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单向ESD 7V截止峰值浪涌电流：2.5A@8/20us

型号：SP3530-01ETG 编号：C1974595

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

这款SP3530单向二极管采用专有的硅雪崩技术制造。它能为可能遭受静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这款耐用的元件能够安全地承受高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平（±8kV接触放电）的反复ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

5+
￥0.4229
50+
￥0.4144
150+
￥0.4088
500+
￥0.4031

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ESD 6V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

型号：SP1326-01LTG 编号：C1975601

封装：SOD-523

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP1326背对背二极管采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供了高等级的ESD（静电放电）保护。SP1326 TVS能够安全吸收±30 kV（接触和空气放电，符合IEC 61000 - 4 - 2标准）的反复ESD冲击，且性能不会下降。此外，每个二极管能够在极低的钳位电压下安全耗散4A的8/20μs浪涌电流（符合IEC 61000 - 4 - 5第二版标准）。

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10+
￥0.4666
100+
￥0.3745
300+
￥0.3284

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双向 6V 2A@8/20us

型号：SP1026-01UTG 编号：C316002

封装：UDFN

品牌：Littelfuse(美国力特)

背对背二极管采用专有硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高静电放电（ESD）保护水平。TVS 可安全吸收 ±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）的重复静电放电冲击，而不会降低性能。此外，每个二极管都可以在极低的钳位电压下安全耗散 5A 的 8/20μs 浪涌电流（IEC 61000-4-5）。

数据手册

5+
￥0.7294
50+
￥0.5926
150+
￥0.5242
500+
￥0.4729

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双向TVS 3.3V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：SC1333-01ETG 编号：C3709801

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

SC1333-01ETG背对背二极管采用专有硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供了高ESD（静电放电）保护等级。SC1333-01ETG TVS能够在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8kV接触放电）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。背对背配置为数据线提供对称的ESD保护。此外，SC1333-01ETG可提供高达5A的8/20μs浪涌额定值，且钳位电压较低。

5+
￥0.8498
50+
￥0.687
150+
￥0.6057

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双向TVS 5V截止峰值脉冲电流：2A@8/20us

型号：SP3213-01UTG 编号：C3712066

封装：DFN0603-2

品牌：Littelfuse(美国力特)

双向 TVS 二极管，为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供超低电容和高级别的保护。典型电容为 0.09pF，有助于确保最具挑战性的消费电子接口（如 USB 3.2、3.1、HDMI 2.1、2.0、DisplayPort、Thunderbolt 和 v-by-One）的信号完整性。可安全吸收 ±12kV（接触放电，IEC 61000-4-2）的重复 ESD 冲击，性能不会下降，并能安全耗散 2A 的 8/20μs 浪涌电流（IEC 61000-4-5 第 2 版）。

5+
￥1.4719
50+
￥1.1871
150+
￥1.0651
500+
￥0.9128

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TVS 2.8V截止峰值浪涌电流：30A@8/20us

型号：SLVU2.8-8BTG 编号：C1847673

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLVU2.8 - 8旨在保护低电压CMOS器件免受静电放电（ESD）和雷击引起的瞬态影响。每个低电压瞬态电压抑制器（TVS）都串联一个补偿二极管，以向受保护线路呈现低负载电容。这些坚固的结构可根据IEC 61000 - 4 - 2标准安全吸收±30kV（接触放电）的反复ESD冲击，并且能在极低的钳位电压下安全耗散高达30A（IEC 61000 - 4 - 5第2版，tp = 8/20μs）的电流。

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1+
￥7.93
10+
￥6.77
30+
￥6.13
100+
￥5.41

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ESD 5V截止峰值脉冲电流：2A@8/20us

型号：SP3422-04UTG 编号：C1974549

封装：DFN-5(0.6x1)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3422集成了4通道超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的元件能够安全吸收超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平（±8kV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V-by-One、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

数据手册

5+
￥0.57375 ￥1.9125
50+
￥0.30436 ￥1.5218
150+
￥0.13544 ￥1.3544
500+
￥0.11456 ￥1.1456
3000+
￥0.10526 ￥1.0526
6000+
￥0.09968 ￥0.9968

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：2.5A@8/20us

型号：AQ3522-01LTG 编号：C1236024

封装：SOD-523

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ3522集成了超低电容二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的组件能够安全吸收超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

数据手册

5+
￥1.3231
50+
￥1.0734
150+
￥0.9664

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低电容ESD保护TVS

型号：SP3222-02ETG 编号：C1979164

封装：SOD-883

品牌：Littelfuse(美国力特)

集成2通道低电容二极管，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这些坚固的二极管能够安全吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击，而不会出现性能下降。低负载电容使其非常适合保护高速数据线，如DVI、USB2.0、USB3.0和eSATA。

5+
￥1.7063
50+
￥1.3762
150+
￥1.2347
500+
￥1.0582

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单向 24V 7A@8/20us

型号：AQ4024-01FTG-C 编号：C1975477

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，分别用于单向或双向保护，以防止ESD和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据IEC 61000-4-5第2版（tp = 8/20μs）安全吸收高达7A的电流而性能不会下降，并且根据IEC 61000-4-2国际标准，最低可承受±30kV的ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护电信端口，如xDSL和其他高压、高速传统接口。

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5+
￥1.7919
50+
￥1.4176
150+
￥1.2572

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单向TVS 5.5V截止

型号：SP0506BAATG 编号：C207265

封装：MSOP-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

该表面贴装阵列系列可抑制静电放电（ESD）和其他瞬态过电压事件。这些元件用于满足国际电气兼容性（IEC 瞬态抗扰度标准 IEC 61000 - 4 - 2 静电放电要求），可帮助保护数据、信号或控制线路上的敏感数字或模拟输入电路，其电压高达 5VDC。这些单片硅阵列由专为瞬态电压抑制（TVS）设计的特殊结构组成。这些结构的尺寸和形状经过专门设计，以实现瞬态保护。与压敏电阻（MOV）相比，该二极管阵列具有更低的钳位电压和更低的关态电容。

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1+
￥7.98
10+
￥6.59
30+
￥5.83

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双向TVS 6V截止峰值浪涌电流：150A@8/20us

型号：SP03-6BTG 编号：C2766089

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

这款新型宽带保护组件可为诸如10/100/1000 BaseT以太网、TVE3 DS3接口、ADSL2+和VDSL2+等应用提供过压保护。这款新型保护器将TVS二极管元件与二极管整流桥相结合，在一个封装中同时提供纵向和差分保护。这种创新设计使得该器件的电容负载特性相对于其两端的信号电压呈对数线性关系

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1+
￥8.81
10+
￥7.42
30+
￥6.66

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TVS 3.3V截止峰值浪涌电流：20A@8/20us

型号：SP1233-01ETG 编号：C1974681

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP1233采用专有的硅雪崩技术制造的瞬态电压抑制（TVS）二极管，可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管能够安全吸收±30kV（接触放电，符合IEC61000 - 4 - 2标准）的反复ESD冲击，且性能不会下降。此外，SP1233可提供高达20A的8/20浪涌额定值，且钳位电压较低。

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5+
￥0.6603
50+
￥0.6473
150+
￥0.6386

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ESD 5V截止

型号：SP0544TUTG 编号：C80234

封装：UDFN-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP0544T集成了4通道超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的器件能够安全吸收超过IEC61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平（±8kV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

1+
￥0.741 ￥2.47
10+
￥0.484 ￥2.42
30+
￥0.239 ￥2.39
100+
￥0.235 ￥2.35

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单向TVS 5V截止峰值浪涌电流：7A@8/20us

型号：AQ1003-01LTG 编号：C3702224

封装：SOD-523

品牌：Littelfuse(美国力特)

该分立 TVS 二极管采用专有的硅雪崩技术制造，可保护电子设备 5/0 引脚免受破坏性静电放电 (ESD) 的影响。这些坚固的 TVS 能够承受 ±30 kV 级别的重复接触或空气 ESD 放电事件，而不会出现任何性能下降。这超过了 IEC 61000-4-2 的 ESD 接触和空气放电测试要求。此外，TVS 能够承受 IEC 61000-4-5 第二版中定义的 8/20 浪涌电流事件，最高可达 7A，并且仍能提供低电压钳位水平。

5+
￥0.9598
50+
￥0.7798
150+
￥0.6898
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双向TVS 6V截止峰值脉冲电流：1A@8/20us

型号：SP1002-01JTG 编号：C316001

封装：SC-70-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的背对背齐纳二极管对每个 I/O 引脚进行保护，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的防护。这些耐用的二极管能够在 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准规定的最高等级（4 级，±8kV 接触放电）下安全吸收反复的 ESD 冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使它们非常适合用于保护高速信号引脚

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5+
￥1.3026
50+
￥1.0506
150+
￥0.9426
500+
￥0.8078

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ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：24A@8/20us

型号：SP4045-04ATG 编号：C1973399

封装：MSOP-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4045将低电容二极管与额外的齐纳二极管集成在一起，以保护每个I/O引脚免受ESD和高浪涌事件的影响。这款耐用的器件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达24A的电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时符合IEC 61000 - 4 - 2国际标准，具备最低±30kV的ESD防护能力。其低负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

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1+
￥8.95
10+
￥7.71
30+
￥7.04

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双向TVS 6V截止峰值脉冲电流：10A@8/20us

型号：SP1005-01WTG 编号：C207271

封装：0201

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP1005包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这些耐用的二极管能够安全吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高水平（4级，±8 kV接触放电和±15 kV空气放电）的反复ESD冲击，且性能不会下降。当存在交流信号时，背对背配置可为数据线提供对称的ESD保护。

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1+
￥0.19775
50+
￥0.18984
1000+
￥0.18193

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单向TVS 15V截止峰值浪涌电流：12A@8/20us

型号：SP4023-01FTG 编号：C720049

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4023系列分别将低电容转向二极管与一个或两个雪崩击穿二极管集成，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达12A的浪涌电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时符合IEC 61000 - 4 - 2国际标准，具备最低±30kV的ESD防护能力。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

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1+
￥0.8955
10+
￥0.8776
30+
￥0.8657

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TVS 12V截止峰值浪涌电流：17A@8/20us

型号：SM12-02HTG 编号：C133185

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

SM系列瞬态电压抑制二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击浪涌的损害。SM系列能够承受超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平的反复ESD冲击，且性能不会下降，并能以极低的钳位电压安全地耗散高达24A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000 - 4 - 5，第2版）。

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5+
￥1.2362
50+
￥0.9842
150+
￥0.8762

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TVS 15V截止峰值浪涌电流：15A@8/20us

型号：AQ15-02HTG 编号：C1976961

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

A0x-02H TG系列TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌造成的损坏。该AO×X系列能够安全吸收±30 kV的重复性ESD冲击（符合IEC 61000-4-2标准规定的接触放电和空气放电），且性能不会下降。此外，AQ05能够在低电压钳位水平下，安全传导符合IEC 61000-4-5第二版标准规定的33A 8/20浪涌电流。

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1+
￥0.85428
50+
￥0.832923
1000+
￥0.804447

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ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：2A@8/20us

型号：SP1001-04XTG 编号：C1973878

封装：SOT-553

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的雪崩击穿二极管可保护每个 I/O 引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全吸收高于 IEC 61000 4 2 国际标准（4 级，±8kV 接触放电）规定的最大电平的重复性 ESD 冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择

数据手册

1+
￥3.29
10+
￥2.66
30+
￥2.39

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TVS 3.3V截止 20A峰值脉冲

型号：SP4065-08ATG 编号：C1975717

封装：MSOP-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

集成了低电容二极管和一个额外的齐纳二极管，以保护每个I/O引脚免受ESD和高浪涌事件的影响。该强大的器件可根据IEC 61000-4-5第2版（tp = 8/20μs）安全吸收高达20A的电流而不会导致性能下降，并且根据IEC 61000-4-2国际标准，其最小ESD为±30kV。其低负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚。

1+
￥5.76
10+
￥5.63
30+
￥5.55

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双向TVS 36V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：AQ36CANA-02HTG 编号：C20349319

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ36CANA-02HTG双向TVS采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高ESD（静电放电）保护等级。AQ36CANA-02HTG TVS可以安全吸收重复的±30kV ESD冲击（符合IEC 61000-4-2标准中的接触放电和空气放电），而不会降低性能。此外，它还可以安全耗散符合IEC 61000-4-5第二版标准的8A 8/220μs浪涌事件。

1+
￥6.48
10+
￥6.36
30+
￥6.27

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双向TVS 3.3V截止

型号：SP03-3.3BTG 编号：C2833073

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

这款新型宽带保护组件可为诸如10/100/1000 BaseT以太网、T3/E3 DS3接口、ADSL2+和VDSL2+等应用提供过压保护。该新型保护器将TVS二极管元件与二极管整流桥相结合，在一个封装中同时提供纵向和差分保护。这种设计创新使得电容负载特性相对于器件两端的信号电压呈对数线性关系。这减少了典型固态保护解决方案所导致的互调（IM）失真。应用原理图提供了连接信息。

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1+
￥9.15
10+
￥7.71
30+
￥6.92
100+
￥6.02

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单向TVS 15V截止峰值浪涌电流：286A

型号：SLD8S15A 编号：C1976661

封装：SMD

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLD8S系列TVS二极管采用引脚改进型SMTO - 263封装。它旨在保护敏感电子设备，使其免受雷电和感性负载开关电压瞬变事件的影响，适用于严苛的汽车负载突降应用。

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1+
￥14.772 ￥49.24
10+
￥8.544 ￥42.72
30+
￥3.875 ￥38.75
100+
￥3.542 ￥35.42

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3A@8/20us

型号：SP721APP 编号：C5373324

封装：PDIP-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

是用于静电放电 (ESD) 和过压保护的 SCR/二极管双极结构阵列，可保护敏感输入电路。每个输入有 2 个保护 SCR/二极管器件结构，共有 6 个可用输入，可保护多达 6 条外部信号或总线线路。过压保护范围是从 IN（引脚 1-3 和引脚 5-7）到 V+ 或 V-。SCR 结构设计用于在高于 V+（引脚 8）一个 +VBE 二极管阈值或低于 V-（引脚 4）一个 -VBE 二极管阈值的阈值下快速触发

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1+
￥18.69
10+
￥16.22
50+
￥14.68

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双向TVS 11V截止峰值浪涌电流：33A

型号：SMBJ11CA 编号：C374026

封装：DO-214AA

品牌：Littelfuse(美国力特)

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供用于浪涌和静电放电 (ESD) 保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA (SMB) 尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供 5 V 至 495 V 的工作峰值反向电压选择，击穿电压高达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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1+
￥0.452
50+
￥0.43392
1000+
￥0.41584

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双向TVS 18V截止峰值浪涌电流：2A@8/20us

型号：SP3118-01ETG 编号：C1974784

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3118采用专有的硅雪崩技术制造了背对背瞬态电压抑制（TVS）二极管，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这些坚固的二极管能够安全地吸收高达IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大等级的反复ESD冲击，且性能不会下降。背对背配置提供对称的ESD保护。

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10000+
￥0.48
20000+
￥0.472
40000+
￥0.46
80000+
￥0.44

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双向TVS 6V截止峰值脉冲电流：2A@8/20us

型号：SP1002-02JTG 编号：C1973167

封装：SC-70-5

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的背对背齐纳二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够在IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大级别（4级，±8 KV接触放电）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

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5+
￥2.2313
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￥1.7318
150+
￥1.5178
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