安森美ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ESD9P5.0ST5G 编号：C81352

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

ESD9P系列旨在保护需要低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合用于如USB等高速线路设计中的ESD保护。

数据手册

1+
￥3.55
10+
￥2.89
30+
￥2.55

有货

立即购买

型号：ESDM3051N2T5G 编号：C603187

封装：X2-DFN-2(0.6x1)

品牌：onsemi(安森美)

ESDM3051旨在保护需要低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。

数据手册

1+
￥5.08
10+
￥4.13
30+
￥3.66

有货

立即购买

型号：NUP3115UPMUTAG 编号：C463886

封装：UDFN-6(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

三线电压瞬态抑制器阵列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。该器件采用共阳极设计，可在单个六引脚超薄型UDFN封装中保护三条独立的高速数据线和一条VCC电源线。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。由于其电容较低，适用于USB 2.0高速等高频设计。

数据手册

1+
￥5.38
10+
￥4.39
30+
￥3.89

有货

立即购买

型号：ESD8006MUTAG 编号：C890629

封装：UDFN-8(1x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8006专为保护USB 3.0和Thunderbolt接口免受静电放电（ESD）影响而设计。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。

数据手册

1+
￥5.95
10+
￥4.84
30+
￥4.23

有货

立即购买

型号：SRV05-4MR6T1G 编号：C604719

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

SRV05−4MR6浪涌保护器旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和雷击的影响。

数据手册

1+
￥13.17
10+
￥12.88
30+
￥12.69

有货

立即购买

型号：NUP4060AXV6T1G 编号：C463192

封装：SOT-563-6

品牌：onsemi(安森美)

这款四线浪涌保护阵列专为需要瞬态电压保护功能的应用而设计。适用于过瞬态电压和静电放电敏感设备，如手机、便携式设备、计算机、打印机及其他应用场景。该器件采用共阴极设计，可在单个SOT - 563封装中保护四条独立线路。

数据手册

1+
￥16.35
10+
￥13.97
30+
￥12.49

有货

立即购买

型号：ESD7004MUTAG 编号：C294530

封装：UDFN-10(1x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD7004浪涌保护器旨在保护高速数据线免受静电放电影响。超低电容和低静电放电钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。直插式封装便于进行PCB布局，并能匹配走线长度，这对于维持USB 3.0和HDMI等高速差分线之间的恒定阻抗至关重要。

数据手册

1+
￥1.4364
10+
￥1.129
30+
￥0.9973

有货

立即购买

型号：SMBJ36CA 编号：C224972

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化结。 600W 峰值脉冲功率能力（10/1000μs 波形）。出色的钳位能力。低增量浪涌电阻。快速响应时间：单向器件从 0V 到最小击穿电压通常小于 1.0ps，双向器件为 5.0ns。典型反向电流 IR 低于 10V 时小于 1.0μA。 UL 认证编号 E258596

数据手册

1+
￥1.4515
10+
￥1.1679
30+
￥1.0464

有货

立即购买

型号：ESD7371P2T5G 编号：C463930

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

ESD7371系列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使该器件非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

数据手册

1+
￥3.2
10+
￥3.13
30+
￥3.08

有货

立即购买

型号：ESD8004MUTAG 编号：C605399

封装：UDFN-10(1x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8004旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。直通式封装便于进行PCB布局，并能匹配走线长度，这对于维持高速差分线（如USB 3.0/3.1）之间的恒定阻抗至关重要。

数据手册

1+
￥5.21
10+
￥4.18
30+
￥3.66

有货

立即购买

型号：SZ1SMA33CAT3G 编号：C184754

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

SMA系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变的影响。它们具有出色的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA系列非常适合用于通信系统、汽车、数控、过程控制、医疗设备、商用机器、电源以及许多其他工业/消费应用。

数据手册

1+
￥5.29
10+
￥4.42
30+
￥3.99

有货

立即购买

型号：ESD1014MUTAG 编号：C463928

封装：UDFN-10-EP(2.6x2.6)

品牌：onsemi(安森美)

ESD1014浪涌保护器旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和雷击影响。

数据手册

1+
￥7.39
10+
￥6.12
30+
￥5.49

有货

立即购买

型号：SMDA15CDR2G 编号：C889879

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

SMDA05C浪涌保护系列旨在保护连接至多达四条高速通信线路的设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和浪涌的影响。

数据手册

1+
￥12.49
10+
￥12.21
30+
￥12.02

有货

立即购买

型号：NIV1161MTWTAG 编号：C2902289

封装：WDFNW-6(2x2.2)

品牌：onsemi(安森美)

NIS/NIV1161 用于保护高速数据线路免受 ESD 以及汽车电池短路等情况危害。超低电容和低 ESD 箝位电压，使得此器件成为保护电压敏感性高速数据线路的理想方案，同时低 RDS(on) FET 限制了信号线路上的失真。通流式封装可实现简单的 PCB 布局和必要的匹配跟踪长度，可保持 USB 和 HDMI 等协议高速差分线之间的一致阻抗。

数据手册

1+
￥14.8
10+
￥12.65
30+
￥11.3

有货

立即购买

型号：ESDR0502NMUTBG 编号：C327480

封装：UDFN-6(1x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

ESDR0502N超低电容浪涌保护阵列旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响。超低电容和高水平的ESD保护使该器件非常适合用于USB 2.0应用。

数据手册

27000+
￥0.38892
54000+
￥0.382438
108000+
￥0.372715
216000+
￥0.35651

我要订货

型号：SZESD7410MXWT5G 编号：C896555

封装：X-DFN-2

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

16000+
￥0.638262
32000+
￥0.622035
48000+
￥0.600399
96000+
￥0.584172

我要订货

型号：ESDR0502NMUTAG 编号：C94372

封装：UDFN-6(1x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

ESDR0502N超低电容TVS阵列旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响。超低电容和高水平的ESD保护使该器件非常适合用于USB 2.0应用。

数据手册

50+
￥0.755123
500+
￥0.699188
1000+
￥0.67122
5000+
￥0.643253
10000+
￥0.615285

我要订货

型号：ESD9C3.3ST5G 编号：C896237

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

ESD9C3.3ST5G系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。由于其尺寸小巧，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

数据手册

48000+
￥0.22428
96000+
￥0.220542
192000+
￥0.214935
384000+
￥0.20559

我要订货

型号：NSP4201MR6T1G 编号：C475485

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NSP4201MR6浪涌保护器旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击浪涌的影响。

数据手册

1+
￥1.48
10+
￥1.44
30+
￥1.42

有货

立即购买

型号：SZESD8351P2T5G 编号：C896564

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

单向 SCR ESD 保护

数据手册

24000+
￥0.45792
48000+
￥0.450288
96000+
￥0.43884
192000+
￥0.41976

我要订货

型号：ESD5381MUT5G 编号：C185589

封装：X3-DFN-2(0.3x0.6)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥0.8465
50+
￥0.6762
150+
￥0.5911
500+
￥0.5272
2500+
￥0.4371
5000+
￥0.4116

订货

我要订货

型号：MMQA6V2T1G 编号：C233406

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

24000+
￥0.4476
48000+
￥0.44014
96000+
￥0.42895
192000+
￥0.4103

我要订货

型号：SL15T1G 编号：C233487

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

12000+
￥0.847594
24000+
￥0.826045
36000+
￥0.797313
72000+
￥0.775764

我要订货

型号：SMBJ20CA 编号：C232777

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥0.5556
10+
￥0.5447
30+
￥0.5375
100+
￥0.5303

订货

我要订货

型号：SMCJ75A 编号：C184464

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化结。 10/1000 μs波形下1500 W的峰值脉冲功率能力。出色的钳位能力。低增量浪涌电阻。快速响应时间：单向从0 V到最小击穿电压通常小于1.0 ps，双向为5.0 ns。高于10 V时，典型反向漏电流IR小于1.0 μA。 UL认证编号：E258596。 UL94V-0阻燃等级

数据手册

5+
￥0.7076
50+
￥0.6916
150+
￥0.681
500+
￥0.6703

订货

我要订货

型号：ESD7571N2T5G 编号：C605397

封装：DFN1006-2

品牌：onsemi(安森美)

ESD7571旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

数据手册