霍尔效应传感器_厂家_价格_品牌_库存

A1220、A1221、A1222 和 A1223 霍尔效应传感器 IC 是温度稳定性极高且抗应力的器件，特别适合在高达 150°C 的宽温度范围内工作。动态失调消除技术使卓越的高温性能成为可能，该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个短路保护的开漏输出，可吸收高达 25 mA 的电流

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型号：SI7210-B-00-IVR 编号：C2654956

封装：SOT-23-5

Si7210系列霍尔效应磁传感器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和I²C接口集成在一起。该系列产品采用成熟的CMOS设计技术，内置数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有的霍尔效应传感器相比，Si7210系列具备业界领先的灵敏度，可支持更大的气隙和更小的磁铁

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型号：SI7210-B-02-IV 编号：C430239

封装：SOT-23-5

Si7210霍尔效应磁性传感器产品系列结合了斩波稳定型霍尔元件以及低噪声模拟放大器、13位AD转换器和1个I²C接口。借助成熟的CMOS设计技术，融入数字信号处理，为温度和失调漂移提供精密补偿。与现有霍尔效应传感器相比，具有行业领先的灵敏度，使传感器能够在较大气隙和较小磁体条件下使用。集成的13位高精度ADC可以实现高输出线性度，在极低噪声环境下达到最高的测量精度。支持双向I²C接口，该接口可以提供霍尔效应传感器操作点和释放点的完整配置。在任何时候，都可以通过该I²C接口读取13位磁场强度。

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型号：TMCS1126B2AQDVGR 编号：C39737720

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1126A4AQDVGR 编号：C39104757

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1123C3AQDVGR 编号：C35493534

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于1.4%的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于0.9%的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1123C4AQDVGR 编号：C37407843

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于1.4%的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于0.9%的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1126B9AQDVGRQ1 编号：C31790489

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：PT3661H1OAG7P1 编号：C2835488

封装：TO-92

品牌：PROLIFIC(旺玖)

设计用于电池供电的手持设备，如手机、无绳电话、PDA 和寻呼机应用。前置放大器级内置动态失调消除功能，可实现最佳对称磁传感。电源电压范围为 2.4V 至 6.0V，最大输出电流为 5mA。这款霍尔效应传感器 IC 将传感器、带动态失调消除功能的前置放大器和差分迟滞比较器集成在单芯片中。通过唤醒/睡眠定时控制实现微功耗运行。芯片将自动进入唤醒模式 45μS，并在剩余时间（90mS）进入睡眠模式（关机）。在唤醒模式下，芯片的传感器将启用并正常运行。在睡眠模式下，传感器将禁用以节省电量，输出将锁存在上一状态。

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型号：AH431 编号：C2690106

封装：TO-92S

品牌：Alfa(中科阿尔法)

AH431是基于双极半导体(Bipolar)工艺设计生产的霍尔效应传感器开关芯片。器件内部集成了霍尔效应电路、电压调节器、信号放大处理电路、施密特触发器和一个开关控制的电流源电路组成。AH431内部补偿特性使其灵敏度随温度升高略有升高，特别适合与常用的低成本磁钢匹配。增强输出驱动电路可以驱动更大的电流，降低器件内部功耗。AH431可以耐受60V高压冲击。以上特性大大提高了器件的可靠性，非常适合在汽车、工业电器和家电等产品中用作固态电子开关。提供T092S直插封装，贴片S0T23-3L封装，且封装都符合RoHS标准。

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型号：MH281KUA 编号：C114375

封装：TO-92S

品牌：MST(美伽)

MH281是一款单极霍尔效应传感器IC。它采用了先进的斩波稳定技术，以提供精确且稳定的磁开关点。其设计、规格和性能已针对固态开关应用进行了优化

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型号：CHI932TB 编号：C2879994

封装：TO-92S

品牌：COSEMITECH(意瑞)

CHA93X/CHI93X 霍尔效应传感器是具有极高温度稳定性和抗应力能力的传感器 IC，特别适合在 -40°C 至 150°C 的宽温度范围内工作。通过动态失调消除技术可实现卓越的高温性能，该技术可降低通常由器件注塑成型、温度依赖和热应力引起的剩余失调电压。该器件包括一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器，以及一个可吸收高达 25 mA 电流的短路保护开漏输出

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型号：SC2498UA-N 编号：C41371197

封装：SIP-3

品牌：Semiment(赛卓)

高性能数字双极霍尔效应传感器IC

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型号：TLE49631MXTSA1 编号：C2649493

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE4963-1M是一款高精度霍尔效应传感器，具有锁存特性和高精度开关阈值，适用于高达170°C的工作温度。

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型号：APS13290KUAA 编号：C2152633

封装：SIP-3

APS13290 和 APS13291 是三线式平面霍尔效应传感器集成电路（IC），特别适合在较宽的温度范围（最高可达 125°C）内工作。这一系列精密霍尔效应锁存 IC 非常适合工业和消费应用，其性能得到了提升，允许在最高 175°C 的结温下进行高温操作。此外，APS13290/1 还具备许多专门为增强系统稳定性而设计的特性，如反极性保护、输出电流限制器、过压保护和电磁兼容性（EMC）保护

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型号：A1262LLHLT-T 编号：C2688270

封装：SOT-23W-5

A1262是一款双通道锁存式霍尔效应传感器IC，具备垂直和平面霍尔元件。垂直和平面霍尔元件的感应轴相互正交，为环形磁铁提供90°的相位差，且该相位差本质上与磁极间距和气隙无关。A1262的二维架构通过在极小的占位面积内提供正交输出信号，简化了电机和磁性编码器的设计

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型号：AH5772-P-B 编号：C151386

封装：SIP-4

品牌：DIODES(美台)

AH5772 是一款用于驱动单线圈无刷直流（BLDC）风扇和电机的单芯片解决方案。集成的全桥驱动器输出级采用软开关技术，以最大限度降低可听开关噪声和电磁干扰（EMI），提供低噪声解决方案。为简化系统电路并减少外部元件数量，该器件集成了稳定的高灵敏度霍尔效应传感器、经过电压和温度补偿的内部参考源、放大器以及具有低导通电阻（RDoN）的输出 H 桥功率开关

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型号：TLE49461L 编号：C3716217

封装：SSO-3-2

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款专为高精度应用设计的集成电路霍尔效应传感器。通过芯片上的有源补偿电路和斩波技术，实现精确的磁开关点和高温度稳定性。

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型号：SI7211-B-00-IV 编号：C1526621

封装：SOT-23

Si7211/2/3/4/5/6/7系列霍尔效应传感器将斩波稳定霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器相结合。经过模数转换后，磁场数据可采用模拟、PWM或SENT格式输出（具体取决于产品型号）。Si721x系列运用成熟的CMOS设计技术，集成了数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿

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型号：ACS70331EOLCTR-2P5U3 编号：C459301

封装：SOIC-8

是一款用于小于5A电流传感应用的集成式高灵敏度电流传感器IC。它采用巨磁阻（GMR）技术，比传统霍尔效应传感器灵敏25倍，能够感应流经低电阻集成初级导体的电流所产生的磁场。模拟输出提供低噪声高速信号，与流经初级的电流成正比。器件的响应时间通常为535ns。有四种工厂编程的灵敏度和失调电平可供选择，以在所需的电流测量范围内优化性能。GMR元件相对于集成电流导体的差分配置可显著抑制杂散磁场，即使在磁场嘈杂的环境中也能稳定运行。该传感器IC由单3.3V电源供电，适用于-40°C至85°C的整个商用温度范围。提供薄型、节省空间的表面贴装QFN-12和SOIC-8封装。

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型号：AH603 编号：C2690111

封装：SOT-23

品牌：Alfa(中科阿尔法)

AH603线性霍尔效应传感器是一款小巧、通用的器件，由永磁体产生的磁场驱动。线性源输出电压由电源电压设定，并与磁场强度成正比变化。该集成电路具有低噪声输出特性，无需使用外部滤波

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型号：AH182-WG-7 编号：C842196

封装：SC-59-3

品牌：DIODES(美台)

DIODES AH182/DIODES AH183是一款带输出驱动器的三端霍尔效应传感器器件，主要为电池供电的手持设备（如手机、无绳电话和个人数字助理）而设计。在2.75V电源供电时，总工作功耗低至15μW。对于SIP - 3L封装，足够强度的南极磁场会使输出开启；而对于SC59封装，足够强度的北极磁场会使输出开启

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型号：APS12200LLHALT 编号：C2152630

封装：SOT-23W

APS12200、APS12210和APS12230是三线式平面霍尔效应传感器集成电路（IC）。这些器件是根据ISO 26262:2011标准开发的，支持ASIL A功能安全等级。这一系列精密霍尔效应锁存器IC具备扩展的AEC-Q100认证，非常适合在高达175°C结温的高温环境下工作

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型号：MLX92213ELD-AAA-000-RE 编号：C3029785

封装：UTQFN-6(1.5x2)

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

MLX92213微功耗低压锁存霍尔效应传感器IC采用混合信号CMOS工艺制造。它采用了先进的相关双采样（CDS）技术，以提供精确且稳定的磁性开关点。为了节省功耗，内部时序逻辑会在唤醒和睡眠模式之间交替，从而显著降低功耗

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型号：A1221LLHLT-T 编号：C696107

封装：SOT-23

A1220、A1221、A1222 和 A1223 霍尔效应传感器 IC 是温度稳定性极高且抗应力的器件，特别适合在高达 150°C 的宽温度范围内工作。动态失调消除技术实现了卓越的高温性能，该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单颗硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个具有短路保护功能的开漏输出，可吸收高达 25 mA 的电流

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型号：SI7210-B-03-IV 编号：C1559856

封装：SOT-23-5

Si7210系列霍尔效应磁传感器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和I²C接口集成在一起。该系列产品采用成熟的CMOS设计技术，内置数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有的霍尔效应传感器相比，Si7210系列具备业界领先的灵敏度，可支持更大的气隙和更小的磁铁

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型号：A1222LLHLT-T 编号：C2655090

封装：SOT-23W