霍尔效应传感器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23W

垂直霍尔效应传感器IC是一种极其温度稳定且抗应力的磁传感设备，适用于恶劣的工作环境。该传感器由与器件标记面在同一平面内的交替北极和南极极性磁场驱动。两种封装选项，SOT23W表面贴装和SIP通孔封装，允许相对于安装位置以各种方向进行感应。通过动态失调消除，可实现高达175℃结温的卓越高温性能，该技术可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上包括：电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定、施密特触发器和短路保护的开漏输出，可吸收高达25mA的电流。板载调节器允许在3至24V的电源电压下工作

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型号：SI7201-B-06-IV 编号：C1559607

封装：SOT-23

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si7201/2/3/4/5/6系列霍尔效应磁传感器开关和锁存器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和灵活的比较器电路相结合。Si720x系列采用成熟的CMOS设计技术，集成了数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有霍尔效应传感器相比，Si720x系列具有业界领先的灵敏度，可用于更大的气隙和更小的磁体

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型号：SI7210-B-04-IVR 编号：C2152909

封装：SOT-23-5

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si7210系列霍尔效应磁传感器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和I²C接口集成在一起。该系列产品采用成熟的CMOS设计技术，内置数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有的霍尔效应传感器相比，Si7210系列具备业界领先的灵敏度，可支持更大的气隙和更小的磁铁

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型号：SI7212-B-00-IVR 编号：C2655014

封装：SOT-23

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si7211/2/3/4/5/6/7系列霍尔效应传感器将斩波稳定霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器相结合。经过模数转换后，磁场数据可采用模拟、PWM或SENT格式输出（具体取决于产品型号）。Si721x系列运用成熟的CMOS设计技术，集成了数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿

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型号：SI7201-B-10-IVR 编号：C2152487

封装：SOT-23

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si7201/2/3/4/5/6系列霍尔效应磁传感器开关和锁存器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和灵活的比较器电路相结合。Si720x系列采用成熟的CMOS设计技术，集成了数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有霍尔效应传感器相比，Si720x系列具有业界领先的灵敏度，可用于更大的气隙和更小的磁体

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型号：SS461R 编号：C134476

封装：TO-92S

品牌：Honeywell(霍尼韦尔)

SS361RT 和 SS461R 是小型、多功能的数字霍尔效应传感器 IC，由永磁体或电磁体产生的磁场驱动，旨在响应交替的北极和南极。SS361RT 由北极触发开启，而 SS461R 由南极触发开启。这些锁存型数字霍尔效应传感器 IC 在 25°C（77°F）时典型灵敏度仅为 50G，这通常允许使用更便宜的磁体或更大的气隙

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型号：ACS70331EESATR-2P5U3 编号：C459299

封装：QFN-12(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一款用于小于5A电流传感应用的集成式高灵敏度电流传感器IC。它采用巨磁阻（GMR）技术，比传统霍尔效应传感器灵敏25倍，可感应流经低电阻集成初级导体的电流所产生的磁场。模拟输出提供低噪声高速信号，与流经初级的电流成正比。该部件的响应时间通常为535ns。提供四种工厂编程的灵敏度和失调水平，以在所需的电流测量范围内优化性能。GMR元件相对于集成电流导体的差分配置可显著抑制杂散磁场，即使在有磁噪声的环境中也能稳定运行。采用单一3.3V电源供电，适用于-40°C至85°C的整个商业温度范围。提供薄型、节省空间的表面贴装QFN-12和SOIC-8封装。

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型号：MH254ESQ 编号：C114372

封装：DFN-3(2x2)

品牌：MST(美伽)

MH254霍尔效应传感器是一种温度稳定、抗应力、灵敏度容差低的微功耗开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除，实现了卓越的高温性能。这种方法可降低通常由器件塑封、温度变化和热应力引起的失调电压

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型号：TLV493DA2BWXTMA1 编号：C3715865

封装：WLCSP-5(0.9x1.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

这款三维霍尔效应传感器可由微控制器配置。测量数据以数字格式提供给微控制器。微控制器为主设备，传感器为从设备。该集成电路由三个主要功能单元组成，包含以下构建模块：电源模式控制系统，包含低功耗振荡器、基本偏置、精确重启、欠压检测和快速振荡器；传感单元，包含霍尔偏置、带多路复用器的霍尔探头和逐次跟踪 ADC，以及温度传感器；I²C 接口，包含寄存器文件和 I/O 引脚。

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型号：AH183-WG-7 编号：C155220

封装：SC-59

品牌：DIODES(美台)

DIODES AH182/DIODES AH183是一款带输出驱动器的三端霍尔效应传感器器件，主要为电池供电的手持设备（如手机、无绳电话和个人数字助理）而设计。在2.75V电源供电时，总工作功耗低至15μW。对于SIP - 3L封装，足够强度的南极磁场会使输出开启；而对于SC59封装，足够强度的北极磁场会使输出开启

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型号：DRV5053VAQDBZT 编号：C2877901

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

DRV5053 高电压（高达 38V）、线性霍尔效应传感器

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型号：DRV5055A4QDBZT 编号：C2864956

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

DRV5055 具有模拟输出的比例式线性霍尔效应传感器

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￥2.736
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型号：SI7210-B-12-IM2 编号：C1497664

封装：DFN-8(1.4x1.6)

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si7210系列霍尔效应磁传感器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和I²C接口集成在一起。该系列产品采用成熟的CMOS设计技术，内置数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有的霍尔效应传感器相比，Si7210系列具备业界领先的灵敏度，可支持更大的气隙和更小的磁铁

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