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首页 > 热门关键词 > 安森美ESD二极管
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ESD 5V截止 峰值浪涌电流：16A@100ns
型号：ESD7205DT5G 编号：C896227
封装：SOT-723
品牌：onsemi(安森美)
ESD7205 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。小尺寸、直通式封装便于PCB布局，并能实现匹配的走线长度，这对于保持高速差分线（如汽车摄像头模块中的以太网和LVDS）之间的一致阻抗至关重要。
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  • 1+

    ￥5.3

  • 10+

    ￥4.25

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    ￥3.73
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    MMBZ15VDLT3G
    型号：MMBZ15VDLT3G 编号：C896781
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双路单片硅齐纳二极管适用于需要瞬变过电压保护功能的应用。此类器件适用于电压和 ESD 灵敏设备中，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阴极设计仅使用一个封装即可保护两个单独的线路。此类器件适用于板空间非常宝贵的情况。
    数据手册

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      ￥0.4139

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    停产 ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：ESD8351HT1G 编号：C719770
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD8351系列静电放电（ESD）保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。
    数据手册

    • 3+

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    • 90+

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    单向TVS 3V截止 峰值浪涌电流：2.76A
    型号：SZMMBZ6V2ALT1G 编号：C894620
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5003

    • 50+

      ￥0.4004

    • 150+

      ￥0.3504
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    ESD 5V截止 峰值浪涌电流：24A@8/20us
    型号：SD05T3G 编号：C896890
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    这些齐纳二极管适用于需要保护功能的应用。 此类器件适合用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。 此类器件适用于板空间非常宝贵的情况。
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    • 1+

      ￥2.84

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      ￥1.84
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    双向ESD 22V截止 峰值浪涌电流：1A@1.0ms
    型号：SZMMBZ27VCLT3G 编号：C896976
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式齐纳二极管专为需要保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阴极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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      ￥2.9

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      ￥2.04

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      ￥1.72
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    单向TVS 14.5V截止 峰值浪涌电流：1.6A@1.0ms
    型号：SZMMBZ18VALT3G 编号：C896973
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过电压保护功能的应用而设计。适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路，非常适合电路板空间有限的情况。
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    • 5+

      ￥0.5561

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    ESD 24V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：SM24T1G 编号：C463655
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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      ￥0.32832

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    • 240000+

      ￥0.30096
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：1A
    型号：ESD7M5.0DT5G 编号：C463451
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD7M5.0DT5G旨在保护电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）造成的损坏，适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用场景。它具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，同时二极管电容超低，仅为2 。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.96

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    单向TVS 4.5V截止 峰值浪涌电流：2.5A
    型号：MMBZ6V8ALT1G 编号：C80163
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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      ￥0.148544 / 个
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    单向ESD 36V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：SM36T1G 编号：C233425
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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      ￥1.2718

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    • 150+

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    ESD 5.5V截止 峰值脉冲电流：8A@8/20us
    型号：SZNUP4114UCLW1T2G 编号：C894727
    封装：SC-88-6
    品牌：onsemi(安森美)
    NUP4114 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和高等级的ESD保护使这些器件非常适合用于USB 2.0高速应用。
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    • 1+

      ￥1.54

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    • 30+

      ￥1.48
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    单向ESD 3.3V截止 峰值脉冲电流：1A
    型号：CM1293A-02SR 编号：C94415
    封装：SOT-143
    品牌：onsemi(安森美)
    CM1293A 系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供静电放电（ESD）保护。这些器件非常适合保护具有高数据和时钟速率的系统，或用于需要低电容负载的电路。每个 ESD 通道由一对串联的二极管组成，可将正或负 ESD 电流脉冲导向正（Vₚ）或负（Vₙ）电源轨。在 Vₚ 和 Vₙ 之间嵌入了一个齐纳二极管，有助于保护 V₍₍CC₎₎ 轨免受 ESD 冲击。根据 IEC 61000−4−2 4 级标准，CM1293A 可防护高达 ±8 kV（接触放电）的 ESD 脉冲。该器件特别适合保护使用高速端口的系统，如 USB2.0、IEEE1394（火线、i.LINK）、串行 ATA、DVI、HDMI，以及可移动存储设备、数码摄像机、DVD−RW 驱动器等应用中的相应端口，这些应用需要在小封装尺寸下实现极低的负载电容和 ESD 保护。
    数据手册

    • 65+

      ￥3.853735

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    ESD 3.3V截止
    型号：CM1224-04MR 编号：C894820
    封装：MSOP-10
    品牌：onsemi(安森美)
    CM1224 系列二极管阵列适用于为需要最小电容负载的电子组件或子系统提供 ESD 保护。此类器件适用于保护具有较高数据和时钟速率的系统，或需要低电容负载的电路。每个 ESD 沟道均包括一对串联二极管，会将正或负 ESD 电流脉冲转向正 (VP) 或负 (VN) 电源轨。VP 和 VN 之间嵌入了一个齐纳二极管，提供了两个优点。首先，它会保护 VCC 轨免受 ESD 尖峰影响，第二，不再需要旁通电容器来吸收接地的正 ESD 尖峰。CM1224 会根据 IEC61000-4-2 标准针对最高 ±8kV 的 ESD 脉冲提供保护。此类器件尤其适用于在可删除存储器、数码摄像机、DVD-RW 驱动器和其他需要极低负载电容和 ESD 保护的应用中，保护使用 USB 2.0、IEEE1394（Firewire，iLink）、Serial ATA、DVI、HDMI 和对应端口的系统。CM1224 系列器件采用无引线、小封装占位外形。
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    • 1+

      ￥4.18

    • 10+

      ￥4.09

    • 30+

      ￥4.03
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    单向ESD 8.5V截止 峰值浪涌电流：2.35A
    型号：MMBZ12VALT1G 编号：C236181
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册

    • 60000+

      ￥0.16272

    • 120000+

      ￥0.160008

    • 240000+

      ￥0.15594

    • 480000+

      ￥0.14916
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    停产 单向ESD 3.3V截止 峰值脉冲电流：1A
    型号：CM1213A-02SR 编号：C99671
    封装：SOT-143
    品牌：onsemi(安森美)
    CM1213A 系列二极管阵列专为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供静电放电（ESD）保护而设计。这些器件非常适合保护具有高数据和时钟速率的系统，或用于需要低电容负载的电路。每个 ESD 通道由一对串联的二极管组成，可将正或负 ESD 电流脉冲导向正（Vₚ）或负（Vₙ）电源轨。在 Vₚ 和 Vₙ 之间嵌入了一个齐纳二极管，具有两个优点。首先，它可保护 VCC 轨免受 ESD 冲击；其次，它无需使用旁路电容来吸收到地的正 ESD 冲击。CM1213A 可根据 IEC 61000 - 4 - 2 标准，防护高达 8 kV 的 ESD 脉冲。这些器件特别适合保护使用高速端口的系统，如 USB 2.0、IEEE1394（火线、iLink）、串行 ATA、DVI、HDMI，以及可移动存储设备、数码摄像机、DVD - RW 驱动器等应用中的相应端口，这些应用需要在小封装尺寸下实现极低负载电容的 ESD 保护。
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    • 1+

      ￥3.02

    • 10+

      ￥2.36

    • 30+

      ￥2.08
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    双向ESD 5V截止
    型号：ESD7L5.0DT5G 编号：C605398
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD7L系列旨在保护电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）造成的损坏，适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用场景。该系列具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，同时其二极管电容低至0.5pF，能为集成电路（IC）提供一流的ESD防护，避免其受损。
    数据手册

    • 10+

      ￥3.02049

    • 100+

      ￥2.90862

    • 200+

      ￥2.68488

    • 1000+

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    • 2000+

      ￥2.46114
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    单向ESD 12V截止 峰值浪涌电流：1.9A
    型号：SZMMBZ15VALT1G 编号：C604793
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路，非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2886

    • 100+

      ￥0.2283

    • 300+

      ￥0.1981

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      ￥0.1755

    • 6000+

      ￥0.1574

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      ￥0.1483
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    单向ESD 17V截止 峰值浪涌电流：1.4A
    型号：SZMMBZ20VALT1G 编号：C463902
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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    • 90000+

      ￥0.15324

    • 180000+

      ￥0.150686

    • 360000+

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      ￥0.14047
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    SZMMBZ15VDLT1G
    型号：SZMMBZ15VDLT1G 编号：C236223
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双路单片硅齐纳二极管适用于需要瞬变过电压保护功能的应用。此类器件适用于电压和 ESD 灵敏设备中，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阴极设计仅使用一个封装即可保护两个单独的线路。此类器件适用于板空间非常宝贵的情况。
    数据手册

    • 60000+

      ￥0.21384

    • 120000+

      ￥0.210276

    • 240000+

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    • 480000+

      ￥0.19602
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    SZSD05T1G
    型号：SZSD05T1G 编号：C894735
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    这些齐纳二极管适用于需要保护功能的应用。 此类器件适合用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。 此类器件适用于板空间非常宝贵的情况。
    数据手册

    • 1+

      ￥0.4292

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      ￥0.3412

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    SZNZL6V8AXV3T1G
    型号：SZNZL6V8AXV3T1G 编号：C894732
    封装：SC-89-3
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双路单片硅齐纳二极管适用于需要 ESD 保护功能的应用。 此类器件适用于电压和 ESD 灵敏设备中，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。 其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两个单独的线路。 此类器件适用于板空间非常宝贵的情况。
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    • 1+

      ￥0.4466

    • 10+

      ￥0.3551

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      ￥0.3093

    • 100+

      ￥0.275
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    CM1230-J2CP
    型号：CM1230-J2CP 编号：C894777
    封装：WLCSP-4(1x1)
    品牌：onsemi(安森美)
    CM1230 是 CSP 尺寸规格的 2、4 和 8 沟道超低电容 ESD 保护二极管阵列系列。它适用于保护具有较高数据和时钟速率的系统，或需要低电容负载的电路。每个沟道都包括一对 ESD 二极管，它们充当箝位二极管将 ESD 电流脉冲转向正或负电源轨。在正负电源轨之间集成一个齐纳二极管。这样可以保护 VCC 电源轨免受 ESD 尖峰影响，同时不再需要旁通电容器来吸收接地的正 ESD 尖峰。每个沟道都可以安全地消除 ± 8kV的 ESD 尖峰，满足 IEC61000-4-2 国际标准的 4 级要求，以及符合 IEC61000-4-2 技术规范的 ±15kV 空气放电要求。
    数据手册

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      ￥0.8935

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    • 500+

      ￥0.5587

    • 3500+

      ￥0.5052

    • 7000+

      ￥0.4784
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    SZSM12T1G
    型号：SZSM12T1G 编号：C894738
    封装：SOT-23-3
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双路单片硅齐纳二极管适用于需要保护功能的应用。此类器件适合用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两个单独的线路。此类器件适用于板空间非常宝贵的情况。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.158

    • 10+

      ￥0.9156

    • 30+

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    • 100+

      ￥0.6821
  • 订货
    • 我要订货
    单向ESD 12V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：SMS12T1G 编号：C464118
    封装：SC-74
    品牌：onsemi(安森美)
    这款四路单片式硅静电放电（ESD）和浪涌保护器专为需要ESD保护的应用而设计。它适用于对电压和ESD敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统及其他应用。与现有的四路齐纳二极管MMQA系列相比，这款四路器件通过提供高达350瓦的峰值功率，可提供更出色的浪涌保护。
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    • 15000+

      ￥0.702454

    • 30000+

      ￥0.684595

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      ￥0.660783

    • 90000+

      ￥0.642924
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    ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：SZESD8351MUT5G 编号：C896964
    封装：0201
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD8351系列ESD保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。
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    • 20000+

      ￥0.58008

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      ￥0.570412

    • 80000+

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    • 160000+

      ￥0.53174
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    ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：SZESD8351XV2T1G 编号：C604774
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD8351系列ESD保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。
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    • 21000+

      ￥0.45792

    • 42000+

      ￥0.450288

    • 84000+

      ￥0.43884

    • 168000+

      ￥0.41976
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    SZMMBZ15VDLT3G
    型号：SZMMBZ15VDLT3G 编号：C896972
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双路单片硅齐纳二极管适用于需要瞬变过电压保护功能的应用。此类器件适用于电压和 ESD 灵敏设备中，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阴极设计仅使用一个封装即可保护两个单独的线路。此类器件适用于板空间非常宝贵的情况。
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    • 50000+

      ￥0.21384

    • 100000+

      ￥0.210276

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    • 400000+

      ￥0.19602
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    MMBZ20VAWT1G
    型号：MMBZ20VAWT1G 编号：C891698
    封装：SC-70
    品牌：onsemi(安森美)
    双共阳极齐纳二极管瞬变电压抑制器适用于需要瞬变过压保护功能的应用。此器件适用于电压和 ESD 敏感设备中，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两个独立的线路。此器件适用于板空间非常宝贵的情况。
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    • 42000+

      ￥0.23184

    • 84000+

      ￥0.227976

    • 168000+

      ￥0.22218

    • 336000+

      ￥0.21252
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    SZMMBZH12VAWT1G
    型号：SZMMBZH12VAWT1G 编号：C894621
    封装：SC-70
    品牌：onsemi(安森美)
    此共阳极齐纳二极管系列采用 SC-70 (SOT-323) 封装，适用于需要瞬变过电压和 ESD 保护能力的应用。 其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两个单独的线路。 该器件具有 +175°C TJ(MAX) 规格，因此适用于高温和任务关键应用。
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    • 36000+

      ￥0.26688

    • 72000+

      ￥0.262432

    • 144000+

      ￥0.25576

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