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首页 > 热门关键词 > 威世ESD二极管
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特性:玻璃钝化颗粒芯片结。 适合自动贴装。 超快恢复时间,效率高。 低正向电压,低功耗。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。应用:用于高频整流。 用于开关模式转换器和逆变器中的续流应用,应用于消费、计算机和电信领域
  • 1+

    ¥2.53
  • 10+

    ¥1.96
  • 30+

    ¥1.71
  • 100+

    ¥1.41
  • 有货
  • 特性:低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。快速开关,效率高。高正向浪涌能力。符合 J-STD-020 MSL 1 级,LP 最高峰值 260℃。应用:用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。用于消费、汽车和电信领域的续流二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥2.57
    • 10+

      ¥2.04
    • 30+

      ¥1.82
    • 100+

      ¥1.53
    • 500+

      ¥1.41
    • 1000+

      ¥1.33
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术可用。 正向压降小,功率损耗低。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级,RoHs LF最高峰值260°C。 可提供AEC-Q101认证。 汽车订购代码:基础型号P/N HM3。应用:用于低压高频DC/DC转换器。 续流二极管
    • 1+

      ¥2.58
    • 10+

      ¥2.52
    • 30+

      ¥2.49
    • 100+

      ¥2.45
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化颗粒芯片结。 超快反向恢复时间。 低正向压降。 低开关损耗,高效率。 高正向浪涌能力。 浸焊温度最高275℃,最长10s。应用:用于消费、计算机和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用
    数据手册
    • 1+

      ¥2.86
    • 10+

      ¥2.31
    • 30+

      ¥2.08
    • 100+

      ¥1.78
  • 有货
  • 具有优化的正向压降和超快恢复时间性能的超快速恢复整流器。平面结构和铂掺杂寿命控制确保了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于缓冲器、升压、照明,用作高频整流器和续流二极管。极其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗,并降低开关元件的功耗。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.05
    • 10+

      ¥2.69
    • 30+

      ¥2.51
    • 100+

      ¥2.34
    • 500+

      ¥2.23
  • 有货
  • 是一款采用 GaAlAs 双异质结 (DH) 技术的 940 nm 红外发光二极管,具有高辐射功率和高速特性,采用 PLCC-2 封装用于表面贴装 (SMD)。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.51
    • 10+

      ¥2.83
    • 30+

      ¥2.54
    • 100+

      ¥2.17
    • 500+

      ¥1.85
  • 有货
  • 最先进的超低VF、软开关超快整流器,针对不连续(临界)模式(DCM)功率因数校正(PFC)进行了优化。最小化的传导损耗、优化的存储电荷和低恢复电流,使开关损耗最小化,并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。该器件还可作为电源和其他功率开关应用中的续流二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥4.21
    • 10+

      ¥3.69
    • 30+

      ¥3.43
    • 100+

      ¥3.18
    • 500+

      ¥3.03
  • 有货
    • 1+

      ¥4.32
    • 10+

      ¥3.5
    • 30+

      ¥3.09
    • 100+

      ¥2.68
    • 500+

      ¥2.44
    • 1000+

      ¥2.31
  • 有货
  • 作为SurfLightTM系列产品的一部分,VSMY14940是一款940 nm红外侧发光二极管,基于GaAlAs表面发射芯片技术,具有极高的辐射强度、高光功率和高速度。它采用透明无色的基于PCB的封装(带透镜)进行模塑,适用于表面贴装(SMD)。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.23
    • 10+

      ¥4.26
    • 30+

      ¥3.77
    • 100+

      ¥3.29
    • 500+

      ¥3
  • 有货
  • 高电流密度表面贴装沟槽 MOS 势垒肖特基整流器 在 IF = 5 A 时,超低正向压降 VF = 0.26V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.28
    • 10+

      ¥5
    • 30+

      ¥4.37
    • 100+

      ¥3.73
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降,低功耗。 高效运行。 符合J-STD-020标准的MSL 1级,LF最大峰值为245℃。 太阳能旁路应用中,最大结温Tj为200℃。 符合RoHS标准。应用:用于太阳能电池接线盒,作为旁路二极管进行保护,使用无反向偏置的直流正向电流
    • 1+

      ¥7.12
    • 10+

      ¥6.48
    • 30+

      ¥6.08
    • 100+

      ¥5.67
  • 有货
  • 这款中心抽头肖特基整流器针对高温下的低反向泄漏进行了优化。其专有的势垒技术允许在高达175°C的结温下可靠运行。典型应用于开关电源、转换器、续流二极管和电池反接保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.91
    • 10+

      ¥11.88
    • 30+

      ¥11.23
    • 100+

      ¥10.57
    • 500+

      ¥10.27
  • 有货
  • FRED Pt系列是先进的超快恢复整流器,专门设计用于优化正向压降和超快恢复时间的性能。平面结构和铂掺杂寿命控制,保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件旨在用于开关电源、不间断电源、DC/DC转换器的输出整流级,以及低压逆变器和斩波电机驱动器中的续流二极管。它们极其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗,并减少开关元件和缓冲器的过耗散。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.22
    • 10+

      ¥13.45
    • 25+

      ¥12.99
    • 100+

      ¥12.52
  • 有货
  • 超高速整流器
    数据手册
    • 1+

      ¥20.25
    • 10+

      ¥17.48
    • 25+

      ¥15.22
    • 100+

      ¥13.56
  • 有货
  • 高压整流器,针对极低正向压降和适度泄漏进行了优化。这些器件适用于主整流(单相或三相桥)。
    数据手册
    • 1+

      ¥31.31
    • 10+

      ¥27.15
    • 30+

      ¥21.44
  • 有货
    • 1+

      ¥31.8
    • 10+

      ¥27.03
    • 30+

      ¥24.19
    • 100+

      ¥21.33
  • 有货
  • 中心抽头肖特基整流器系列针对高温下的低反向泄漏进行了优化。专有的势垒技术允许在高达150℃的结温下可靠运行。典型应用于开关电源、转换器、续流二极管和反接电池保护。
    • 1+

      ¥38.23
    • 10+

      ¥32.61
    • 25+

      ¥16.88
    • 100+

      ¥14
  • 有货
  • 软恢复整流器系列针对短反向恢复时间和低正向压降进行了优化。玻璃钝化确保在最严苛的温度和功率循环条件下稳定可靠运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥47.71
    • 10+

      ¥45.38
    • 30+

      ¥43.96
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 标准齐纳电压公差:订购代码中带“B”后缀的为±5%,带“C”后缀的为±2%。 该二极管也有MiniMELF封装(型号为TZM5221至TZM5267)、SOT-23封装(型号为MMBZ5225至MMBZ5267)和SOD-123封装(型号为MMSZ5225至MMSZ5267)。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.277
    • 100+

      ¥0.2227
    • 300+

      ¥0.1956
    • 1000+

      ¥0.1752
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 标准齐纳电压公差:订购代码中带“B”后缀的为±5%,带“C”后缀的为±2%。 该二极管也有MiniMELF封装(型号为TZM5221至TZM5267)、SOT-23封装(型号为MMBZ5225至MMBZ5267)和SOD-123封装(型号为MMSZ5225至MMSZ5267)。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2903
    • 100+

      ¥0.2263
    • 300+

      ¥0.1943
    • 1000+

      ¥0.1702
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。 VZ 公差 ±5%(TZMC)。 VZ 公差 ±2%(TZMB)。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2924
    • 100+

      ¥0.2364
    • 300+

      ¥0.2085
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管,超小超薄MicroSMF (DO-219AC)封装。 低漏电流。 出色的稳定性。 高温焊接:端子处260℃ / 10 s。 可进行波峰焊和回流焊(回流焊符合JPC / JEDEC J-STD 020,双波峰焊符合IEC 61760-1)。 可提供AEC-Q101认证。 基础型号G3-符合RoHS标准,环保,工业级。 基础型号HG3-符合RoHS标准,环保,通过AEC-Q101认证。 静电放电抗扰度符合IEC 61000-4-2(根据部件表)。 浪涌性能符合部件表
    • 10+

      ¥0.3065
    • 100+

      ¥0.2416
    • 300+

      ¥0.2091
    • 1000+

      ¥0.1848
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。 TZMC:Vz 公差 ±5%。 TZMB:Vz 公差 ±2%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3082
    • 100+

      ¥0.249
    • 300+

      ¥0.2194
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。 VZ 公差 ±5%(TZMC)。 VZ 公差 ±2%(TZMB)。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3228
    • 100+

      ¥0.2652
    • 300+

      ¥0.2364
    • 2500+

      ¥0.1968
  • 有货
  • 特性:极低的开启电压和快速开关。 采用PN结保护环,防止过电压,如静电放电。 有符合AEC-Q101标准的产品。 节省空间的SOD-523封装。 符合RoHS标准,有商业级产品。 符合RoHS标准,有符合AEC-Q101标准的产品
    • 10+

      ¥0.3229
    • 100+

      ¥0.2608
    • 300+

      ¥0.2297
    • 1000+

      ¥0.2064
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压公差:后缀为“B”时为 ±5%,后缀为“C”时为 ±2%。可提供 AEC-Q101 认证。ESD 能力(根据 AEC-Q101):人体模型 >8kV,机器模型 >800V。基础产品编号-E3:符合 RoHS 标准,商业级。基础产品编号-HE3:符合 RoHS 标准,AEC-Q101 认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3455
    • 100+

      ¥0.2764
    • 300+

      ¥0.2419
    • 3000+

      ¥0.2159
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 非常高的稳定性。 电气数据与1N5221B至1N5267B器件相同。 低反向电流水平。 标准齐纳电压容差 ±5%。应用:电压稳定
    • 5+

      ¥0.3869
    • 50+

      ¥0.3789
    • 150+

      ¥0.3736
    • 500+

      ¥0.3682
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%,订货代码中用“C”表示;若公差为±2%,则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101:人体模型>8kV,机器模型>800V。符合RoHS标准,商业级。符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3987
    • 100+

      ¥0.3132
    • 300+

      ¥0.2705
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%,订货代码中用“C”表示;若公差为±2%,则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101:人体模型>8kV,机器模型>800V。符合RoHS标准,商业级。符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4055
    • 100+

      ¥0.3279
    • 300+

      ¥0.2891
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际 E24 标准分级。 可提供 AEC-Q101 认证。 ESD 能力符合 AEC-Q101:人体模型 > 8kV,机器模型 > 800V。 RoHS 合规,商业级。 RoHS 合规,AEC-Q101 认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4169
    • 100+

      ¥0.3324
    • 300+

      ¥0.2902
    • 1000+

      ¥0.2585
  • 有货
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