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封装：SMD-6P

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：PS2805-1-F3-A 编号：C171801

封装：SOIC-4-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2805-1 和 PS2805-4 是光耦合隔离器，在用于高密度应用的塑料 SSOP 封装中集成了砷化镓（GaAs）发光二极管和 NPN 硅光电晶体管。该封装具有屏蔽作用，可阻隔环境光。

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型号：HCPL-M611-500E 编号：C545706

封装：SOP-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

这些小尺寸、高共模抑制比（CMR）、高速逻辑门光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。它们在电气上等同于以下安华高（Avago）光耦合器（除了没有输出使能功能）。 SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形不需要在PCB上打“通孔”。

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型号：TLP351(F) 编号：C150126

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

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型号：QX175-CuH-S 编号：C52164477

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：200V，负载电流：0.18A

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型号：LT243 编号：C2691610

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Letex(丽太)

LT243是一款采用4引脚SOP封装的微型1-Form A固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，实现输入与输出之间1500V的隔离。光耦合输入由高效的GaAlAs红外LED控制，输出端采用MOSFET。

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型号：TLP2366(TPL,E 编号：C150130

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用SO6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：GAQV212E 编号：C7435174

封装：DIP-6

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：G3VM-61VY2-TR 编号：C306896

封装：SOP-4

品牌：OMRON(欧姆龙)

应用：半导体测试设备。测试与测量设备。通信设备。安全设备。工业设备。电源电路。娱乐设备

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型号：TLPN137(TP1,F) 编号：C99492

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP176GA(TP,F) 编号：C516859

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP176GA由一个红外发光二极管和一个光电MOSFET通过光耦合组成，采用SOP封装，适用于表面贴装组装。TLP176GA适用于需要节省空间的调制解调器应用。

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型号：HCPL-0466-500E 编号：C692010

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

包含GaAsP LED或AlGaAs LED，LED与集成高增益光电探测器光耦合。器件间传播延迟差异最小化，可通过减少开关死区时间提高逆变器效率。片上20kΩ输出上拉电阻可通过短接输出引脚6和7启用，在常见IPM应用中无需外部上拉电阻。

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型号：GAQW211G2E 编号：C7435147

封装：DIP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无阀弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：G3VM-351VY 编号：C5340394

封装：SOP-4

品牌：OMRON(欧姆龙)

应用：半导体测试设备。测试与测量设备。通信设备。各种电池驱动设备。安全设备。工业设备。电源电路。娱乐设备

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型号：TLP2710(TP,E 编号：C4153766

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP292-4(V4GBTPE 编号：C17466350

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP715(TP,F) 编号：C45216

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，是一款6引脚SDIP。比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。探测器具有图腾柱输出级，可提供源极和漏极驱动。探测器IC有一个内部屏蔽层，可保证10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：BCY252GA 编号：C22391872

封装：SMD-4P

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：5mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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型号：QCPL-341H-500E 编号：C692110

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/100A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中具有630V峰值的最高绝缘电压。

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型号：TPWR8004PL,L1Q(M 编号：C4153796

封装：DSOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 85.4 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.65 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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型号：FOD3150ASD 编号：C411200

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

能够驱动大多数800V/20A的IGBT或MOSFET。非常适合用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中的功率IGBT和MOSFET的快速开关驱动。利用安森美半导体获得专利的共面封装技术Optoplanar和优化的IC设计，实现高抗噪性，其特点是具有高共模抑制能力。由一个砷化镓铝（AlGaAs）发光二极管和一个带有推挽MOSFET输出级高速驱动器的集成电路光耦合而成。

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