霍尔效应传感器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1123A5AQDVGR 编号：C22406673

封装：SOIC-10

品牌：TI(德州仪器)

电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：CH481U00TB05501800 编号：C2994670

封装：TO-92S

品牌：COSEMITECH(意瑞)

CH481霍尔效应传感器是具有极高温度稳定性和抗应力能力的传感器IC，特别适合在 -40°C 至 150°C 的宽温度范围内工作。通过动态失调消除技术可实现卓越的高温性能，该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。该器件包括一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个可吸入高达 25 mA 电流的短路保护开漏输出

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型号：TMAG5131G1DQDBZRQ1 编号：C41537468

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

是一款低功耗、高精度霍尔效应传感器，专为紧凑型和电池关键型汽车应用而设计。该器件提供多种磁性阈值、采样率和输出类型，适用于各种应用。当施加的磁通量密度超过工作点 (BOP) 阈值时，器件会输出低电压（对于低电平有效版本）。输出会保持低电平，直到磁通密度降至低于释放点 (BRP)，随后器件输出高电压

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型号：AH2984-PG-B 编号：C560267

封装：SIP-4

品牌：DIODES(美台)

AH2984是一款用于驱动双线圈无刷直流（BLDC）风扇和电机的单芯片解决方案。该设备包括霍尔效应传感器、动态偏移校正以及带有内部齐纳二极管保护的两个互补开漏输出驱动器。它优化了低启动电压。为了帮助保护电机线圈，AH2984提供了转子锁定保护功能，在检测到转子锁定时会关闭输出驱动，并在解除转子锁定后自动重新启动。过温关断为设备提供热保护。AH2984有SIP4和SOT89-5封装可供选择。

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型号：SC2526VB-SD-BK 编号：C52021087

封装：TO-94

品牌：Semiment(赛卓)

直插、输出带方向输出、高灵敏度、编码器。SC2526VB-SD-BK是一种双通道霍尔效应传感器IC，非常适合用于速度和方向传感应用，包含编码环形磁铁目标。

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型号：TMAG5273B2QDBVR 编号：C41935525

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

是一款低功耗线性 3D 霍尔效应传感器，适用于广泛的工业和个人电子应用。该设备在 X、Y 和 Z 轴上集成了三个独立的霍尔效应传感器。精密模拟信号链与集成的 12 位 ADC 对测量的模拟磁场值进行数字化处理。I²C 接口支持多个工作 VCC 范围，确保与低压微控制器进行无缝数据通信。该设备有一个集成温度传感器，可用于多种系统功能，如热预算检查或给定磁场的温度补偿计算。可通过 I²C 接口进行配置，以启用任意组合的磁轴和温度测量

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型号：SI7201-B-21-IV 编号：C1559667

封装：SOT-23

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si7201/2/3/4/5/6系列霍尔效应磁传感器开关和锁存器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和灵活的比较器电路相结合。Si720x系列采用成熟的CMOS设计技术，集成了数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有霍尔效应传感器相比，Si720x系列具有业界领先的灵敏度，可用于更大的气隙和更小的磁体

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型号：TMCS1123C2AQDVGR 编号：C22445471

封装：SOIC-10

品牌：TI(德州仪器)

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有出色的隔离功能和精度。提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于1.4%的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于0.9%的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：MH281KSO 编号：C114374

封装：SOT-23-3L

品牌：MST(美伽)

MH281是一款单极霍尔效应传感器IC。它采用了先进的斩波稳定技术，以提供精确且稳定的磁开关点。其设计、规格和性能已针对固态开关应用进行了优化

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￥0.698256 ￥1.9396
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型号：DRV5057Z3QDBZR 编号：C2864590

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

DRV5057 具有 PWM 输出的线性霍尔效应传感器

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型号：A1233LLTR-T 编号：C459238

封装：SOIC-8

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一款双通道霍尔效应传感器IC，适用于采用编码环磁体目标的速度和方向感应应用。可提供各种输出信号，指示目标旋转的速度和方向。霍尔元件通过光刻对齐，间距小于1μm，保持两个有源霍尔元件之间的精确位移，消除了在精细间距检测应用中遇到的主要制造障碍。是一种高灵敏度、温度稳定的磁性设备，适用于恶劣的汽车和工业环境

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型号：ACS70331EESATR-2P5B3 编号：C459298

封装：QFN-12(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

ACS70331是一款集成式高灵敏度电流传感器IC，适用于<5 A的电流传感应用。它采用了巨磁阻（GMR）技术，该技术的灵敏度比传统霍尔效应传感器高25倍，可感应流经低电阻集成初级导体的电流所产生的磁场。模拟输出提供低噪声高速信号，该信号与流经初级的电流成正比

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型号：ACS70331EESATR-005B3 编号：C2649488

封装：WFQFN-12(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

ACS70331是一款集成式高灵敏度电流传感器IC，适用于小于5 A的电流传感应用。它采用了巨磁阻（GMR）技术，该技术的灵敏度是传统霍尔效应传感器的25倍，可感应流经低电阻集成初级导体的电流所产生的磁场。模拟输出提供低噪声高速信号，该信号与流经初级的电流成正比

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型号：ACS70331EOLCTR-2P5B3 编号：C459300

封装：SOIC-8

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

ACS70331是一款集成式高灵敏度电流传感器IC，适用于<5 A的电流传感应用。它采用了巨磁阻（GMR）技术，该技术的灵敏度比传统霍尔效应传感器高25倍，可感应流经低电阻集成初级导体的电流所产生的磁场。模拟输出提供低噪声高速信号，该信号与流经初级的电流成正比

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型号：ACS70331EESATR-005U3 编号：C459297

封装：QFN-12(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

ACS70331是一款集成式高灵敏度电流传感器IC，适用于<5 A的电流传感应用。它采用了巨磁阻（GMR）技术，该技术的灵敏度比传统霍尔效应传感器高25倍，可感应流经低电阻集成初级导体的电流所产生的磁场。模拟输出提供低噪声高速信号，该信号与流经初级的电流成正比

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型号：TMCS1126B3BQDVGR 编号：C38253197

封装：SOIC-10

品牌：TI(德州仪器)

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于1.4%的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于0.9%的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1127B1AQDVGR 编号：C39544855

封装：SOIC-10

品牌：TI(德州仪器)

电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 2.75% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 1.5% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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￥31.34
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型号：TMCS1133A3AQDVGR 编号：C34909310

封装：SOIC-10

品牌：TI(德州仪器)

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于1.4%的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于0.9%的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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￥33.05
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￥32.25
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型号：NXF1S0303MC-R7 编号：C5702401

封装：-

品牌：muRata(村田)

DC-DC 转换器用于需要严格稳压电源的地方。它们适用于输入电压未严格控制的情况。单轨稳压输出使其成为为传感器（如压力传感器、霍尔效应传感器和质量气流传感器）供电的理想选择。

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￥52.2
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￥49.97

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型号：PT3617F1SAG8P1 编号：C2835493

封装：SOT-23-3L

品牌：PROLIFIC(旺玖)

用于使用双极磁场进行磁驱动。前置放大器级内置动态失调消除，可实现最佳对称磁传感。适用于直流无刷风扇应用。电源电压范围为4.0V至38V，最大输出电流为50mA。内部保护装置可使产品在高达-32V的反向电池情况下正常工作。该霍尔效应传感器IC将传感器、带动态失调消除的前置放大器和迟滞比较器集成在单芯片中。

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￥0.42021 ￥1.4007
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￥0.246 ￥1.23
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￥0.11568 ￥1.1568
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￥0.10656 ￥1.0656
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￥0.10005 ￥1.0005

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型号：MH248ESO 编号：C114364

封装：SOT-23-3L

品牌：MST(美伽)

MH248霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力、微功耗的开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除功能，实现了卓越的高温性能。该方法可降低通常由器件过模塑、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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￥0.7073
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￥0.52359 ￥0.563
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￥0.407364 ￥0.4908
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￥0.362461 ￥0.4367
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￥0.326522 ￥0.3934
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￥0.308594 ￥0.3718

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型号：EG41 编号：C480671

封装：TO-92S

品牌：EG(屹晶微)

EG41双极锁存型霍尔效应传感器内部集成了霍尔感应器、稳压单元、差分放大器、施密特触发器以及集电极开路输出级等电路，其输入是磁感应强度，输出是一个数字电压信号。

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￥1.0998
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￥0.873
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￥0.7758

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型号：MH282KUA 编号：C114377

封装：TO-92S

品牌：MST(美伽)

MH282是一款单极霍尔效应传感器IC。它采用先进的斩波稳定技术，可提供精确且稳定的磁性开关点。其设计、规格和性能针对固态开关应用进行了优化

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￥1.8042
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￥1.4262
150+
￥1.2642
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型号：FD1257AH-G1 编号：C114334

封装：SIP-4L

品牌：Advanced Analog Technology(类比)

FD1257AH是一款内置霍尔效应传感器IC的单相全波电机驱动器。它在SIP - 4L封装中集成了一个H桥MOS驱动器、一个高灵敏度霍尔效应传感器和一个用于转子锁定的事件定时器，这使得电机的印刷电路板（PCB）设计更加简便，并尽可能简化了高效直流电机或风扇的制造过程。为确保安全，当转子锁定时，锁定关断功能会关闭IC的内部驱动器，避免过热；在驱动器关断一段时间后，IC将尝试重新启动转子扭矩

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￥2.55
10+
￥2.05
30+
￥1.83

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型号：DRV5056A1EDBZRQ1 编号：C2867812

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

DRV5056-Q1 具有模拟输出的汽车类、比例式单极线性霍尔效应传感器

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￥4.72
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￥4.01
30+
￥3.51

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型号：SI7210-B-01-IV 编号：C1559863

封装：SOT-23-5

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

霍尔效应磁传感器将斩波稳定霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和I²C接口相结合。利用CMOS设计技术，集成数字信号处理，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有霍尔效应传感器相比，具有行业领先的灵敏度，可使用更大的气隙和更小的磁体。集成的13位高精度ADC可提供高输出线性度和极低噪声，以实现最高测量精度。对于电池供电应用，具有极低的功耗，可延长使用寿命。支持双向I²C接口，可对霍尔效应传感器的操作和释放点进行完全配置。任何时候，都可以通过I²C接口读取13位磁场强度。

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￥8
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￥7.83
30+
￥7.71
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￥7.23

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型号：ACS70331EOLCTR-005U3 编号：C2155535

封装：SOIC-8

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

ACS70331是一款集成式高灵敏度电流传感器IC，适用于小于5 A的电流传感应用。它采用了巨磁阻（GMR）技术，该技术的灵敏度是传统霍尔效应传感器的25倍，可感应流经低电阻集成初级导体的电流所产生的磁场。模拟输出提供低噪声高速信号，该信号与流经初级的电流成正比

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￥18.45
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￥18.14

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型号：TMCS1127B2AQDVGR 编号：C39346887

封装：SOIC-10

品牌：TI(德州仪器)

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 2.75% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 1.5% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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￥23.02
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￥22.63

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型号：TMCS1126A2AQDVGR 编号：C39170003

封装：SOIC-10

品牌：TI(德州仪器)

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于1.4%的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于0.9%的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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