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型号：MMBF5457 编号：C2830807

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该器件是一个低电平音频放大器和开关晶体管，可用于模拟开关应用。采用工艺55设计。

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5+
￥2.0987
50+
￥1.6605
150+
￥1.4727
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￥1.2384
3000+
￥1.134
6000+
￥1.0714

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型号：UC2843BD1R2G 编号：C59197

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的经济高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。此外，还包括了保护功能，其中包含输入和参考欠压锁定且每个都带有迟滞、逐周期电流限制、可编程输出停滞时间以及用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有用于图腾柱输出级的单独电源和接地引脚。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），非常适用于离线转换器。UCX843B 专门用于 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压应用。

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5+
￥2.2686
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￥1.7701
150+
￥1.5565
500+
￥1.044
2500+
￥0.9253
5000+
￥0.8541

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型号：MC34074DR2G 编号：C179580

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。该系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速的建立时间，而无需使用JFET器件技术。尽管这一系列可以采用双电源供电，但由于共模输入电压范围包括地电位（VEE），因此特别适合单电源供电操作。通过采用达林顿输入级，该系列表现出高输入电阻、低输入偏移电压和高增益的特点。全NPN输出级具有无死区交越失真和大输出电压摆幅的特点，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/汇交流频率响应。

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1+
￥2.32
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￥1.8
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￥1.58
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￥1.31
500+
￥1.18
1000+
￥1.11

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型号：UC3843BD1R2G 编号：C16414

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，包括输入和参考欠压锁定且全部带有迟滞、按周期电流限制、可编程输出停滞时间和用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX843B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

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5+
￥2.4615
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￥2.0331
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￥1.8495
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￥1.0983
2500+
￥0.9963
5000+
￥0.9351

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型号：MJD122T4G 编号：C12789

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。

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￥3.19
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￥2.55
30+
￥2.28
100+
￥1.94
500+
￥1.79
1000+
￥1.69

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型号：MOC3081M 编号：C9215

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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1+
￥3.41
10+
￥2.78
50+
￥2.28
100+
￥1.96
500+
￥1.77
1000+
￥1.68

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型号：H11L1SR2M 编号：C20082

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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1+
￥3.44
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￥2.69
30+
￥2.38
100+
￥1.98
500+
￥1.68
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￥1.57

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型号：MOC3081SR2M 编号：C112418

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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￥4.23
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￥3.49
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￥3.12
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￥2.76
500+
￥2.31
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￥2.19

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型号：FQT1N60CTF-WS 编号：C258152

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用专有平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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￥4.39
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￥3.62
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￥3.24
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￥2.86
500+
￥2.63
1000+
￥2.52

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型号：MOC3083SR2M 编号：C111561

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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1+
￥5.15
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￥4.14
30+
￥3.64
100+
￥3.14
500+
￥2.77
1000+
￥2.61

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型号：FOD3120SD 编号：C15455

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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1+
￥6.04
10+
￥4.84
30+
￥4.24
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￥3.64
500+
￥3.29
1000+
￥3.1

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型号：FGL40N120ANDTU 编号：C11754

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术，提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。

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1+
￥79.97
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￥63.69
25+
￥57.19
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￥51.75

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型号：BAS20LT1G 编号：C232529

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此双二极管器件包含两个电气隔离的高压开关二极管，采用 SOT-23 表面贴装封装。

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20+
￥0.1423
200+
￥0.1125
600+
￥0.0959
3000+
￥0.074
9000+
￥0.0654
21000+
￥0.0607

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型号：MMBT3906TT1G 编号：C82042

封装：SOT-416

品牌：onsemi(安森美)

此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.1653
200+
￥0.1292
600+
￥0.1092
3000+
￥0.0927
9000+
￥0.0823
21000+
￥0.0767

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型号：BZX84C10LT1G 编号：C82476

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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20+
￥0.1931
200+
￥0.1499
600+
￥0.1258
3000+
￥0.1114
9000+
￥0.0989
21000+
￥0.0922

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型号：MMUN2111LT1G 编号：C97123

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

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20+
￥0.2251
200+
￥0.1727
600+
￥0.1436
3000+
￥0.1262
9000+
￥0.111
21000+
￥0.1029

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型号：MMSZ5245BT1G 编号：C129730

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

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20+
￥0.2308
200+
￥0.1835
600+
￥0.1572
3000+
￥0.1351
9000+
￥0.1214
21000+
￥0.114

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型号：MMSZ4702T1G 编号：C242274

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（> 16 kV）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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20+
￥0.2327
200+
￥0.1801
600+
￥0.1509
3000+
￥0.1334
9000+
￥0.1182
21000+
￥0.11

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型号：MMSZ4678T1G 编号：C36599

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

1.8V 0.5W

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20+
￥0.2349
200+
￥0.1866
600+
￥0.1598
3000+
￥0.1422
9000+
￥0.1282
21000+
￥0.1207

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型号：MMBTA13LT1G 编号：C128012

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

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10+
￥0.2399
100+
￥0.193
300+
￥0.1696
3000+
￥0.152
6000+
￥0.1379
9000+
￥0.1309

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型号：MMSZ3V3T1G 编号：C94381

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

10+
￥0.2459
100+
￥0.1936
300+
￥0.1674
3000+
￥0.1421
6000+
￥0.1264
9000+
￥0.1186

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型号：MMUN2211LT3G 编号：C150229

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

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20+
￥0.2533
200+
￥0.2089
600+
￥0.1843
2000+
￥0.1694
10000+
￥0.1566
20000+
￥0.1497

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型号：MMSZ4697T1G 编号：C48870

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

提供了三种齐纳二极管系列，采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。

数据手册

10+
￥0.2544
100+
￥0.2016
300+
￥0.1752
3000+
￥0.1466
6000+
￥0.1308
9000+
￥0.1229

有货

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型号：MMSZ5244BT1G 编号：C242286

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.2545
100+
￥0.2027
300+
￥0.1768
3000+
￥0.1379
6000+
￥0.1223
9000+
￥0.1145

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型号：SBAW56LT1G 编号：C232626

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此共阳极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.3131
100+
￥0.2515
300+
￥0.2207
3000+
￥0.1793
6000+
￥0.1608
9000+
￥0.1515

有货

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型号：2V7002KT1G 编号：C415857

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：ESD 保护。低 RDS(on)。表面贴装封装。 2V 前缀适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：低端负载开关。电平转换电路

数据手册

10+
￥0.3728
100+
￥0.3016
300+
￥0.2659
3000+
￥0.217
6000+
￥0.1956
9000+
￥0.1849

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型号：NL27WZ04DFT2G 编号：C154778

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

NL27WZ04是一款高性能双反相器，工作电源电压范围为1.65 V至5.5 V。高阻抗、与TTL兼容的输入可显著降低输入驱动器的电流负载，而与TTL兼容的输出则可改善开关噪声性能。

数据手册

10+
￥0.3795
100+
￥0.2979
300+
￥0.2571
3000+
￥0.2265
6000+
￥0.202
9000+
￥0.1898

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型号：NSR0620P2T5G 编号：C91106

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

肖特基势垒二极管针对非常低的正向压降和低漏电流进行了优化，用于便携式设备中的各种直流-直流转换器、钳位和保护应用。SOD-923微型封装使设计人员能够应对提高效率和满足减小空间要求的挑战。

数据手册

10+
￥0.3869
100+
￥0.3092
300+
￥0.2703
1000+
￥0.2411
5000+
￥0.2175
8000+
￥0.2058

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型号：ESD8472MUT5G 编号：C133346

封装：X3-DFN-2(0.3x0.6)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8472旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

数据手册

5+
￥0.5678
50+
￥0.4498
150+
￥0.3908
500+
￥0.3466
2500+
￥0.2832
5000+
￥0.2655

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型号：MBRA140T3G 编号：C54798

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.7147
50+
￥0.5635
150+
￥0.4879
500+
￥0.4114
2500+
￥0.3661
5000+
￥0.3434

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