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首页 > 热门关键词 > 威世雪崩二极管
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  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向选择。 采用10/1000μs波形时,具有600W的峰值脉冲功率能力。 出色的钳位能力。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
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  • 特性:玻璃钝化芯片结。 单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
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  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于敏感电子设备,防止由电感负载开关和雷击在消费、计算机、工业和电信领域的 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
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  • 特性:玻璃钝化芯片结。 单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
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  • 特性:玻璃钝化芯片结。 单向和双向可用。 10/1000 μs波形下具有500 W峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变
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  • 特性:玻璃钝化芯片结。 单向和双向可用。 10/1000 μs波形下具有500 W峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变
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  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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  • 特性:200 W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000 μs,重复率(占空比):0.01%。 低外形封装。 可波峰焊和回流焊。 符合 IEC 61000-4-2 的 ESD 抗扰度:接触放电 ±30 kV,空气放电 ±30 kV。 根据 AEC-Q101 的 ESD 能力:人体模型:H3B 类 > 8 kV。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 “低噪声”技术,响应时间极快。 可提供 AEC-Q101 认证产品。 与 SOD-123w 封装外形、SOD-123F 和 SOD-123FL 兼容
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  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域的传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
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  • 特性:低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01 %(78 V以上为300 W)。 出色的钳位能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于保护敏感电子设备,防止因感性负载开关和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线上产生的电压瞬变。
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      ¥2.45
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  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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  • 特性:极低的外形。 典型高度为 1.0mm。 适合自动贴装。 提供单向型号。 采用 10/1000μs 波形时,具有 400W 峰值脉冲功率能力。 出色的钳位能力。应用:用于敏感电子设备,防止由电感负载开关和雷击在消费、计算机、工业和电信领域的 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
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    • 30+

      ¥2.56
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  • 特性:玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向类型。 10/1000 μs波形下600 W峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快速的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和照明在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变
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  • 特性:低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01 %(78 V以上为300 W)。 出色的钳位能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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  • 特性:低剖面封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单极性和双极性可选。 400 W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000 μs,重复率(占空比):0.01%(91 V 以上为 300 W)。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于敏感电子设备,防止由电感负载开关和雷电在 IC、MOSFET、消费、计算机、工业和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
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  • 特性:低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01 %(78 V以上为300 W)。 出色的钳位能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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  • 特性:玻璃钝化芯片结。 单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
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  • 特性:玻璃钝化芯片结。 单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
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  • VBR=15V,Vc=21.2V,Ipp=71.7A 单向
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  • 特性:玻璃钝化芯片结。 单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
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  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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  • 特性:仅提供单向极性。 10/1000 μs波形下具有400 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 响应时间极快。 低增量电阻。 浸焊温度最高275 °C,持续10 s,符合JESD 22-B106标准。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和照明在集成电路、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
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