霍尔效应传感器_厂家_价格_品牌_库存

ACS70331是一款集成式高灵敏度电流传感器IC，适用于<5 A的电流传感应用。它采用了巨磁阻（GMR）技术，该技术的灵敏度比传统霍尔效应传感器高25倍，可感应流经低电阻集成初级导体的电流所产生的磁场。模拟输出提供低噪声高速信号，该信号与流经初级的电流成正比

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型号：TMCS1126B3BQDVGR 编号：C38253197

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于1.4%的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于0.9%的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1126B2AQDVGR 编号：C39737720

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1126A4AQDVGR 编号：C39104757

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1123C3AQDVGR 编号：C35493534

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于1.4%的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于0.9%的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1123C4AQDVGR 编号：C37407843

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于1.4%的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于0.9%的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1126B9AQDVGRQ1 编号：C31790489

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：TMCS1123A3AQDVGR 编号：C22445467

封装：SOIC-10

电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：MH248EUA 编号：C114366

封装：TO-92S

MH248霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力、微功耗的开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除功能，实现了卓越的高温性能。该方法可降低通常由器件过模塑、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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型号：MH253EUA 编号：C114370

封装：TO-92S

MH253霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力的开关。通过采用斩波稳定技术进行动态失调消除，实现了卓越的高温性能。这种方法可降低通常由器件注塑成型、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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型号：AH431 编号：C2690106

封装：TO-92S

品牌：Alfa(中科阿尔法)

AH431是基于双极半导体(Bipolar)工艺设计生产的霍尔效应传感器开关芯片。器件内部集成了霍尔效应电路、电压调节器、信号放大处理电路、施密特触发器和一个开关控制的电流源电路组成。AH431内部补偿特性使其灵敏度随温度升高略有升高，特别适合与常用的低成本磁钢匹配。增强输出驱动电路可以驱动更大的电流，降低器件内部功耗。AH431可以耐受60V高压冲击。以上特性大大提高了器件的可靠性，非常适合在汽车、工业电器和家电等产品中用作固态电子开关。提供T092S直插封装，贴片S0T23-3L封装，且封装都符合RoHS标准。

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型号：MH281KSO 编号：C114374

封装：SOT-23-3L

MH281是一款单极霍尔效应传感器IC。它采用了先进的斩波稳定技术，以提供精确且稳定的磁开关点。其设计、规格和性能已针对固态开关应用进行了优化

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型号：TLI49631MXTSA1 编号：C2152535

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

TLI4963-1M是一款高精度霍尔效应传感器，具有锁存特性和高度精确的开关阈值，适用于高达125°C的工作温度。

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型号：A1262LLHLT-T 编号：C2688270

封装：SOT-23W-5

A1262是一款双通道锁存式霍尔效应传感器IC，具备垂直和平面霍尔元件。垂直和平面霍尔元件的感应轴相互正交，为环形磁铁提供90°的相位差，且该相位差本质上与磁极间距和气隙无关。A1262的二维架构通过在极小的占位面积内提供正交输出信号，简化了电机和磁性编码器的设计

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型号：AH5772-P-B 编号：C151386

封装：SIP-4

品牌：DIODES(美台)

AH5772 是一款用于驱动单线圈无刷直流（BLDC）风扇和电机的单芯片解决方案。集成的全桥驱动器输出级采用软开关技术，以最大限度降低可听开关噪声和电磁干扰（EMI），提供低噪声解决方案。为简化系统电路并减少外部元件数量，该器件集成了稳定的高灵敏度霍尔效应传感器、经过电压和温度补偿的内部参考源、放大器以及具有低导通电阻（RDoN）的输出 H 桥功率开关

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型号：A1315LLHLX-1-T 编号：C17661488

封装：SOT-23W

新的线性输出霍尔效应传感器应用，如位移和角位置，需要更高的精度和更小的封装尺寸。线性霍尔效应传感器IC专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件有表面贴装和通孔封装两种形式。每个器件的精度通过生产线末端优化得到提高

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型号：TLE49461L 编号：C3716217

封装：SSO-3-2

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款专为高精度应用设计的集成电路霍尔效应传感器。通过芯片上的有源补偿电路和斩波技术，实现精确的磁开关点和高温度稳定性。

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型号：MH248ESO 编号：C114364

封装：SOT-23-3L

MH248霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力、微功耗的开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除功能，实现了卓越的高温性能。该方法可降低通常由器件过模塑、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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型号：OH9253-S 编号：C174067

封装：SOT-23

品牌：南京欧卓

OH9253霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力的开关，在单个硅芯片上集成了以下部件：稳压器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器和开漏输出。该传感器采用先进的CMOS晶圆制造工艺，以满足低电压要求，实现元件匹配，具备极低的输入失调误差和较小的元件尺寸。

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型号：AH182-WG-7 编号：C842196

封装：SC-59-3

品牌：DIODES(美台)

DIODES AH182/DIODES AH183是一款带输出驱动器的三端霍尔效应传感器器件，主要为电池供电的手持设备（如手机、无绳电话和个人数字助理）而设计。在2.75V电源供电时，总工作功耗低至15μW。对于SIP - 3L封装，足够强度的南极磁场会使输出开启；而对于SC59封装，足够强度的北极磁场会使输出开启

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型号：APS12200LLHALT 编号：C2152630

封装：SOT-23W

APS12200、APS12210和APS12230是三线式平面霍尔效应传感器集成电路（IC）。这些器件是根据ISO 26262:2011标准开发的，支持ASIL A功能安全等级。这一系列精密霍尔效应锁存器IC具备扩展的AEC-Q100认证，非常适合在高达175°C结温的高温环境下工作

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型号：A1221LLHLT-T 编号：C696107

封装：SOT-23

A1220、A1221、A1222 和 A1223 霍尔效应传感器 IC 是温度稳定性极高且抗应力的器件，特别适合在高达 150°C 的宽温度范围内工作。动态失调消除技术实现了卓越的高温性能，该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单颗硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个具有短路保护功能的开漏输出，可吸收高达 25 mA 的电流

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型号：APS11800LLHALT-0SH1A 编号：C19762030

封装：SOT-23W

是一款两线平面霍尔效应传感器集成电路，按照ISO 26262:2011开发。包含内部诊断和故障状态，与适当的系统级控制集成使用时，支持ASIL B功能安全级别。两线接口提供互连开路/短路诊断和故障状态，可在保持与传统两线系统兼容性的同时传达诊断信息。连续的背景诊断对主机系统透明，减少了容错时间

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型号：SI7210-B-03-IV 编号：C1559856

封装：SOT-23-5

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si7210系列霍尔效应磁传感器将斩波稳零霍尔元件与低噪声模拟放大器、13位模数转换器和I²C接口集成在一起。该系列产品采用成熟的CMOS设计技术，内置数字信号处理功能，可对温度和失调漂移进行精确补偿。与现有的霍尔效应传感器相比，Si7210系列具备业界领先的灵敏度，可支持更大的气隙和更小的磁铁

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型号：A1222LLHLT-T 编号：C2655090

封装：SOT-23W

A1220、A1221、A1222 和 A1223 霍尔效应传感器 IC 是温度稳定性极高且抗应力的器件，特别适合在高达 150°C 的宽温度范围内工作。动态失调消除技术使卓越的高温性能成为可能，该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器以及一个短路保护的开漏输出，可吸收高达 25 mA 的电流

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型号：A1315LLHLX-5-T 编号：C17534652

封装：SOT-23W