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首页 > 热门关键词 > 光耦
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6N138M
型号：6N138M 编号：C3001991
封装：DIP-8
品牌：UMW(友台半导体)
结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管，具有不同的引脚成型选项。光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容，与传统光电晶体管光耦合器相比，速度提高了几个数量级。
数据手册

  • 5+

    ￥1.6598

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    ￥1.3013

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    ￥1.1477

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    ￥0.8194
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    DC 4.42kV
    型号：SFH6156-3X001T 编号：C5263740
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料贴片（SMD）封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册

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      ￥1.6635

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      ￥1.3337

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      ￥1.1923

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    • 5000+

      ￥0.8509
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：MOC3081M(UMW) 编号：C2842968
    封装：DIP-6
    品牌：UMW(友台半导体)
    UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7001

    • 50+

      ￥1.3433

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      ￥1.1304

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      ￥0.9396

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      ￥0.8547

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      ￥0.8037
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：6N136M 编号：C2995535
    封装：DIP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容，为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距（M型）和贴片式（SMD）可选
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7247

    • 50+

      ￥1.3522

    • 150+

      ￥1.1925

    • 500+

      ￥0.9934

    • 2500+

      ￥0.9047

    • 5000+

      ￥0.8515
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    3.0A栅极驱动光电耦合器
    型号：ICPL-341W-500EAXW 编号：C42432187
    封装：LSOP-6
    品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)
    IGBT栅极驱动光耦，峰值电流3A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，宽体

    • 5+

      ￥1.92186 ￥2.1354

    • 50+

      ￥1.51353 ￥1.6817

    • 150+

      ￥1.33857 ￥1.4873

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      ￥1.12023 ￥1.2447

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      ￥0.96462 ￥1.0718
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    H11L1S-JSM
    型号：H11L1S-JSM 编号：C22376095
    封装：SOP-6-6.5mm-2.54mm
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    输出探测器包含施密特触发器，为噪声免疫和脉冲整形提供了滞后效应。

    • 5+

      ￥1.943015 ￥2.2859

    • 50+

      ￥1.536035 ￥1.8071

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      ￥1.361615 ￥1.6019

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      ￥1.144015 ￥1.3459

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      ￥1.047115 ￥1.2319

    • 5000+

      ￥0.98889 ￥1.1634
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：PS2501L-1-F3 编号：C51825
    封装：SMD-4P
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    数据手册

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      ￥2.0051

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      ￥1.6164

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      ￥1.4499

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      ￥1.1772

    • 2000+

      ￥1.0847
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    光耦-逻辑输出
    型号：ELM601 编号：C42371561
    封装：SOP-5
    品牌：AOTE(奥特)
    ELM601内部有一个 850nm 的 AlGaAS LED， 其光学耦合到具有选通输出的超高速集成光电检测器。这些器件采用 5 引脚外形封装，符合标准封装外形。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等

    • 1+

      ￥2.1896 ￥2.38

    • 10+

      ￥1.9228 ￥2.09

    • 30+

      ￥1.8032 ￥1.96

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      ￥1.656 ￥1.8

    • 500+

      ￥1.5916 ￥1.73

    • 1000+

      ￥1.5548 ￥1.69
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    AC,DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：PS2705-1-F3-A 编号：C367377
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    PS2705 - 1是一款光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN型硅光电晶体管。该封装为SOP（小外形封装）类型，具有屏蔽效果，可阻隔环境光。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.326

    • 50+

      ￥1.844

    • 150+

      ￥1.6374

    • 500+

      ￥1.2942
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    AC,DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP620(GB,F) 编号：C96252
    封装：DIP-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP620, -2 和 -1 由一个光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合组成。TLP620-2 在八引脚塑料 DIP 中提供两个隔离通道，而 TLP620-4 在十六引脚塑料 DIP 中提供四个隔离通道。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.3716

    • 50+

      ￥1.8726

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      ￥1.5162

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      ￥1.2494

    • 2500+

      ￥1.1306
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    IGBT栅极驱动光耦，峰值电流4A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，宽体
    型号：TLP5702W-AXW 编号：C42432185
    封装：LSOP-6
    品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)
    IGBT栅极驱动光耦，峰值电流4A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，宽体

    • 1+

      ￥2.385 ￥2.65

    • 10+

      ￥1.89 ￥2.1

    • 30+

      ￥1.674 ￥1.86

    • 100+

      ￥1.404 ￥1.56

    • 500+

      ￥1.287 ￥1.43

    • 1000+

      ￥1.215 ￥1.35
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    IGBT栅极驱动光耦，峰值电流4A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，窄体
    型号：TLP5702P-AXW 编号：C42432184
    封装：LSOP-6
    品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)
    IGBT栅极驱动光耦，峰值电流4A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，窄体

    • 1+

      ￥2.385 ￥2.65

    • 10+

      ￥1.89 ￥2.1

    • 30+

      ￥1.674 ￥1.86

    • 100+

      ￥1.404 ￥1.56

    • 500+

      ￥1.287 ￥1.43

    • 1000+

      ￥1.215 ￥1.35
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    DC输入 隔离电压(rms):5300V
    型号：SFH615A-3X009 编号：C143042
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400V_RMS 或直流的工作电压下的加强绝缘。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.4521

    • 50+

      ￥2.0277

    • 200+

      ￥1.8458

    • 500+

      ￥1.6188

    • 2500+

      ￥1.5177
  • 有货
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    DC输入 隔离电压(rms):5300V
    型号：SFH615A-3 编号：C500641
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，该发射器与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠使用。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.56

    • 10+

      ￥1.94

    • 30+

      ￥1.67

    • 100+

      ￥1.3034 ￥1.33

    • 500+

      ￥1.1662 ￥1.19

    • 1000+

      ￥1.078 ￥1.1
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：MOC3022M 编号：C8917
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.77

    • 10+

      ￥2.16

    • 50+

      ￥1.85

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      ￥1.52

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      ￥1.37

    • 1000+

      ￥1.29
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    光耦-光电晶体管输出
    型号：AT3H74-CuH-S 编号：C20612701
    封装：SSOP-16
    品牌：AOTE(奥特)
    AT3H74是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。十六引脚封装 ( SSOP16)。 广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、复印机、家用电器（空调、风扇、热水器等）。

    • 1+

      ￥2.8796 ￥3.13

    • 10+

      ￥2.2816 ￥2.48

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      ￥2.024 ￥2.2

    • 100+

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    • 500+

      ￥1.5548 ￥1.69

    • 1000+

      ￥1.472 ￥1.6
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    直流输入，半间距光电晶体管光耦合器
    型号：ACPL-217-50AE 编号：C5157608
    封装：SO-4
    品牌：Broadcom(博通)
    是一款直流输入、单通道、半间距光电晶体管光耦合器，包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。采用 4 引脚 SO 封装。输入-输出隔离电压额定值为 3750V_RMS。响应时间 tr 典型值为 2μs，在输入电流为 5mA 时，最小电流传输比 (CTR) 为 50%。

    • 1+

      ￥2.94

    • 10+

      ￥2.29

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      ￥2.01

    • 100+

      ￥1.6268 ￥1.66

    • 500+

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    • 1000+

      ￥1.3818 ￥1.41
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    光耦-栅极驱动光耦
    型号：ACPL-P314(AT) 编号：C41415694
    封装：SOP-6-P
    品牌：AOTE(奥特)
    ACPL-P314(AT)是一种输出电流为0.6A的栅极驱动光电耦合器，具有一个镓砷磷化合物( GaAsP ) 的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。 广泛应用于：开关电源、IGBT/MOSFET 栅极驱动器、交流和无刷直流电机驱动器、可再生能源逆变器、工业逆变器。

    • 1+

      ￥3.1635 ￥3.33

    • 10+

      ￥2.4985 ￥2.63

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      ￥2.2135 ￥2.33

    • 100+

      ￥1.8525 ￥1.95

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      ￥1.691 ￥1.78

    • 1000+

      ￥1.596 ￥1.68
  • 有货
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    5A 拉/6A 灌、 5.7-kVRMS 光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器
    型号：CA-IS3211VBG 编号：C7422540
    封装：SOIC-8-300mil
    品牌：Chipanalog(川土微)

    • 1+

      ￥3.17

    • 10+

      ￥2.44

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      ￥2.12

    • 100+

      ￥1.73

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    • 1000+

      ￥1.45
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    650V
    型号：HT8216ARZ 编号：C47325506
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：HTCSEMI(海天芯)
    负载能力高达650V和150mA的固态继电器

    • 1+

      ￥3.4

    • 10+

      ￥2.67

    • 30+

      ￥2.36

    • 100+

      ￥1.97

    • 500+

      ￥1.75

    • 1000+

      ￥1.64
  • 有货
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    DC输入 隔离电压(rms):5300V
    型号：SFH6186-5T 编号：C145241
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    数据手册

    • 1+

      ￥3.41

    • 10+

      ￥2.74

    • 30+

      ￥2.4

    • 100+

      ￥1.9665 ￥2.07

    • 500+

      ￥1.7765 ￥1.87

    • 1000+

      ￥1.6815 ￥1.77
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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP188(TPL,E 编号：C7527491
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP188由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP188采用非常小巧纤薄的SO6（4引脚）封装，可保证在高温环境下工作（最高环境温度Ta = 110 °C）。集电极 - 发射极间具有高击穿电压（VCEO = 350 V），TLP188适用于可编程逻辑控制器（PLC）和家用电器，包括空调

    • 1+

      ￥3.47

    • 10+

      ￥2.76

    • 30+

      ￥2.41

    • 100+

      ￥2.06

    • 500+

      ￥1.85

    • 1000+

      ￥1.74
  • 有货
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    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：4N32M 编号：C110941
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。
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    • 1+

      ￥3.47

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      ￥2.79

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    DC输入
    型号：HCPL-181-000E 编号：C692017
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：Broadcom(博通)
    HCPL - 181包含一个发光二极管和一个光晶体管，二者通过光耦合。它采用4引脚迷你扁平SMD封装，封装高度为2.0 mm。
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      ￥3.57

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      ￥1.83

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    GAQV1123S 光MOSFET驱动
    型号：GAQV1123S 编号：C22385005
    封装：SOP-4-175mil-2.54mm
    品牌：SUPSiC(国晶微半导体)
    特性：高速开关：释放时间为 0.1 ms，可在紧急情况下快速关闭 MOSFET 或其他负载。 节省空间：内置控制电路，无需外部电阻，有助于使基板更紧凑

    • 1+

      ￥3.59

    • 10+

      ￥2.92

    • 30+

      ￥2.58

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      ￥1.91

    • 1000+

      ￥1.81
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP2309(V4-TPL,E 编号：C2840187
    封装：SO-5-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。
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    • 1+

      ￥3.61

    • 10+

      ￥2.94

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      ￥1.66
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    1 Form A(SPST-NO)负载电压:350V 连续负载电流:0.13A
    型号：GAQY210SX 编号：C50087663
    封装：SOP-4
    品牌：SUPSiC(国晶微半导体)
    1 Form A(SPST-NO)负载电压:350V 连续负载电流:0.13A

    • 1+

      ￥3.86

    • 10+

      ￥3.13

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      ￥2.18

    • 1000+

      ￥2.07
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    60V
    型号：TAQY212S 编号：C49254537
    封装：SOP-4
    品牌：拓朴微
    由光 MOSFET、光电电压发生器和红外 LED 组成。实现了低导通电阻，具有良好的性价比。

    • 1+

      ￥4.293 ￥4.77

    • 10+

      ￥3.474 ￥3.86

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      ￥3.069 ￥3.41

    • 100+

      ￥2.664 ￥2.96

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      ￥2.421 ￥2.69

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      ￥2.295 ￥2.55
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    固态继电器
    型号：GAQY212E 编号：C19271985
    封装：DIP-4
    品牌：SUPSiC(国晶微半导体)
    触点形式:1 Form A(SPST-NO)

    • 1+

      ￥4.43

    • 10+

      ￥3.57

    • 30+

      ￥3.14

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      ￥2.25

    • 1000+

      ￥2.12
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：LTV-T350S-TA1 编号：C721584
    封装：SMD-8P
    品牌：LITEON(光宝)
    LTV - T350光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。2.5A的峰值输出电流能够直接驱动额定值高达1200 V/100 A的大多数IGBT
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    • 1+

      ￥4.52

    • 10+

      ￥3.67

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    • 100+

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