+
￥6.54
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￥4.45
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￥4.29

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型号：MOC3072SVM 编号：C899850

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3071M、MOC3072M 和 MOC3073M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 240 VAC 线路进行绝缘，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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￥4.39884 / 个

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型号：H11N1SM 编号：C899488

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥4.79064 / 个

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型号：FOD4218SV 编号：C463261

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关由两个逆向并联 SCR 构成，具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管，具有更高的触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。

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单价：
￥7.81848 / 个

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型号：H11N1VM 编号：C899492

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥4.83504 / 个

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型号：H11N1TVM 编号：C899491

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥4.87008 / 个

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型号：HCPL2530S 编号：C899494

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥8.88
10+
￥7.37
30+
￥6.54
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￥5.6
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￥5.19
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￥5

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型号：FOD8343TR2V 编号：C899351

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

4.0 A Output Current, High Speed Gate Drive Optocoupler in Stretched Body

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单价：
￥5.04612 / 个

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型号：HCPL2731M 编号：C899538

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥5.811 / 个

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型号：FOD8343 编号：C479734

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

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单价：
￥8.988 / 个

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型号：FOD8343T 编号：C479725

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

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￥4.7244 / 个

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型号：FODM452V 编号：C891202

封装：SOP-5-4.4mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM452和FODM453光电耦合器包含光学耦合至高速光电检测晶体管的AlGaAs LED。器件封装于一个紧凑型5引脚微型扁平封装，以实现最佳安装密度。 FODM453具有高CMR额定值，以最大程度上防止共用模式瞬态。

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单价：
￥5.77188 / 个

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型号：FODM453V 编号：C891203

封装：SOP-5-4.4mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM452 和 FODM453 光耦合器包括一个与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。该器件采用紧凑的 5 引脚微型扁平封装，可实现最佳安装密度。FODM453 具有高 CMR 等级，可实现优化的共模瞬变抗扰性。

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单价：
￥6.38964 / 个

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型号：FOD0710 编号：C463015

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD0721/0720/0710 系列利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计，可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此类高速逻辑门极光耦合器由与 CMOS 检测器集成电路耦合的 CMOS 集成电路驱动的高速 AlGaAs LED 组成，该检测器集成电路包括集成光电二极管、高速互阻抗放大器和带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 工艺与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（40ns 传播延迟、6ns 脉冲宽度失真）。此类器件采用紧凑型 8 引脚小外形封装。

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单价：
￥4.7196 / 个

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型号：FOD8163T 编号：C900902

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器，具有开路集电极输出，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计，从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。

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单价：
￥7.46556 / 个

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型号：FOD8480TR2 编号：C899358

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8480 和 FOD8482 是低功率光耦合器，支持智能功率模块 (IPM) 的隔离接口，从控制器向 IPM 传输数字控制信号，无需导通接地回路或危险电压。FOD848x 系列采用拉伸体、6 引脚小型塑料封装，包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和一个集成式高增益集成高增益光电探测器。检测器具有带磁滞的检测器阈值。磁滞提供了差分模式噪声抗干扰性，消除了输出信号颤振的可能性。它的非反相输出设计作为图腾柱，不需要任何上拉电阻。FOD8482 有一个低阈值输入电流 IFLH，最大为 3.0 mA。对于 FOD848x 全系列，在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 4.5 V 至 30 V 的 VDD 范围内可保证其电气和开关特性。低 IF 和宽 VDD 范围，可与 TTL、LSTTL 和 CMOS 逻辑电平兼容，与其他高速光耦合器相比，功耗更低。

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单价：
￥7.47504 / 个

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型号：FOD8163TR2 编号：C899332

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器，具有开路集电极输出，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计，从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。

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单价：
￥7.85724 / 个

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型号：FOD4116 编号：C899290

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关使用两个逆向并联 SCR 形成，构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高能效红外发光二极管提供更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插 (DIP) 封装。

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单价：
￥7.76832 / 个

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型号：FOD4216 编号：C463735

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关由两个逆向并联 SCR 构成，具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管，具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。

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单价：
￥11.92212 / 个

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型号：FOD8163 编号：C900901

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器，具有开路集电极输出，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计，从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。

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单价：
￥7.85724 / 个

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型号：FOD8163TR2V 编号：C899333

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器，具有开路集电极输出，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计，从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。

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单价：
￥7.85724 / 个

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型号：FOD8163V 编号：C900903

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器，具有开路集电极输出，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计，从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。

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单价：
￥7.85724 / 个

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型号：FOD8163R2V 编号：C899331

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器，具有开路集电极输出，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计，从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。

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单价：
￥7.85724 / 个

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型号：FOD8163R2 编号：C899330

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器，具有开路集电极输出，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计，从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。

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单价：
￥7.85724 / 个

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型号：FODM8061 编号：C891204

封装：SOIC-5-175mil

品牌：onsemi(安森美)

FODM8061 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出（开路集电极）光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。此光耦合器在输入处包含一个 AlGaAS LED，与高速集成式光电检测器逻辑门级进行光耦合。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。耦合参数在 -40°C 至 +110°C 的宽温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。

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单价：
￥7.88472 / 个

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型号：FOD8482R2 编号：C899359

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

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单价：
￥7.94808 / 个

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型号：FOD3182S 编号：C899264

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥5.28684 / 个

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型号：FOD8482TR2 编号：C899360

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

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单价：
￥8.04276 / 个

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型号：FOD3120S 编号：C605155

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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￥4.878 / 个

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