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独立式 耐压:16V 电流:0.1uA@12V
型号：MMSZ5246BT1G 编号：C52809
封装：SOD-123
品牌：onsemi(安森美)
三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
数据手册

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    ￥0.2578

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    ￥0.1102
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    独立式 耐压:6.2V 电流:5uA@4V
    型号：MMSZ5234BT1G 编号：C194181
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

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      ￥0.112914 ￥0.1394
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    独立式 耐压:7.5V 电流:3uA
    型号：MMSZ5236BT1G 编号：C82324
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

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      ￥0.2618

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      ￥0.1336
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    独立式 耐压:3.3V 电流:5uA@1.0V
    型号：MM5Z3V3T1G 编号：C891656
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3151

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:154mA
    型号：NTA7002NT1G 编号：C145524
    封装：SC-75(SOT-416)
    品牌：onsemi(安森美)
    小信号 MOSFET 30 V，154 mA，单，N 沟道，门极 ESD 保护，SC-75
    数据手册

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      ￥0.3312

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    单路施密特触发反相器
    型号：NC7SZ14M5X 编号：C457616
    封装：SOT-23-5
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7SZ14 是一款采用施密特触发输入的单反相器，属于 TinyLogic 超高速（UHS）系列产品。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽的 VCC 工作电压范围内保持较低的静态功耗。该器件的工作范围为 1
    数据手册

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      ￥0.4007

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    双施密特触发器反相器
    型号：NL27WZ14DFT2G 编号：C89316
    封装：SC-70-6(SOT-363)
    品牌：onsemi(安森美)
    NL27WZ14 是一款高性能双反相器，带有施密特触发器输入，工作电源电压范围为 1.65 至 5.5 V。
    数据手册

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      ￥0.4447

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    1个P沟道 耐压:8V 电流:1.4A
    型号：NTS2101PT1G 编号：C140583
    封装：SOT-323
    品牌：onsemi(安森美)
    这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。
    数据手册

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      ￥0.4957

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    电压:30V 电流:1A
    型号：MBR130T1G 编号：C82461
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

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      ￥0.56

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:1.37A
    型号：NTS4101PT1G 编号：C68182
    封装：SOT-323
    品牌：onsemi(安森美)
    P 沟道,-20V,-1.37A,-83mΩ@-4.5V
    数据手册

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      ￥0.3517
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    耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：35ns
    型号：MURA220T3G 编号：C37995
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

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      ￥0.7423

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      ￥0.3675
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    独立式 耐压:18V 电流:0.5uA@13.7V
    型号：1SMA5931BT3G 编号：C94872
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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      ￥0.7936

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    • 5000+

      ￥0.4161
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    MMBFJ310LT1G
    型号：MMBFJ310LT1G 编号：C33416
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8395

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      ￥0.4118
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    电压:40V 电流:1A
    型号：MBRS140T3G 编号：C133091
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9006

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      ￥0.7195

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    • 5000+

      ￥0.4183
  • 有货
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    电压:20V 电流:1A
    型号：MBR120VLSFT1G 编号：C223608
    封装：SOD-123FL
    品牌：onsemi(安森美)
    该器件采用大面积金属 - 硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管。与无引脚34封装形式相比，这种封装也更易于操作
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9234

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      ￥0.7228

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      ￥0.4774

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      ￥0.4473
  • 有货
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    5V 100mA 20V
    型号：MC79L05ACPG 编号：C233232
    封装：TO-92-3
    品牌：onsemi(安森美)
    负电压调节器价格便宜、易于使用，适用于众多需要高达100mA电流的应用。该系列具有热关断和电流限制功能，非常耐用。在大多数应用中，操作无需外部组件。该器件适用于板载调节或任何其他需要适度电流水平的稳压负电压的应用。这些调节器比普通的电阻/齐纳二极管方法具有显著优势。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.926559 ￥0.9963

    • 50+

      ￥0.733212 ￥0.7884

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    • 500+

      ￥0.546933 ￥0.5881

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      ￥0.424545 ￥0.4565

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      ￥0.396924 ￥0.4268
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    低失调电压双比较器
    型号：LM2903DMR2G 编号：C138472
    封装：MSOP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    LM393系列是双路独立精密电压比较器，可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源工作时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子等众多应用的理想选择。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0225

    • 50+

      ￥0.8842

    • 150+

      ￥0.8249

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      ￥0.7509

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      ￥0.5702

    • 4000+

      ￥0.5504
  • 有货
    • 立即购买
    5V 1A 24V
    型号：MC7805BDTRKG 编号：C110908
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1921

    • 50+

      ￥0.9418

    • 150+

      ￥0.8345

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      ￥0.6518

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      ￥0.5922

    • 5000+

      ￥0.5564
  • 有货
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    四2输入与非施密特触发器
    型号：MC14093BDR2G 编号：C36616
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    MC14093B施密特触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，以单块结构制成。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2056

    • 50+

      ￥0.9652

    • 150+

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      ￥0.7022

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      ￥0.645

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      ￥0.6106
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    独立式 耐压:10V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5925BT3G 编号：C50840
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2154

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      ￥0.9876

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      ￥0.5795

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      ￥0.5469
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A
    型号：FDN304P 编号：C241803
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4981

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      ￥1.2099

    • 150+

      ￥1.0863

    • 500+

      ￥0.9322

    • 3000+

      ￥0.7848

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      ￥0.7436
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    六路反相器
    型号：MC14049BDR2G 编号：C7574
    封装：SOIC-16
    品牌：onsemi(安森美)
    MC14049B 六反相器/缓冲器和 MC14050B 六同相缓冲器采用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。这些互补 MOS 器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。这些器件仅使用一个电源电压 VDD 即可实现逻辑电平转换
    数据手册

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      ￥1.5635

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      ￥1.2365

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      ￥0.8606

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      ￥0.7827

    • 5000+

      ￥0.736
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    3.3V 1A 20V
    型号：NCP1117DT33RKG 编号：C88234
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    是低 dropout 正电压调节器，能够提供超过 1.0A 的输出电流，在 800mA 时最大 dropout 电压为 1.2V。该系列包含 1.5V、1.8V、1.9V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V 和 12V 九种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳压。此外，还有一个可调输出版本，可通过两个外部电阻从 1.25V 编程到 18.8V。片上微调将参考/输出电压调整到 ±1.0% 的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达 20V 的输入下工作。器件采用 SOT-223 和 DPAK 封装。
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    500mV@1nA
    型号：MMBFJ270 编号：C160435
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    JFET，P沟道,30V,50mA
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    低电源电流 3 引脚微处理器复位监控器
    型号：MAX809STRG 编号：C9965
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    复位监控IC，监控阀值电压=2.93V
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:8.8A
    型号：FDS4435BZ 编号：C23931
    封装：SO-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
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      ￥2.0373

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    1.25V~18.8V 1A 20V
    型号：NCP1117STAT3G 编号：C20546
    封装：SOT-223
    品牌：onsemi(安森美)
    是低压正电压调节器，能够提供超过1.0A的输出电流，在800mA时最大压降为1.2V。该系列包含1.5V、1.8V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V和12V八种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳压。还包括一个可调输出版本，可通过两个外部电阻将输出电压编程为1.25V至18.8V。片上微调可将参考/输出电压调节到±1.0%的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达20V的输入电压下工作。器件采用SOT-223和DPAK封装。
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      ￥2.0482

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    10V~30V
    型号：UC2842BD1R2G 编号：C7112
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    UC3842B、UC3843B系列是高性能固定频率电流模式控制器。它们专为离线和DC - DC转换器应用而设计，为设计人员提供了一种使用最少外部元件的经济高效解决方案。这些集成电路具有经过微调的振荡器，可实现精确的占空比控制、温度补偿基准、高增益误差放大器、电流检测比较器，以及非常适合驱动功率MOSFET的大电流图腾柱输出。还包括保护功能，如带迟滞的输入和基准欠压锁定、逐周期电流限制、可编程输出死区时间，以及用于单脉冲计量的锁存器。这些器件有8引脚双列直插式和表面贴装（SOIC - 8）塑料封装，以及14引脚塑料表面贴装（SOIC - 14）封装。SOIC - 14封装为图腾柱输出级提供了独立的电源和接地引脚。UCX842B的欠压锁定（UVLO）阈值为16 V（开启）和10 V（关闭），非常适合离线转换器。UCX843B针对低电压应用进行了优化，其UVLO阈值为8.5 V（开启）和7.6 V（关闭）。
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    单电源3.0 V至44 V运算放大器
    型号：MC33074ADR2G 编号：C365729
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间，且未使用JFET器件技术。虽然这一系列可以采用双电源供电工作，但特别适合单电源供电，因为其共模输入电压范围包括地电位（VEE）。凭借达林顿输入级，该系列表现出高输入阻抗、低输入偏移电压和高增益。全NPN输出级的特点是没有死区交叉失真和大输出电压摆幅，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/吸交流频率响应。
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    耐压:1kV 电流:1A 反向恢复时间：100ns
    型号：MUR1100ERLG 编号：C35292
    封装：DO-41
    品牌：onsemi(安森美)
    超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。
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