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价格(含税)

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独立式耐压:9.1V 电流:0.5uA@6V

型号：MMSZ9V1T1G 编号：C132795

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

10+
￥0.4637
100+
￥0.3758
300+
￥0.3319
3000+
￥0.2629

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:50uA@1.0V

型号：1SMA5913BT3G 编号：C235775

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.6259
50+
￥0.5386
150+
￥0.5011
500+
￥0.4544
2500+
￥0.4001
5000+
￥0.3876

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:10uA@1V

型号：1N4733A 编号：C140851

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥0.6619
50+
￥0.5354
150+
￥0.4721
500+
￥0.4128
3000+
￥0.3748

有货

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耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：15ns

型号：ES1D 编号：C84602

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低外形封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高

数据手册

5+
￥0.8853
50+
￥0.7102
150+
￥0.6226
500+
￥0.5569
2500+
￥0.413
7500+
￥0.3868

有货

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独立式耐压:16V 电流:1uA@12.2V

型号：1SMB5930BT3G 编号：C235979

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0824
50+
￥0.8447
150+
￥0.7428
500+
￥0.6157
2500+
￥0.5471
5000+
￥0.5132

有货

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独立式耐压:8.2V 电流:5uA@1V

型号：1SMB5923BT3G 编号：C235766

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

数据手册

5+
￥1.0832
50+
￥0.8522
150+
￥0.7532
500+
￥0.6297
2500+
￥0.5747
5000+
￥0.5417

有货

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电压:40V 电流:2A

型号：SS24T3G 编号：C85393

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.0953
50+
￥0.8674
150+
￥0.7698
500+
￥0.6479
2500+
￥0.5164

有货

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独立式耐压:36V 电流:1uA@27.4V

型号：1SMB5938BT3G 编号：C48869

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0973
50+
￥0.8629
150+
￥0.7625
500+
￥0.6372
2500+
￥0.5357
5000+
￥0.5022

有货

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独立式耐压:3.6V 电流:75uA@1V

型号：1SMB5914BT3G 编号：C129230

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1186
50+
￥0.8671
150+
￥0.7593
500+
￥0.6248
2500+
￥0.5649
5000+
￥0.529

有货

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独立式耐压:200V 电流:1uA@152V

型号：1SMB5956BT3G 编号：C152499

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1271
50+
￥0.8726
150+
￥0.7635
500+
￥0.6274
2500+
￥0.4911
5000+
￥0.4547

有货

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独立式耐压:30V 电流:0.5uA

型号：1SMA5936BT3G 编号：C235765

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1639
50+
￥0.9386
150+
￥0.8421
500+
￥0.7216
2500+
￥0.6133
5000+
￥0.5811

有货

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独立式耐压:3.9V 电流:25uA@1V

型号：1SMB5915BT3G 编号：C152473

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.2199
50+
￥0.9604
150+
￥0.8492
500+
￥0.6446
2500+
￥0.5828
5000+
￥0.5457

有货

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电压:40V 电流:2A

型号：MBRS240LT3G 编号：C8165

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

在金属 - 硅功率整流器中采用肖特基势垒原理。具备采用氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低压、高频开关电源；续流二极管和极性保护二极管

数据手册

5+
￥1.4622
50+
￥1.1334
150+
￥0.9925
500+
￥0.8167
2500+
￥0.7385
5000+
￥0.6915

有货

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独立式耐压:7.5V 电流:5uA@6V

型号：1SMB5922BT3G 编号：C50528

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.4818
50+
￥1.1967
150+
￥1.0745
500+
￥0.922
2500+
￥0.7366
5000+
￥0.6959

有货

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电压:20V 电流:4A

型号：MBRS320T3G 编号：C236151

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.8312
50+
￥1.4265
150+
￥1.2531
500+
￥1.0367
2500+
￥0.9403
5000+
￥0.8825

有货

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耐压:100V 电流:0.5A

型号：MB1S 编号：C232821

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些功能使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

数据手册

5+
￥2.0122
50+
￥1.5838
150+
￥1.4002
500+
￥1.1712

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:1uA

型号：1N5338BRLG 编号：C5307

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥2.4661
50+
￥1.9827
150+
￥1.7755
500+
￥1.3673
2500+
￥1.2522
4000+
￥1.1831

有货

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600V 1A

型号：ES1JAF 编号：C896698

封装：DO-214AD

品牌：onsemi(安森美)

特性：快速开关速度：最大Trr 35 ns。超薄外形：最大高度1.0 mm。玻璃钝化结。 UL可燃性94V-0分类。 MSL 1。绿色模塑料。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥2.58
10+
￥2.01
30+
￥1.77
100+
￥1.46
500+
￥1.33
1000+
￥1.24

有货

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耐压:600V 电流:3A 反向恢复时间：75ns 停产

型号：SURS8360BT3G 编号：C235755

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或在尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和保护二极管。

数据手册

1+
￥2.61
10+
￥2.06
30+
￥1.82
100+
￥1.53
500+
￥1.33
1000+
￥1.25

有货

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电压:200V 电流:4A

型号：MBRS4201T3G 编号：C145187

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

特性：正向电压低于任何超快整流器：在150℃时，VF < 0.61V。快速开关速度：反向恢复时间 (tRR) < 35 ns。软恢复特性：软度因子 (tb / ta) ≥ 1。高温下高度稳定。通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序能力。 NRVB前缀适用于需要独特产地和控制变更要求的汽车及其他应用；通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序能力。应用：发动机和便利控制系统。电机控制

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.19
30+
￥1.91
100+
￥1.58
500+
￥1.43
1000+
￥1.33

有货

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1.2kV 3A

型号：S3N 编号：C719829

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

表面贴装整流器

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.31
30+
￥2.09
100+
￥1.82
500+
￥1.62
1000+
￥1.55

有货

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电压:60V 电流:3A

型号：MBRD360T4G 编号：C10667

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器用作开关电源、逆变器和其他电感开关电路中的输出整流器、续流、保护和转向二极管。

数据手册

1+
￥3.83
10+
￥3.08
30+
￥2.71
100+
￥2.34
500+
￥2.09
1000+
￥1.97

有货

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耐压:200V 电流:15A 反向恢复时间：35ns

型号：MUR1520G 编号：C150062

封装：ITO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

1+
￥6.23
10+
￥4.99
50+
￥4.38
100+
￥3.76
500+
￥3.4
1000+
￥3.21

有货

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电压:45V 电流:10A

型号：MBR1045G 编号：C79734

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。

数据手册

1+
￥6.31
10+
￥5.27
50+
￥4.11
100+
￥3.59
500+
￥3.28
1000+
￥3.12

有货

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耐压:1.2kV 电流:8A 反向恢复时间：70ns

型号：RHRP8120 编号：C11770

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP8120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

数据手册

1+
￥8.71
10+
￥7.2
50+
￥6.25
100+
￥5.31
500+
￥4.9
800+
￥4.71

有货

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耐压:1kV 电流:8A 反向恢复时间：100ns

型号：MUR8100EG 编号：C23545

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

超快“E”系列，具有很高的反向能量吸收能力……适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管，此类先进器件具有下列特性：

数据手册

1+
￥8.72
10+
￥7.21
50+
￥6
100+
￥5.06
500+
￥4.64
1000+
￥4.46

有货

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独立式耐压:12V 电流:0.05uA@9.1V

型号：MMSZ4699T1G 编号：C97772

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

提供了三种齐纳二极管系列，采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。

数据手册

20+
￥0.2371
200+
￥0.1819
600+
￥0.1513
3000+
￥0.1329
9000+
￥0.117
21000+
￥0.1084

有货

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250V 200mA

型号：BAS21TMR6T1G 编号：C463210

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

BAS21TMR6T1G 器件在 SC-74 表面贴装封装内承载三个高电压开关二极管。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2619
100+
￥0.228
300+
￥0.2077
3000+
￥0.195
6000+
￥0.1848
9000+
￥0.1797

有货

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独立式耐压:3V 电流:10uA@1V

型号：MM3Z3V0ST1G 编号：C891614

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。适用于手机、手持便携式设备和高密度PC板等应用。

数据手册

10+
￥0.2637
100+
￥0.2093
300+
￥0.1821
3000+
￥0.1617
6000+
￥0.1454

有货

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耐压:16.2V 电流:0.1uA@12V

型号：NZ9F16VST5G 编号：C896522

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-923表面贴装封装。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

5+
￥0.30555 ￥0.485
50+
￥0.227688 ￥0.4296
150+
￥0.172817 ￥0.4019
500+
￥0.163916 ￥0.3812
2500+
￥0.156735 ￥0.3645
5000+
￥0.153166 ￥0.3562

有货

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