霍尔效应传感器_厂家_价格_品牌_库存

是一款用于小于5A电流传感应用的集成式高灵敏度电流传感器IC。它采用巨磁阻（GMR）技术，比传统霍尔效应传感器灵敏25倍，能够感应流经低电阻集成初级导体的电流所产生的磁场。模拟输出提供低噪声高速信号，与流经初级的电流成正比。器件的响应时间通常为535ns。有四种工厂编程的灵敏度和失调电平可供选择，以在所需的电流测量范围内优化性能。GMR元件相对于集成电流导体的差分配置可显著抑制杂散磁场，即使在磁场嘈杂的环境中也能稳定运行。该传感器IC由单3.3V电源供电，适用于-40°C至85°C的整个商用温度范围。提供薄型、节省空间的表面贴装QFN-12和SOIC-8封装。

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型号：TLE4966LHALA1 编号：C3716219

封装：SSO-4

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款专为高精度应用设计的集成电路双霍尔效应传感器。通过芯片上的有源补偿电路和斩波技术，实现了精确的磁开关点和高温度稳定性。它们为每个磁极对在Q2提供一个速度信号，并在Q1提供方向信息，该方向信息在速度信号之前提供。

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型号：SI7211-B-00-IVR 编号：C2654962

封装：SOT-23

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si7211/2/3/4/5/6/7系列霍尔效应传感器将斩波稳定霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器相结合。经过模数转换后，磁场数据可采用模拟、PWM或SENT格式输出（具体取决于产品型号）。Si721x系列运用成熟的CMOS设计技术，集成了数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿

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型号：TMCS1123A1AQDVGR 编号：C22391248

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰

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型号：APS11900LLHALT 编号：C2152686

封装：SOT-23W

是高度可编程的两线平面霍尔效应传感器集成电路 (IC)，按照ISO 26262:2011开发（待评估），包括内部诊断功能，支持ASIL A功能安全等级。增强的两线电流模式接口提供互连开路/短路诊断，并增加了安全状态以传达诊断信息，同时与传统两线系统保持兼容。两线传感器非常适合安全应用，特别是涉及长线束的应用。编程可在生产线末端进行，以按单元或模块优化传感器。用户可以选择磁开关点、温度系数和滞后，以及设备是响应北极或南极磁场（单极开关）还是两者（双极锁存器或全极开关）。响应可以匹配SmCo、NdFeB或低成本铁氧体磁体

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型号：A1454KLETR-4N-T 编号：C3716106

封装：TSSOP-8

线性霍尔效应传感器IC提供一个12位数字输出字，该输出字与存在的磁场强度成正比。其静态输出值处于中间刻度，有两种不同的工厂编程灵敏度范围：2 LSB/G和4 LSB/G。灵敏度温度系数也经过工厂编程，以支持钕磁铁或铁氧体磁铁。该传感器集成了I²C接口，便于集成到各种应用中

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型号：UH276G-G04-K 编号：C171448

封装：SIP-4

品牌：UTC(友顺)

UTC UH276是一款带内置互补输出驱动器的锁存型霍尔效应传感器。它采用内部温度补偿电路设计，并内置保护二极管，可防止电源反接故障。该产品旨在用于无刷直流风扇

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型号：LN4913SRB 编号：C236385

封装：TO-92S

品牌：natlinear(南麟)

LN4913是一款专门为满足低功耗设备需求而设计的集成霍尔效应传感器，例如可作为翻盖手机的开关，其电池工作电压为1.65V - 5.5V。通过独特的内部电路设计，可实现精确的磁开关点和较高的温度稳定性。该集成电路采用片上时钟方案来降低平均工作电流

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型号：MH282KSO 编号：C114376

封装：SOT-23-3L

MH282是一款单极霍尔效应传感器IC。它采用了先进的斩波稳定技术，以提供精确且稳定的磁开关点。其设计、规格和性能针对固态开关应用进行了优化

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型号：PT3661H1OAG7P1 编号：C2835488

封装：TO-92

品牌：PROLIFIC(旺玖)

设计用于电池供电的手持设备，如手机、无绳电话、PDA 和寻呼机应用。前置放大器级内置动态失调消除功能，可实现最佳对称磁传感。电源电压范围为 2.4V 至 6.0V，最大输出电流为 5mA。这款霍尔效应传感器 IC 将传感器、带动态失调消除功能的前置放大器和差分迟滞比较器集成在单芯片中。通过唤醒/睡眠定时控制实现微功耗运行。芯片将自动进入唤醒模式 45μS，并在剩余时间（90mS）进入睡眠模式（关机）。在唤醒模式下，芯片的传感器将启用并正常运行。在睡眠模式下，传感器将禁用以节省电量，输出将锁存在上一状态。

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型号：SS460S-T3 编号：C2992356

封装：TO-92

品牌：Honeywell(霍尼韦尔)

SS360NT、SS360ST、SS360ST - 10K、SS460S、SS460S - T2、SS460S - T3 和 SS460S - LP 高灵敏度锁存数字霍尔效应传感器 IC 是小型、灵敏且用途广泛的器件，由永磁体或电磁体产生的磁场驱动。它们设计用于响应交替的北极和南极。SS360NT 由北极开启，而 SS360ST、SS460S、SS460S - T2、SS460S - T3 和 SS460S - LP 由南极开启

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型号：MH251EST 编号：C114367

封装：TSOT-23-3L

MH251霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力、灵敏度容差低的微功耗开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除功能，可实现卓越的高温性能。该方法可降低通常由器件过模塑、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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型号：TSH282CT B0G 编号：C410831

封装：TO-92S

品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

TSH282是一款单极霍尔效应传感器IC。它采用了先进的斩波稳定技术，可提供精确且稳定的磁开关点。其设计、规格和性能已针对固态开关应用进行了优化

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型号：HAL3471SO 编号：C49232797

封装：SOT23-3-3L

品牌：Hallwee(霍尔微电子)

HAL3471是一款基于混合信号CMOS技术的全极性霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。在电路设计上，HAL3471提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式；同样通过这个机制，芯片被周期性地“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔器件磁场强度的大小。如果磁通密度高于“工作点”阈值或者低于“释放点”阈值，则开漏输出晶体管被驱动并锁存成与之相对应的状态。

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型号：MH251EUA 编号：C114368

封装：TO-92S

MH251霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力、灵敏度容差低的微功耗开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除功能，可实现卓越的高温性能。该方法可降低通常由器件过模塑、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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型号：MH253KUA 编号：C114371

封装：TO-92S

MH253霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力的开关。通过采用斩波稳定技术进行动态失调消除，实现了卓越的高温性能。这种方法可降低通常由器件注塑成型、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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型号：TMCS1127B1AQDVGR 编号：C39544855

封装：SOIC-10

电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 2.75% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 1.5% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1126A4BQDVGR 编号：C32470304

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1123A5AQDVGR 编号：C22406673

封装：SOIC-10

电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1126A7AQDVGRQ1 编号：C31175250

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：DRV5055Z3QDBZR 编号：C2877897

封装：SOT-23

DRV5055 具有模拟输出的比例式线性霍尔效应传感器

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型号：ACS70331EOLCTR-2P5B3 编号：C459300

封装：SOIC-8

ACS70331是一款集成式高灵敏度电流传感器IC，适用于<5 A的电流传感应用。它采用了巨磁阻（GMR）技术，该技术的灵敏度比传统霍尔效应传感器高25倍，可感应流经低电阻集成初级导体的电流所产生的磁场。模拟输出提供低噪声高速信号，该信号与流经初级的电流成正比

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￥17.13
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￥16.83

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型号：TMCS1123A4AQDVGR 编号：C22445468

封装：SOIC-10

TMCS1123 是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至±96A，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS，加上最小 8mm 的爬电距离和间隙，可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。双向和单向电流检测多个灵敏度选项：-范围为 25mV/A 至 150mV/A 安全相关认证（计划）-UL 1577 组件认证计划-IEC/CB 62368-1

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单价：
￥16.295938 / 个

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型号：TMCS1133C2AQDVGR 编号：C35413959

封装：SOIC-10

一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有出色的隔离功能和精度。该器件提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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单价：
￥16.295938 / 个

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型号：DRV5055Z2QDBZR 编号：C2860902

封装：SOT-23

DRV5055 具有模拟输出的比例式线性霍尔效应传感器

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50+
￥6.72
100+
￥6.6
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￥6.54

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型号：TLE4966K 编号：C539864

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE4966K是一款专门为高精度应用设计的集成电路双霍尔效应传感器。通过片上的有源补偿电路和斩波技术，可实现精确的磁开关点和高温度稳定性。它们为每对磁极在Q2端提供一个速度信号，并在Q1端提供方向信息，该方向信息在速度信号之前给出

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￥7.691574
200+
￥6.311035
500+
￥5.154012
1000+
￥4.417725

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型号：TMCS1133B5AQDVGR 编号：C36088020

封装：SOIC-10