霍尔效应传感器_厂家_价格_品牌_库存

Si7201/2/3/4/5/6系列霍尔效应磁传感器开关和锁存器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和灵活的比较器电路相结合。Si720x系列采用成熟的CMOS设计技术，集成了数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有霍尔效应传感器相比，Si720x系列具有业界领先的灵敏度，可用于更大的气隙和更小的磁体

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型号：TLE4966GHTSA1 编号：C3715786

封装：TSOT-23-5

TLE4966G是一款专为高精度应用而设计的集成电路双霍尔效应传感器。通过片上的有源补偿电路和斩波技术，可实现精确的磁性开关点和高温度稳定性。该传感器每遇到一对磁极，就会在Q2端提供一个速度信号，并在Q1端提供一个方向信息，且方向信息会先于速度信号给出

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型号：TMCS1133B5AQDVGR 编号：C36088020

封装：SOIC-10

一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有出色的隔离功能和精度。该器件提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于1.4%的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于0.9%的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1126A7AQDVGRQ1 编号：C31175250

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1133C2AQDVGR 编号：C35413959

封装：SOIC-10

一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有出色的隔离功能和精度。该器件提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：AH3041 编号：C2832525

封装：SIP-4

品牌：南京艾驰

AH3041是一款数字式双极锁定霍尔电路，具有良好的温度稳定性和锁存功能。AH3041霍尔效应传感器内置有反向电压保护器、电压调整器、温度补偿电路、霍尔电压发生器、信号放大器、史密特触发器和集电极开路输出驱动器等电路单元。性能优良的电压调整器和温度补偿电路，确保传感器在较宽的电压范围和温度范围内稳定地工作，反向电压保护电路避免了传感器受到反向电压的损伤。

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型号：TLI49631MXTSA1 编号：C2152535

封装：SOT-23

TLI4963-1M是一款高精度霍尔效应传感器，具有锁存特性和高度精确的开关阈值，适用于高达125°C的工作温度。

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型号：TLE49421CBAMA1 编号：C7428258

封装：PG-SSO-2-4

差分双线霍尔效应传感器ic车轮速度应用与方向检测

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型号：SS461R 编号：C134476

封装：TO-92S

品牌：Honeywell(霍尼韦尔)

SS361RT 和 SS461R 是小型、多功能的数字霍尔效应传感器 IC，由永磁体或电磁体产生的磁场驱动，旨在响应交替的北极和南极。SS361RT 由北极触发开启，而 SS461R 由南极触发开启。这些锁存型数字霍尔效应传感器 IC 在 25°C（77°F）时典型灵敏度仅为 50G，这通常允许使用更便宜的磁体或更大的气隙

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型号：SI7201-B-06-IV 编号：C1559607

封装：SOT-23

Si7201/2/3/4/5/6系列霍尔效应磁传感器开关和锁存器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和灵活的比较器电路相结合。Si720x系列采用成熟的CMOS设计技术，集成了数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有霍尔效应传感器相比，Si720x系列具有业界领先的灵敏度，可用于更大的气隙和更小的磁体

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型号：SI7210-B-04-IVR 编号：C2152909

封装：SOT-23-5

Si7210系列霍尔效应磁传感器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和I²C接口集成在一起。该系列产品采用成熟的CMOS设计技术，内置数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有的霍尔效应传感器相比，Si7210系列具备业界领先的灵敏度，可支持更大的气隙和更小的磁铁

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型号：SI7212-B-00-IVR 编号：C2655014

封装：SOT-23

Si7211/2/3/4/5/6/7系列霍尔效应传感器将斩波稳定霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器相结合。经过模数转换后，磁场数据可采用模拟、PWM或SENT格式输出（具体取决于产品型号）。Si721x系列运用成熟的CMOS设计技术，集成了数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿

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型号：SI7201-B-10-IVR 编号：C2152487

封装：SOT-23

Si7201/2/3/4/5/6系列霍尔效应磁传感器开关和锁存器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和灵活的比较器电路相结合。Si720x系列采用成熟的CMOS设计技术，集成了数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有霍尔效应传感器相比，Si720x系列具有业界领先的灵敏度，可用于更大的气隙和更小的磁体

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型号：A1260LLHLT-T 编号：C17445088

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

垂直霍尔效应传感器IC是一种极其温度稳定且抗应力的磁传感设备，适用于恶劣的工作环境。该传感器由与器件标记面在同一平面内的交替北极和南极极性磁场驱动。两种封装选项，SOT23W表面贴装和SIP通孔封装，允许相对于安装位置以各种方向进行感应。通过动态失调消除，可实现高达175℃结温的卓越高温性能，该技术可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上包括：电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定、施密特触发器和短路保护的开漏输出，可吸收高达25mA的电流。板载调节器允许在3至24V的电源电压下工作

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型号：ACS70331EESATR-2P5U3 编号：C459299

封装：QFN-12(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一款用于小于5A电流传感应用的集成式高灵敏度电流传感器IC。它采用巨磁阻（GMR）技术，比传统霍尔效应传感器灵敏25倍，可感应流经低电阻集成初级导体的电流所产生的磁场。模拟输出提供低噪声高速信号，与流经初级的电流成正比。该部件的响应时间通常为535ns。提供四种工厂编程的灵敏度和失调水平，以在所需的电流测量范围内优化性能。GMR元件相对于集成电流导体的差分配置可显著抑制杂散磁场，即使在有磁噪声的环境中也能稳定运行。采用单一3.3V电源供电，适用于-40°C至85°C的整个商业温度范围。提供薄型、节省空间的表面贴装QFN-12和SOIC-8封装。

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型号：MH254ESQ 编号：C114372

封装：DFN-3(2x2)

品牌：MST(美伽)

MH254霍尔效应传感器是一种温度稳定、抗应力、灵敏度容差低的微功耗开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除，实现了卓越的高温性能。这种方法可降低通常由器件塑封、温度变化和热应力引起的失调电压

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型号：AH183-WG-7 编号：C155220

封装：SC-59

品牌：DIODES(美台)

DIODES AH182/DIODES AH183是一款带输出驱动器的三端霍尔效应传感器器件，主要为电池供电的手持设备（如手机、无绳电话和个人数字助理）而设计。在2.75V电源供电时，总工作功耗低至15μW。对于SIP - 3L封装，足够强度的南极磁场会使输出开启；而对于SC59封装，足够强度的北极磁场会使输出开启

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型号：DRV5053VAQDBZT 编号：C2877901

封装：SOT-23

DRV5053 高电压（高达 38V）、线性霍尔效应传感器

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型号：TLV493DA2BWXTMA1 编号：C3715865

封装：WLCSP-5(0.9x1.1)