力特ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-323

AQ3522-01FTG集成了超低电容二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的元件能够安全吸收超过IEC 61000-4-2国际标准（4级，±8kV接触放电）规定的最大水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护V-By-One、HDMI、USB3.0和USB2.0等高速度信号引脚。

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型号：SP3522-01UTG 编号：C3715418

封装：DFN0603-2

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3522集成了超低电容的阴极对阴极硅雪崩二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。该耐用组件能够安全吸收超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平（±8 kV接触放电）的反复ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

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型号：SP4022-01FTG 编号：C1974804

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4022系列分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些器件每IEC 61000 - 4 - 5第二版（tp = 8/20μs）可安全吸收高达15A的电流，性能不会下降，且每IEC61000 - 4 - 2国际标准可承受最小±30kV的ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

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型号：SP4044-04ATG 编号：C1975848

封装：MSOP-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4044将低电容二极管与额外的齐纳二极管集成在一起，以保护每个I/O引脚免受静电放电（ESD）和高浪涌事件的影响。这款坚固的器件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达24A的电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），性能不会下降，并且按照IEC 61000 - 4 - 2国际标准，其最小静电放电抗扰度为±30kV。其低负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

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型号：AQ1205-01ETG 编号：C3713749

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ1205-01ETG双向TVS采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高水平的ESD（静电放电）保护。AQ1205-01ETG TVS可以安全地吸收重复的±30 kV ESD冲击（接触放电和空气放电，符合IEC 61000-4-2标准），而不会出现任何性能下降。此外，它还可以安全地耗散7A 8/20us浪涌事件（符合IEC 61000-4-5第二版标准）。

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型号：AQ3102-02JTG 编号：C3705570

封装：SC-70-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

集成2通道低电容转向二极管和一个额外的齐纳二极管，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的汽车电子设备提供保护。能够安全吸收高于IEC 61000-4-2国际标准（4级，2kV接触放电）规定的最大接触水平的重复ESD冲击，且性能不会下降。低关态电容使其非常适合保护高速信号线，如USB2.0、USB 3.0和1Gb以太网，具有极低的动态电阻，可保护最敏感的先进芯片组免受ESD瞬变影响。

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型号：SLD8S18A 编号：C3705315

封装：SMD

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLD8S系列TVS二极管采用引脚改进型SMTO - 263封装。它旨在保护敏感电子设备，使其免受雷电和感性负载开关电压瞬变事件的影响，适用于严苛的汽车负载突降应用。

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型号：AQ4021-01FTG 编号：C1976053

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4021 组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，用于单向或双向保护，以抵御 ESD 和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据 IEC 61000 - 4 - 5 第 2 版标准（tp = 8/20μs）安全吸收高达 25A 的电流，且性能不会下降，同时符合 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，最低可承受 ±30kV 的 ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口和其他高速数据接口。

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型号：SP3025-04HTG 编号：C5346089

封装：SOT-23-6L

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3025-04HTG是一款低电容TVS二极管阵列，旨在为高速差分数据线提供针对ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）、EFT（电快速瞬变）和雷电感应浪涌的保护。它采用SOT23 - 6L封装，每个器件最多可保护4个通道，可承受高达30A（IEC 61000 - 4 - 5第2版）的电流和高达±30kV的ESD（IEC 61000 - 4 - 2）。SP3025-04HTG具有低电容和低钳位电压的特性，使其非常适合用于高速数据接口，如笔记本电脑、交换机等设备中的1GbE应用。

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￥6.09
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型号：SC1115-01UTG 编号：C3700113

封装：DFN-2(1x1.6)

品牌：Littelfuse(美国力特)

雪崩击穿二极管采用专有的硅雪崩技术制造，可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管可以安全地承受±30kV（接触和空气放电，符合IEC 61000-4-2标准）的反复ESD冲击，而不会出现性能下降。此外，每个二极管可以在极低的钳位电压下安全耗散80A（SC1105）的8/20μs浪涌电流（符合IEC 61000-4-5第二版标准）。

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￥0.8679
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型号：AQ4023-01FTG-C 编号：C3708453

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4023系列分别将低电容转向二极管与一个或两个雪崩击穿二极管集成，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些元件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达12A的浪涌电流（脉冲持续时间tp = 8 / 20μs），且性能不会下降，同时根据IEC 61000 - 4 - 2国际标准，其最低ESD防护能力为±30kV。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护电信端口，如+DSL以及其他高压、高速传统接口

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￥1.0919
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型号：AQ05-02HTG 编号：C1976978

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

A0x-02H TG系列TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌造成的损坏。该AO×X系列能够安全吸收±30 kV的重复性ESD冲击（符合IEC 61000-4-2标准规定的接触放电和空气放电），且性能不会下降。此外，AQ05能够在低电压钳位水平下，安全传导符合IEC 61000-4-5第二版标准规定的33A 8/20浪涌电流。

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3000+
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型号：AQ1210-01ETG 编号：C3712221

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ1210-01ETG双向TVS采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高水平的ESD（静电放电）保护。AQ1210-01ETG TVS可以安全吸收重复的±30 kV ESD（接触放电和空气放电，符合IEC 61000-4-2标准），而不会出现性能下降。此外，每个TVS可以安全耗散15A 8/20us浪涌事件（符合IEC 61000-4-5第二版标准）。

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型号：SP720APP 编号：C5342243

封装：PDIP-16

品牌：Littelfuse(美国力特)

是用于静电放电和过压保护的SCR/二极管双极结构阵列，可保护敏感输入电路。每个输入有2个保护SCR/二极管器件结构，共有14个可用输入，可保护多达14条外部信号或总线线路。过压保护从IN（引脚1-7和9-15）到V+或V-。SCR结构设计为在高于V+（引脚16）一个+VBE二极管阈值或低于V-（引脚8）一个-VBE二极管阈值的阈值下快速触发。如果瞬态脉冲使输入电压升高到比V+高一个VBE的电压水平，则会激活到V+的钳位；如果向IN输入施加比V-低一个VBE的负脉冲，则会激活到V-的类似钳位。标准静电放电人体模型（HBM）能力如下。

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￥22.15
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型号：SP4024-01FTG 编号：C316005

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4024系列分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些器件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达7A的浪涌电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时符合IEC 61000 - 4 - 2国际标准，具备最低±30kV的ESD防护能力。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

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￥5.43
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￥4.43
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￥3.93

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型号：SP1011-04UTG 编号：C1975078

封装：UDFN-6(1x1.3)

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的雪崩击穿二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为高速信号引脚保护的理想选择。

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1+
￥6.91
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￥5.83
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￥5.24

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型号：SRDA05-4BTG 编号：C1973111

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

SRDA05集成了低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，以保护I/O引脚免受ESD和雷电感应浪涌事件的影响。该耐用设备可根据IEC61000-4-5标准（脉冲宽度tp = 8/20μs）安全吸收高达30A的电流，且性能不会下降，同时符合IEC61000-4-2国际标准，具有至少±30kV的ESD防护能力。其低负载电容使其非常适合用于高速接口保护。

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￥7.4
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￥6.24
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￥5.61

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型号：SP7538PUTG 编号：C1976609

封装：UDFN-9(3.8x1)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP7538P集成了8通道超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的器件能够安全吸收超过国际标准IEC 61000 - 4 - 2规定的最大电平（±8kV接触放电）的反复ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB2.0、IEEE 1394。

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￥10.2
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￥8.56
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￥7.66

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型号：SP3374NUTG 编号：C1973296

封装：DFN3020-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3374NUTG是一款低电容TVS二极管阵列，旨在为高速差分数据线提供针对ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）、EFT（电快速瞬变）和雷电感应浪涌的保护。它采用μDFN封装（3.0 × 2.0mm），每个器件最多可保护4个通道或2个差分对，可承受高达40A（IEC 61000 - 4 - 5第2版）的浪涌电流和高达30kV的ESD（IEC 61000 - 4 - 2）。“直连式”设计可最大程度减少信号失真、降低电压过冲，并简化PCB设计。SP3374NUTG具有低电容和低钳位电压的特性，非常适合用于高速数据接口，如笔记本电脑、交换机等设备中的1GbE应用。

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1+
￥16.43
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￥16.12
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￥15.91

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型号：SP3014-02UTG 编号：C207282

封装：UDFN-6(1x1.6)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3014系列集成了两路低电容导向二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。SP3014能够安全吸收超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平（±8kV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。低负载电容使其非常适合保护高速信号线，如USB2.0和1Gb以太网，其极低的动态电阻可保护最敏感的先进芯片组免受ESD瞬态影响。

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￥2.68
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￥2.12
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￥1.88

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型号：AQ3045-01ETG 编号：C3710326

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背 TVS 二极管，为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供保护。这些坚固的二极管可以安全地吸收高达 IEC 61000-4-2 国际标准规定的最大水平（±30kV 接触放电）的重复 ESD 冲击，而不会降低性能。背对背配置在存在交流信号时为数据线提供对称的 ESD 保护，低负载电容使其非常适合保护高速数据线，如 HDMI、USB2.0、USB3.0 和 eSATA。

1+
￥0.648
50+
￥0.6318
1000+
￥0.6102

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型号：SP3304NUTG 编号：C207285

封装：DFN-10-EP(2.6x2.6)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3304N集成了4通道低电容二极管和一个额外的齐纳二极管，用于保护敏感的I/O引脚免受雷击浪涌事件和静电放电（ESD）的影响。这款坚固的器件可根据IEC 61000 - 4 - 5第2版标准安全吸收高达20A的浪涌电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时依据IEC 61000 - 4 - 2国际标准，其最小ESD防护能力为±30kV。低负载电容使SP3304N非常适合保护高速信号引脚。

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1+
￥1.2744
50+
￥1.242
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￥1.2096

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型号：SP3003-02XTG 编号：C207278

封装：SOT-553

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3003具备超低电容的轨到轨二极管以及一个额外的齐纳二极管，采用专有硅雪崩技术制造，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8 KV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394等高速度信号引脚。

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1+
￥1.4049
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￥1.1209
30+
￥0.9992
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￥0.8473
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￥0.7796
1000+
￥0.7391

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型号：SP721ABTG 编号：C17272510

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

是用于静电放电 (ESD) 和过压保护的 SCR/二极管双极结构阵列，可保护敏感输入电路。每个输入有 2 个保护 SCR/二极管器件结构，共有 6 个可用输入，可保护多达 6 条外部信号或总线线路。过压保护范围是从 IN（引脚 1-3 和引脚 5-7）到 V+ 或 V-。SCR 结构设计用于在高于 V+（引脚 8）一个 +VBE 二极管阈值或低于 V-（引脚 4）一个 -VBE 二极管阈值的阈值下快速触发

1+
￥15.75
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￥15.43
30+
￥15.21
100+
￥15

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型号：AQ4022-01FTG 编号：C468894

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4022系列分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可防护ESD和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版（tp = 8/20μs）安全吸收高达15A的电流，且性能不会下降，同时根据IEC 61000 - 4 - 2国际标准，其最低ESD防护能力为±30kV。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

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￥0.9294
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￥0.911
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￥0.8987
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￥0.8865

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型号：SP1006-01UTG 编号：C1665891

封装：UDFN-2

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地承受±30kV（接触放电，IEC 81000 - 4 - 2）的反复ESD冲击，且性能不会下降。此外，每个二极管能够在极低的钳位电压下，安全地消散5A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000 - 4 - 5，第2版）

5+
￥1.0769
50+
￥1.0556
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￥1.0414
500+
￥1.0272

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型号：SP1103C-01UTG 编号：C1976607

封装：DFN1610-2

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP1103C采用专利硅雪崩技术制造的瞬态电压抑制（TVS）二极管，对每个I/O引脚进行保护，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的防护。这些耐用的二极管能够安全地吸收±30kV（接触放电，符合IEC 61000 - 4 - 2标准）的重复ESD冲击，且性能不会下降。此外，每个二极管能够在极低的钳位电压下，安全地耗散80A的8/20ms浪涌电流（符合IEC 61000 - 4 - 5第二版标准）。

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35+
￥2.358662
100+
￥1.89543
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￥1.588877
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￥1.4812

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型号：SP00R6-01WTG 编号：C3700768

封装：0201

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP00R6的特点是击穿/导通电压极低，使其成为-0.3 V至+0.3 V低压数据线的理想保护器件。这些耐用的二极管能够安全吸收超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。

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￥12.14
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￥10.33
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￥9.2
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￥8.05
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￥7.52
1000+
￥7.3

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型号：1.5SMC6.8A 编号：C116952

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬变二极管1.5SMC6.8A/UNIDO-214AB/SMC

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单价：
￥0.98394 / 个

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型号：AQ3102-02HTG 编号：C3704297

封装：SOT-23-3L

品牌：Littelfuse(美国力特)

集成2通道低电容转向二极管和一个额外的齐纳二极管，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的汽车电子设备提供保护。可以安全地吸收高于IEC 61000-4-2国际标准（4级，2kV接触放电）规定的最大接触水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。低关态电容使其非常适合保护高速信号线，如USB2.0或USB 3.0和1Gb以太网，具有极低的动态电阻，可保护最敏感的先进芯片组免受ESD瞬变影响。

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