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ESD 5.5V 6.1V截止

型号：PACDN042Y3R 编号：C233486

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

PACDN042/43/44/45/46系列浪涌保护阵列可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高级别的保护。PACDN042/43/44/45/46器件能安全消散ESD冲击，超过了IEC 61000 - 4 - 2国际标准的4级（±8 kV接触放电）。使用IEC 61000 - 4 - 2接触放电方法测试时，所有引脚均能承受±20 kV的ESD脉冲。按照MIL - STD - 883D（方法3015）人体模型（HBM）ESD规范，所有引脚都能防护大于±30 kV的接触放电。

数据手册

5+
￥1.7531
50+
￥1.395
150+
￥1.2416

有货

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ESD 3.3V截止

型号：SZESD7351HT1G 编号：C894510

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

ESD7351系列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。由于其电容较低，它适用于高频设计，如USB 2.0高速和天线线路应用。

数据手册

5+
￥1.7668
50+
￥1.4284
150+
￥1.2834

有货

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单向ESD 23.5V截止

型号：NIV1241MTWTAG 编号：C2902290

封装：WDFNW-6(2x2.2)

品牌：onsemi(安森美)

NIV1241旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响，以及防止数据线与汽车电池发生短路。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案，而低导通电阻（RDS(on)）的场效应晶体管（FET）可限制信号线上的失真。直通式封装便于进行印刷电路板（PCB）布局，并能实现匹配的走线长度，这对于维持诸如USB和低压差分信号（LVDS）协议等高速差分线之间的恒定阻抗至关重要。

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1+
￥4.68
10+
￥4.57
30+
￥4.5

有货

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ESD 5V截止

型号：SZESD1L001W1T2G 编号：C604764

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

ESD1L001浪涌保护器旨在保护四条高速数据线免受静电放电（ESD）影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。小尺寸、直插式封装便于进行PCB布局，并能实现匹配的走线长度，这对于维持高速差分线（如USB 3.0和HDMI）之间的恒定阻抗至关重要。

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1+
￥4.78
10+
￥3.9
30+
￥3.46

有货

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ESD 5V截止峰值浪涌电流：6A@8/20us

型号：ESD5581N2T5G 编号：C605392

封装：X2DFN-2(0.6x1)

品牌：onsemi(安森美)

ESD5581旨在保护需要低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。

数据手册

5+
￥0.3826
50+
￥0.3747
150+
￥0.3695

有货

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ESD 5V截止峰值浪涌电流：9.4A@8/20us

型号：ESD5Z5.0T5G 编号：C896224

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

ESD5Z 系列旨在保护电压敏感元件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中 ESD 保护的理想选择。由于其尺寸小巧，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

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64000+
￥0.16848
128000+
￥0.165672
256000+
￥0.16146
512000+
￥0.15444

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双向ESD 5V截止

型号：ESD5B5.0ST5G 编号：C896220

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

ESD5B系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，为易受ESD影响的设计提供了一流的保护。由于其尺寸小且为双向设计，非常适合用于手机、MP3播放器以及需要音频线路保护的便携式应用。

数据手册

5+
￥0.5713
50+
￥0.5585
150+
￥0.5501

有货

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ESD 6V截止峰值浪涌电流：8.8A@8/20us

型号：ESD5Z6.0T5G 编号：C896225

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

ESD5Z 系列旨在保护电压敏感元件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中 ESD 保护的理想选择。由于其尺寸小巧，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

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5+
￥0.5917
50+
￥0.4705
150+
￥0.4098

有货

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ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：11.2A@8/20us

型号：ESD5Z3.3T5G 编号：C896223

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

ESD5Z 系列旨在保护电压敏感元件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中 ESD 保护的理想选择。由于其尺寸小巧，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

数据手册

5+
￥0.6298
50+
￥0.5098
150+
￥0.4498

有货

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ESD 3.3V截止

型号：ESD7481MUT5G 编号：C463697

封装：0201

品牌：onsemi(安森美)

ESD7481旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。由于其电容极低，该器件非常适合用于高频设计，如USB 2.0高速和天线线路应用。

数据手册

5+
￥0.9059
50+
￥0.8831
150+
￥0.8679

有货

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SZESD8472MUT5G

型号：SZESD8472MUT5G 编号：C896966

封装：0201

品牌：onsemi(安森美)

ESD8472MUT5G 适用于针对 ESD 和瞬态电压事件为需要超低电容的电压敏感部件提供保护。卓越的箝位功能、低电容、高绝缘击穿电压、高线性、低泄漏和快速响应时间使得这些零件非常适用于在板空间非常宝贵的设计中提供 ESD 防护。它具有行业领先的电容-电压线性，适用于射频应用。这种电容线性结合极小封装和低插入损耗，使得此零件适用于无线手持设备和终端的天线应用。

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5+
￥1.18
50+
￥1.1537
150+
￥1.1362

有货

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双向ESD

型号：NUP2125WTT1G 编号：C233421

封装：SC-70-3

品牌：onsemi(安森美)

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5+
￥1.1934
50+
￥0.9825
150+
￥0.8921

有货

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ESD 8V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：SZESD7410N2T5G 编号：C604772

封装：X2DFN-2(0.6x1)

品牌：onsemi(安森美)

ESD7410旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。它在不同电压下具有业界领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使该器件非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

数据手册

5+
￥1.2072
50+
￥1.1848
150+
￥1.1698

有货

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ESD 5.3V截止

型号：ESD7371XV2T1G 编号：C328027

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

ESD7371系列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使该器件非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

数据手册

5+
￥1.2139
50+
￥0.9581
150+
￥0.8484
500+
￥0.7117
3000+
￥0.6507
6000+
￥0.6142

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双向ESD 32V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：NUP3105LT3G 编号：C896861

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SZ/NUP3105L专为保护24V系统中的CAN收发器免受ESD和其他有害瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用单个紧凑的SOT−23封装，为每条数据线提供双向保护，为系统设计人员提供了一种低成本的选择，以提高系统可靠性并满足严格的EMI要求。

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1+
￥2.96
10+
￥2.3
30+
￥2.01

有货

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ESD 12V截止峰值浪涌电流：9.6A@8/20us

型号：ESD5Z12T5G 编号：C896221

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

ESD5Z 系列旨在保护电压敏感元件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中 ESD 保护的理想选择。由于其尺寸小巧，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

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5+
￥0.5856
50+
￥0.4656
150+
￥0.4056

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双向ESD

型号：SZNUP1301ML3T1G 编号：C894720

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

NUP1301ML3T1G是一款微集成器件，旨在保护敏感元件免受可能有害的电瞬变影响，例如静电放电（ESD）。

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5+
￥0.69
50+
￥0.6757
150+
￥0.6662

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单向ESD 9V截止

型号：NUP412VP5T5G 编号：C274626

封装：SOT-953

品牌：onsemi(安森美)

这款集成式浪涌保护器件专为需要瞬态过电压保护的应用而设计。它适用于无线耳机、个人数字助理（PDA）、数码相机、计算机、打印机、通信系统等敏感设备及其他应用场景。该集成设计仅用一个封装就能为四条独立线路提供高效可靠的保护。此器件非常适合电路板空间有限的情况。

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5+
￥0.8869
50+
￥0.7023
150+
￥0.61

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ESD 12V截止峰值浪涌电流：6A@8/20us

型号：SZSMF12CT1G 编号：C894740

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

这款五线浪涌保护阵列专为需要瞬态电压保护功能的应用而设计。适用于过瞬态电压和静电放电（ESD）敏感设备，如计算机、打印机、汽车电子、网络通信及其他应用。该器件采用单片共阳极设计，可在单个SC - 88封装中保护五条独立线路。

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5+
￥0.9491
50+
￥0.9262
150+
￥0.9109

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ESD 3.3V截止

型号：ESD8704MUTAG 编号：C603185

封装：UDFN-10(1x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8704旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。直通式封装便于进行PCB布局，并能匹配走线长度，这对于保持高速差分线（如USB 3.0/3.1）之间的阻抗一致性至关重要。

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5+
￥1.0294
50+
￥1.0081
150+
￥0.9939

有货

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SZESD7351P2T5G

型号：SZESD7351P2T5G 编号：C896549

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

24000+
￥0.51384
48000+
￥0.505276
96000+
￥0.49243
192000+
￥0.47102

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ESD 25V截止峰值浪涌电流：2.2A@8/20us

型号：SZESD9902MLT1G 编号：C5209063

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

SZESD9902可保护敏感的汽车电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌和其他有害瞬态事件的影响。该器件设计符合OPEN Alliance 100/1000 BASE−T1以太网及其他高速数据网络标准。适用于收发器PHY连接器端的ESD保护。

数据手册

21000+
￥0.45888
42000+
￥0.451232
84000+
￥0.43976
168000+
￥0.42064

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单向ESD 3.3V截止

型号：ESD7504MUTAG 编号：C233385

封装：UDFN-10(1x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD7504浪涌保护器件旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想选择。直插式封装便于进行PCB布局，并能实现匹配的走线长度，这对于维持高速差分线（如USB 3.0）之间的恒定阻抗至关重要。

数据手册

5+
￥1.3901
50+
￥1.3621
150+
￥1.3434

有货

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ESD7004: ESD Protection Diode with Low Capacitance

型号：SZESD7004MUTAG 编号：C5206024

封装：UDFN-10

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥1.67
10+
￥1.63
30+
￥1.61

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双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：ESDONCAN1LT3G 编号：C896724

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

S/ESDONCAN1 专为保护 CAN 收发器免受静电放电 (ESD) 和其他有害瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用单个紧凑型 SOT−23 封装，为每条数据线提供双向保护，为系统设计人员提供了一种低成本的选择，可提高系统可靠性并满足严格的电磁干扰 (EMI) 要求。

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1+
￥2.01
10+
￥1.96
30+
￥1.93

有货

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NUP4114UPXV6T2G

型号：NUP4114UPXV6T2G 编号：C895159

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

NUP4114 ESD 保护器可为高速数据线提供针对 ESD 的保护。超低电容和高水平 ESD 保护使得此器件适用于 USB 2.0 高速应用，以及 HDMI 和 DVI 应用。

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1+
￥2.42
10+
￥2.37
30+
￥2.33

有货

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ESD 5V截止峰值浪涌电流：12A@8/20us

型号：NUP2114UPXV5T1G 编号：C274625

封装：SOT-553

品牌：onsemi(安森美)

NUP2114浪涌保护器旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响。超低电容和高水平的ESD保护，使该器件非常适合用于USB 2.0应用。

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1+
￥2.61
10+
￥2.55
30+
￥2.52

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ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：9.8A@8/20us

型号：SZESD9X3.3ST5G 编号：C896573

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

ESD9X系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，为易受ESD影响的设计提供了一流的保护。由于其尺寸小巧，适用于手机、MP3播放器、数码相机以及其他对电路板空间要求苛刻的便携式应用。

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.19
30+
￥1.92
100+
￥1.58

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ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：1A@8/20us

型号：SZESD9R3.3ST5G 编号：C896571

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

ESD9R旨在为用于超低电流应用（如人体传感器）的专用标准产品（ASSP）和专用集成电路（ASIC）提供静电放电（ESD）保护。这些器件在关闭状态下，从0℃到50℃的泄漏电流设计为低于1 nA。在ESD事件期间，这些器件会开启，将ESD钳位到对集成电路（IC）安全的电压水平。这些器件还具有高速数据线所需的低电容特性，以及适用于空间受限设计的小封装尺寸优势。

数据手册

1+
￥3.34
10+
￥2.61
30+
￥2.25

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ESD7002: 低电容 ESD 保护,适用于高速线路

型号：SZESD7002WTT1G 编号：C5206023

封装：SC-70-3

品牌：onsemi(安森美)

ESD7002 瞬变电压抑制器可为高速数据线提供针对 ESD 的保护。超低电阻和低 ESD 箝位电压使得此器件成为保护电压敏感性高速数据线路的理想方案。通流式封装可实现简单的 PCB 布局和必要的匹配跟踪长度，可保持 USB 3.0 和 HDMI 等高速差分线之间的一致阻抗。

数据手册

1+
￥3.59
10+
￥2.91
30+
￥2.57

有货

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