光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：ELM3063(TA) 编号：C41381187

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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￥3.05
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￥2.09
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￥1.48

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型号：6N136S(TA) 编号：C118756

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：GAQV1123S 编号：C22385005

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：高速开关：释放时间为 0.1 ms，可在紧急情况下快速关闭 MOSFET 或其他负载。节省空间：内置控制电路，无需外部电阻，有助于使基板更紧凑

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型号：MOC3020SR2M 编号：C899781

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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型号：ICPL-343W-500EAXW 编号：C42432178

封装：LSOP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流5A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6,宽体

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￥1.881 ￥2.09

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型号：TLP2358(TPL,E 编号：C99486

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，有反相器输出。

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￥3.78
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￥1.9

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型号：TLP291-4(V4GBTPE 编号：C2848503

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291 - 4光电耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于其在较宽的工作温度范围（-55至110°C）内性能有保障，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥3.86
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￥3.12
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型号：VOS628A-3T 编号：C143059

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

VOS628A系列采用砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为50密耳的迷你扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。

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￥3.89
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￥2.33
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型号：LTV-247-G-RT 编号：C7435541

封装：SOP-16

品牌：LITEON(光宝)

电流传输比 (CTR)：在IF = 5mA、VCE = 5V时最小值为50% 高输入-输出隔离电压，Viso = 3,750Vrms 采用双传输模塑技术安全认证：UL1577、VDE DIN EN60747-5-5、VDE 0884-5、CSA CA5A、FIMKO RoHS合规：器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令（2002/95/EC、2011/65/EU和2015/863） ESD通过HBM 8000V/MM 2000V MSL 1级无卤。

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型号：SFH6206-3T 编号：C118295

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH620A（DIP）和 SFH6206（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：AT214-CuH-S 编号：C42371493

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

AT214 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：TCMD1000 编号：C143718

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：VISHAY(威世)

由光电达林顿管与砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚或16引脚迷你扁平封装。元件在输入和输出之间提供固定距离，以满足最高安全要求。

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￥4.19
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型号：GAQY216E 编号：C7435143

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥4.48
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型号：ILD207T 编号：C71049

封装：SO-8-150mil

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。采用标准 SOIC-8 小外形封装，适用于空间有限的高密度应用。这种封装不仅无需通孔，还符合表面贴装器件的标准。指定的最小和最大电流传输比（CTR）允许相邻电路的电气设计具有较窄的容差。70V 的高集电极-发射极击穿电压（BVCEO）比 30V 的行业标准提供了更高的安全裕度。

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￥5.04
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￥4.11
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￥3.65
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型号：MOC3063SR2M 编号：C13411

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥5.09
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￥3.69
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型号：TLP5754(D4-TP,E 编号：C843785

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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￥5.47
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￥3.8
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型号：GTLP3555 编号：C19271984

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)

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￥5.48
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型号：6N137-500E 编号：C691907

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥5.62
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￥3.97
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￥3.43
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￥2.78
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￥2.62

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型号：ACPL-P480-500E 编号：C74380

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器包含 GaAsP 发光二极管和内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化，通过减少开关死区时间提高逆变器效率。

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￥5.95
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￥2.92
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型号：APY215G1S 编号：C42444463

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光继电器是可靠且技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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￥4.29
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￥3.32
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￥3.18

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型号：APY252G3HS 编号：C42444481

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过移动光子来完成其开关功能，不会产生机械磨损，提供一致可靠的开关。

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￥6.1864 ￥7.03
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￥3.8984 ￥4.43
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￥3.388 ￥3.85

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型号：APY212G2EH 编号：C42444456

封装：SMD-4P

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过移动光子来实现其开关功能，不会产生机械磨损，可提供一致可靠的开关。

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￥6.29
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￥3.44
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￥3.25

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型号：HCPL-M601-500E 编号：C45920

封装：SOP-5

品牌：Broadcom(博通)

这些小型高速逻辑门光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装轮廓不需要在PCB上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。光耦合门结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光子探测器，探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-M601提供了5000V/μs的共模瞬态抗扰度保证，为HCPL-M611提供了10000V/μs的共模瞬态抗扰度保证

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￥3.11

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型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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