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3.3V 450mA 5.5V

型号：NCP161ASN330T1G 编号：C892187

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

是一款线性稳压器，能够提供450 mA的输出电流。专为满足射频和模拟电路的要求而设计，可提供低噪声、高电源抑制比、低静态电流和非常好的负载/线路瞬态响应。该器件设计为与1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容器配合使用。有两种厚度的超小型0.35P、0.65mm×0.65mm芯片级封装（CSP）和XDFN4 0.65P、1mm×1mm封装可供选择。

数据手册

1+
￥3.37
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￥2.7
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￥2.41
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￥2.05
500+
￥1.83
1000+
￥1.73

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4170V

型号：H11L1M 编号：C16587

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

数据手册

1+
￥3.4
10+
￥2.65
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￥2.34
100+
￥1.94
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3023SR2M 编号：C40701

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

数据手册

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￥3.41
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￥2.75
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￥2.47
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￥2.11
500+
￥1.48
1000+
￥1.39

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9V~28V

型号：NCP1252ADR2G 编号：C80800

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1252 控制器提供了构建专用于 ATX 电源和任何正向应用的成本高效且可靠的 AC-DC 开关电源所需的一切内容。由于使用内部固定的计时器，NCP1252 可以在不依赖辅助 Vcc 的情况下检测输出过载。欠压输入针对低输入电压提供保护，提高了转换器安全性。最后，SOIC-8 封装节省 PCB 空间，是成本敏感项目的首选方案。

数据手册

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￥3.59
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￥2.91
30+
￥2.62
100+
￥2.26
500+
￥2.09
1000+
￥1.79

有货

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256kb I2C CMOS EEPROM，支持标准、快速和快速加I2C协议

型号：CAT24C256YI-GT3 编号：C146734

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256是一款256kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为32,768个8位字。支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速加（1MHz）I2C协议。具有硬件写保护、低功耗CMOS技术、工业和扩展温度范围。

数据手册

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￥3.67
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￥2.93
30+
￥2.61
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￥2.21
500+
￥2.03
1000+
￥1.93

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1个P沟道耐压:60V 电流:2.6A

型号：NTF2955T1G 编号：C17265

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这是 SOT-223 封装中的 -60 V，P 沟道 MOSFET。此器件非常坚固，拥有很大的安全运行区域。

数据手册

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￥3.76
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￥2.95
30+
￥2.6
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￥2.17
500+
￥1.86
1000+
￥1.74

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1个P沟道耐压:60V 电流:20A

型号：FDD5614P 编号：C236892

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

60V P-Channel MOSFET采用高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。

数据手册

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￥3.81
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￥3.04
30+
￥2.65
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￥2.26
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￥2.03
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￥1.91

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耐压:600V 电流:1.5A

型号：DF06S 编号：C105154

封装：SDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

随着提高电源效率、浪涌额定值、可靠性和减小尺寸的迫切需求，该系列在性能方面树立了标准。设计提供了50 A的浪涌额定值，这对于提高可靠性和效率很重要。高效设计努力降低电路电阻，但这可能导致浪涌电流增加，因此需要高浪涌电流额定值来维持或提高可靠性。设计还通过在25℃时实现1.5 A下最大1.1 V的正向电压VF，提高了效率。较低的VF也支持更凉爽和高效的运行。最后，该系列采用SDIP表面贴装形式，与竞争设备相比，减少了电路板空间和体积要求。

数据手册

1+
￥3.88
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￥3.2
30+
￥2.85
100+
￥2.51
500+
￥2.08
1500+
￥1.98

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轨到轨输出，3 MHz带宽运算放大器

型号：NCV20074DTBR2G 编号：C411222

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

NCx2007x系列运算放大器可实现轨到轨输出操作，带宽为3 MHz，有单通道、双通道和四通道配置可供选择。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3 MHz的带宽。NCx2007x可在低至2 V的电源电压下工作

数据手册

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￥4.71
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￥3.79
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￥3.34
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￥2.89
500+
￥2.4
1000+
￥2.26

有货

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24V 1A

型号：MC7824CD2TR4G 编号：C50515

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

1+
￥4.74
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￥3.78
30+
￥3.29
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￥2.81
500+
￥2.53
800+
￥2.38

有货

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自主型USB Type-C控制器，支持Super Speed开关控制

型号：FUSB301TMX 编号：C132290

封装：TMLP-10(1.2x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

完全自主的Type-C控制器，优化用于<15W应用。支持Type-C版本1.1和1.0，CC逻辑检测，源模式、接收模式、双角色端口模式等。

数据手册

1+
￥5.32
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￥4.24
30+
￥3.7
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￥3.17
500+
￥2.85
1000+
￥2.68

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800mV~3.6V 1.5A 5.5V

型号：NCP59748MN1ADJTBG 编号：C464052

封装：DFN10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP59748 是一款双轨极低压差电压稳压器，能够提供超过 1.5 A 的输出电流，在满载电流下的典型压差为 60 mV。

数据手册

1+
￥5.68
10+
￥4.58
30+
￥4.02
100+
￥3.32
500+
￥2.99
1000+
￥2.83

有货

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NPN 电流:8A 电压:80V

型号：MJD44H11G 编号：C36608

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

数据手册

1+
￥6.13
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￥5.03
30+
￥4.48
100+
￥3.6
500+
￥3.28
1000+
￥3.11

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电压:45V 电流:7.5A

型号：MBR1545CTG 编号：C2722

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。

数据手册

1+
￥6.4
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￥5.25
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￥4.19
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￥3.61
500+
￥3.27
1000+
￥3.09

有货

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通用电压监测器

型号：MC33161DR2G 编号：C233686

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34161/MC33161是通用电压监测器，适用于各种电压感应应用。这些器件为电路设计人员提供了一种经济的正负电压检测解决方案。该电路由两个带迟滞的比较器通道、一个用于通道编程的独特模式选择输入、一个引出的2.54 V参考电压和两个能够吸收超过10 mA电流的开集电极输出组成。每个比较器通道可通过模式选择输入配置为反相或同相。这允许对正负电压进行过压、欠压和窗口检测。这些器件要完全正常工作所需的最小电源电压，对于正电压感应为2.0 V，对于负电压感应为4.0 V。

数据手册

1+
￥6.89
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￥5.54
30+
￥4.87
100+
￥4.21
500+
￥3.81
1000+
￥3.6

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1个P沟道耐压:100V 电流:15A

型号：FDMC86139P 编号：C463243

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。

数据手册

1+
￥6.89
10+
￥5.67
30+
￥5
100+
￥4.25
500+
￥3.91
1000+
￥3.76

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2个N沟道耐压:30V 电流:17A 32A

型号：FDPC5018SG 编号：C464164

封装：PQFN-8-EP(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此器件在一个双封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。

数据手册

1+
￥7
10+
￥5.75
30+
￥5.13
100+
￥4.34
500+
￥3.97
1000+
￥3.78

有货

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200mA 45V

型号：CS8182YDFR8G 编号：C156197

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CS8182是一款单片集成式低压差跟踪稳压器，旨在提供可调节的缓冲输出电压，该电压可紧密跟踪（±10mV）参考输入。输出电流最高可达200 mA，且可配置为高于、低于或等于参考电压。该器件设计用于在2.8 V至45 V的宽电压范围内工作，同时仍能保持出色的直流特性

数据手册

1+
￥7.3598 ￥7.51
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￥5.412 ￥6.15
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￥4.212 ￥5.4
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￥3.549 ￥4.55
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￥3.2604 ￥4.18
1000+
￥3.1278 ￥4.01

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:33A

型号：FDB33N25TM 编号：C241752

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥7.47
10+
￥6.18
30+
￥5.53
100+
￥3.77
500+
￥3.38
800+
￥3.18

有货

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1.2kV 5.3A

型号：HGTD1N120BNS9A 编号：C462776

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

HGTD1N120BNS9A 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

数据手册

1+
￥8.57
10+
￥7.17
30+
￥6.4
100+
￥5.52
500+
￥5.14
1000+
￥4.96

有货

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电压:200V 电流:10A

型号：MBRB20200CTT4G 编号：C236141

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。此先进器件适用于高频率开关电源和转换器，最高为 48 V 输出。此器件会阻挡高达 200 v 电压，在 250 kHz 至 5.0MHz 的频率下提供改善的肖特基性能。

数据手册

1+
￥8.74
10+
￥7.15
30+
￥6.28
100+
￥5.3
500+
￥4.86
800+
￥4.66

有货

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隔离式大电流IGBT栅极驱动器

型号：NCV57001DWR2G 编号：C603965

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV57001是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断功能。NCV57001兼容5 V和3.3V

数据手册

1+
￥10.52
10+
￥8.72
30+
￥7.15
100+
￥6.03
500+
￥5.54
1000+
￥5.31

有货

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降压型 3A 4.5V~40V

型号：LM2596DSADJR4G 编号：C99046

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2596稳压器是一款单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。它能够驱动3.0 A的负载，具备出色的线性和负载调节能力。该器件有可调输出版本，并且内部经过补偿，可减少外部元件数量，从而简化电源设计

数据手册

1+
￥14.4
10+
￥12.11
30+
￥10.68
100+
￥9.21
500+
￥8.54
800+
￥8.26

有货

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耐压:600V 电流:30A 反向恢复时间：45ns

型号：RHRP3060 编号：C11772

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP3060 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

数据手册

1+
￥16.48
10+
￥14.34
50+
￥11.9
100+
￥10.52
500+
￥9.9
800+
￥9.63

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:28A

型号：FDA28N50 编号：C105685

封装：TO-3P-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥19.66
10+
￥16.76
30+
￥15.04
90+
￥13.29
450+
￥12.49
900+
￥12.13

有货

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100V 200mA

型号：BAV70TT1G 编号：C232586

封装：SC-75

品牌：onsemi(安森美)

此共阴极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装，适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2094
200+
￥0.1717
600+
￥0.1507
3000+
￥0.1001
9000+
￥0.0892
21000+
￥0.0833

有货

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PNP 电流:500mA 电压:45V

型号：BC807-16LT3G 编号：C232631

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2284
200+
￥0.1758
600+
￥0.1466
2000+
￥0.129
10000+
￥0.1138
20000+
￥0.1057

有货

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100V 200mA

型号：BAV70WT1G 编号：C93031

封装：SOT-323-3

品牌：onsemi(安森美)

此共阴极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SC-70 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2322
200+
￥0.1838
600+
￥0.1568
3000+
￥0.1407
9000+
￥0.1267

有货

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独立式耐压:39V 电流:0.1uA@30V

型号：MMSZ5259BT1G 编号：C235987

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.2416
100+
￥0.1888
300+
￥0.1624
3000+
￥0.1426
6000+
￥0.1268
9000+
￥0.1188

有货

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独立式耐压:6.2V 电流:5uA@4V

型号：MMSZ5234BT1G 编号：C194181

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.249792 ￥0.2602
100+
￥0.179052 ￥0.2082
300+
￥0.138548 ￥0.1823
3000+
￥0.123728 ￥0.1628
6000+
￥0.111872 ￥0.1472
9000+
￥0.105944 ￥0.1394

有货

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品类不断扩充中
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