威世ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：VSSA210-M3/61T 编号：C3757345

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。沟槽MOS肖特基技术。低功率损耗，高效率。低正向压降。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260°C。应用：低压、高频逆变器。续流

5+
￥1.9686
50+
￥1.524
150+
￥1.3335
500+
￥1.0957

有货

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型号：BZG03C75-HM3-08 编号：C7093236

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：VISHAY(威世)

特性：高可靠性。电压范围10 V至270 V。适配5 mm SMD焊盘。可进行波峰焊和回流焊。可提供AEC-Q101认证。基础型号M3-无卤、符合RoHS标准、商业级。应用：电压稳定

5+
￥2.25
50+
￥1.74
150+
￥1.53

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型号：TLMO1000-GS15 编号：C20430900

封装：0603

品牌：VISHAY(威世)

全新的 0603 系列 LED 采用了最小的 SMD 封装。这项创新的 0603 LED 技术为以下方面开辟了道路： • 实现体积更小、性能更高的产品

5+
￥2.2771
50+
￥1.7801
150+
￥1.5671
500+
￥1.3014

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型号：SSB44HE3_A/H 编号：C6235532

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。带保护环，用于过压保护。低功率损耗，高效率。极低的正向压降。高浪涌能力。应用：用于低压高频逆变器。续流

1+
￥2.37
10+
￥1.83
30+
￥1.59
100+
￥1.3

有货

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型号：VS-12CWQ04FNTR-M3 编号：C468048

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：VISHAY(威世)

表面贴装、中心抽头的肖特基整流器系列，专为需要低正向压降和在电路板上占用小空间的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和反接电池保护。

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5+
￥2.5034
50+
￥2.022
150+
￥1.8157
500+
￥1.4252

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型号：SSC54-E3/9AT 编号：C968550

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。过压保护保护环。低功率损耗，高效率。极低的正向压降。高浪涌能力。符合MSL 1级，LF最高峰值260℃。应用：用于低压高频逆变器。续流

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1+
￥2.57
10+
￥2.04
30+
￥1.81
100+
￥1.53

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型号：BZG03C68-HM3-08 编号：C5565769

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：VISHAY(威世)

特性：高可靠性。电压范围10 V至270 V。适合5 mm SMD焊盘。波峰焊和回流焊均可。可提供AEC-Q101认证。基础型号M3-无卤、符合RoHS标准、商业级。应用：电压稳定

1+
￥2.64
10+
￥2.04
30+
￥1.79
100+
￥1.47
500+
￥1.33

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型号：1N5820-E3/54 编号：C5357977

封装：DO-201AD

品牌：VISHAY(威世)

特性：保护环用于过压保护。极低的传导损耗。极快的开关速度。低正向压降。高正向浪涌能力。高频操作。应用：低压高频逆变器。续流

2+
￥2.75
20+
￥2.21
60+
￥1.98
200+
￥1.69

有货

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型号：SS24HE3_A/H 编号：C5158076

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。保护环用于过压保护。低功耗，高效率。低正向压降。高浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：低压高频逆变器。续流

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1+
￥3.37
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￥2.71
30+
￥2.43
100+
￥2.08

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型号：DF01S-E3/77 编号：C428753

封装：DF-S

品牌：VISHAY(威世)

特性：UL认证，文件编号E54214。适合自动贴装。高浪涌电流能力。符合J-STD-020的MSL 1级，无铅最高峰值260℃。应用：开关电源、照明镇流器、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用中的AC/DC桥式全波整流通用用途

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1+
￥3.39
10+
￥2.67
30+
￥2.36
100+
￥1.97

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型号：MUR420-E3/54 编号：C17465370

封装：DO-201AD

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥3.5
10+
￥2.85
30+
￥2.53
100+
￥2.21
500+
￥2.02

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型号：V8PAL45HM3_A/I 编号：C145286

封装：SMPA(DO-221BC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形。典型高度为0.95mm。适用于自动贴装。沟槽MOS肖特基技术。低功率损耗，高效率。低正向压降。应用：用于低压、高频逆变器。续流

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1+
￥3.5
10+
￥2.82
30+
￥2.52
100+
￥2.16
500+
￥2

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型号：VS-6CWQ10FNTR-M3 编号：C468124

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：VISHAY(威世)

表面贴装、中心抽头的肖特基整流器系列，专为需要低正向压降和在 PCB 板上占用小面积的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和反向电池保护。

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1+
￥3.53
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￥2.84
30+
￥2.5
100+
￥2.16

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型号：W02G-E4/51 编号：C968649

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

特性：UL认证，文件编号E54214。适用于印刷电路板。典型反向电流小于0.1μA。高外壳介电强度。高浪涌电流能力。浸焊温度最高275℃，时间最长10s，符合JESD22-B106标准。应用：用于电源、适配器、充电器、照明镇流器的通用交流/直流桥式全波整流，适用于消费类产品和家用电器。

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1+
￥3.87
10+
￥3.13
30+
￥2.82
100+
￥2.43

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型号：SS10P4C-M3/86A 编号：C3757556

封装：TO-277A

品牌：VISHAY(威世)

特性：超薄设计：典型高度为1.1mm。适合自动贴装。低正向压降，低功耗。高效率。低热阻。符合MSL 1级标准（根据J-STD-020）。应用：低压高频逆变器。续流二极管

1+
￥3.91
10+
￥3.46
30+
￥3.23
100+
￥3.01
500+
￥2.87

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型号：VS-8EWS08STRL-M3 编号：C5358702

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：VISHAY(威世)

该系列经过优化，具有极低的正向压降和适度的泄漏。采用的玻璃钝化技术可在高达150℃的结温下可靠运行。高反向电压范围允许设计具有出色浪涌电压能力的输入级初级整流。

1+
￥4.46
10+
￥4.35
30+
￥4.27
100+
￥4.2

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型号：SSC53L-E3/57T 编号：C145430

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。保护环用于过压保护。低功率损耗，高效率。极低的正向压降。高浪涌能力。应用：低压高频逆变器。续流

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1+
￥4.49
10+
￥3.69
30+
￥3.29
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￥2.9
500+
￥2.45

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型号：FEPF16GT-E3/45 编号：C5236667

封装：TO-220-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：功率封装。玻璃钝化芯片结。超快恢复时间。低开关损耗，高效率。高正向浪涌能力。符合MSL 1级，根据J-STD-020，D²PAK（TO-263AB封装）的LF最大峰值为245℃。应用：开关电源的高频整流器。逆变器

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1+
￥4.76
10+
￥4.24
50+
￥3.53
100+
￥3.27
500+
￥3.11

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型号：VS-4ESH02HM3/86A 编号：C17603252

封装：TO-277A

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥5.63
10+
￥4.5
30+
￥3.93
100+
￥3.36
500+
￥3.02

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型号：V10P12HM3_A/H 编号：C17450862

封装：TO-277A

品牌：VISHAY(威世)

特性：极低的外形。典型高度为 1.1mm。适合自动贴装。沟槽 MOS 肖特基技术。低正向压降，低功耗。高效运行。应用：低压高频逆变器。续流

1+
￥6.37
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￥5.19
30+
￥4.6
100+
￥4.02

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型号：VF30200C-E3/4W 编号：C559567

封装：ITO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。低正向压降，低功率损耗。高效运行。低热阻。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值245℃（适用于TO-263AB封装）。焊接浴温度最高275℃，持续10s，符合JESD 22-B106（适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装）。应用：高频转换器。开关电源

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￥7.13
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￥6.39
50+
￥5.98
100+
￥5.53
500+
￥5.32

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型号：VS-20CTH03-M3 编号：C499554

封装：TO-220AB-3

品牌：VISHAY(威世)

300 V 系列是具有先进技术的超快速恢复整流器，在正向压降和超快速恢复时间方面进行了优化设计。平面结构和铂掺杂寿命控制，保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源、不间断电源、DC/DC 转换器的输出整流阶段，以及低压逆变器和斩波电机驱动器中的续流二极管。它们经过极度优化的存储电荷和低恢复电流，可将开关损耗降至最低，并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。

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