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首页 > 热门关键词 > 安森美ESD二极管
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单向ESD 6.5V截止
型号：MA3075WALT1G 编号：C233442
封装：SOT-23
品牌：onsemi(安森美)
这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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    单向TVS 22V截止 峰值浪涌电流：1A
    型号：MMBZ27VCLT1G 编号：C128609
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阴极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。SZ/MMBZ27VCL可用于保护单总线通信网络免受电磁干扰和静电放电瞬态浪涌电压的影响。2000年2月，美国汽车工程师协会（SAE）在J2411《车辆应用单总线CAN网络》规范中推荐使用SZ/MMBZ27VCL来解决瞬态电压问题。
    数据手册

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    单向ESD 22V截止 峰值浪涌电流：1A@1.0ms
    型号：SZMMBZ27VCLT1G 编号：C266785
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅齐纳二极管专为需要保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用场景。其双结共阴极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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    单向TVS 26V截止 峰值浪涌电流：0.87A
    型号：MMBZ33VALT1G 编号：C185935
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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    单向ESD 12V截止 峰值脉冲电流：12A@8/20us
    型号：SM12T1G 编号：C92455
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：17A@8/20us
    型号：SL05T1G 编号：C233424
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该浪涌保护系列产品可提供瞬态过电压保护，同时显著降低电容。通过串联一个补偿二极管来降低电容。这种集成解决方案可为高速接口（如通信系统、计算机和计算机外设）提供静电放电（ESD）保护。
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    ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：12A@8/20us
    型号：NUP4114UCW1T2G 编号：C463643
    封装：SC-88-6
    品牌：onsemi(安森美)
    NUP4114静电放电（ESD）保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和高等级的ESD保护使这些器件非常适合用于USB 2.0高速应用。
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    ESD 5V截止
    型号：SZESD7205WTT1G 编号：C250439
    封装：SOT-323
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD7205 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。小尺寸、直通式封装便于PCB布局，并能实现匹配的走线长度，这对于保持高速差分线（如汽车摄像头模块中的以太网和LVDS）之间的一致阻抗至关重要。
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    单向ESD 14.5V截止 峰值脉冲电流：1.6A
    型号：MMBZ18VALT1G 编号：C94405
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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    单向TVS 12.8V截止 峰值浪涌电流：1.9A
    型号：MMBZ15VDLT1G 编号：C236182
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅齐纳二极管专为需要保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用场景。其双结共阴极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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    单向ESD 3.3V截止 峰值脉冲电流：5A@8/20us
    型号：ESD8351XV2T1G 编号：C233437
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD8351系列静电放电（ESD）保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。
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    单向ESD 26V截止 峰值浪涌电流：0.87A
    型号：MMBZ33VAWT1G 编号：C891700
    封装：SC-70
    品牌：onsemi(安森美)
    双共阳极齐纳二极管瞬变电压抑制器适用于需要瞬变过压保护功能的应用。此器件适用于电压和 ESD 敏感设备中，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两个独立的线路。此器件适用于板空间非常宝贵的情况。
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    单向ESD 15V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
    型号：SM15T1G 编号：C894317
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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    单向TVS 6V截止 峰值浪涌电流：3A
    型号：MMBZ9V1ALT1G 编号：C236093
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

    • 10+

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    ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2A@8/20us
    型号：ESDR0502BT1G 编号：C461789
    封装：SC-75(SOT-416)
    品牌：onsemi(安森美)
    ESDR0502B旨在保护电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）造成的损坏，适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用场景。它具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，同时二极管电容低至0.5 pF，能为集成电路（IC）提供一流的ESD防护。小型SC−75封装非常适合电路板空间有限的设计。ESDR0502B可用于保护两条单向线路或一条双向线路。当用于保护一条双向线路时，有效电容为0.25 pF。因其电容较低，非常适合保护高频信号线，如USB2.0高速信号线和天线线路。
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      ￥0.4522
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    ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A 16A
    型号：SZESD7205DT5G 编号：C604769
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD7205 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。小尺寸、直通式封装便于PCB布局，并能匹配走线长度，这对于保持高速差分线（如汽车摄像头模块中的以太网和LVDS）之间的一致阻抗至关重要。
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    • 1+

      ￥1.46

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    单向ESD 8.5V截止 峰值浪涌电流：2.35A@1.0ms
    型号：SZMMBZ12VALT1G 编号：C604792
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路，非常适合电路板空间有限的情况。
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    • 10+

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    单向ESD 22V截止 峰值浪涌电流：1A@1.0ms
    型号：MMBZ27VCWT1G 编号：C891699
    封装：SC-70
    品牌：onsemi(安森美)
    双共阴极齐纳二极管适用于需要瞬变过压保护功能的应用。此器件适用于电压和 ESD 敏感设备中，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两个独立的线路。此器件适用于板空间非常宝贵的情况。
    数据手册

    • 42000+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2A@8/20us
    型号：SZESDR0502BT1G 编号：C894515
    封装：SC-75
    品牌：onsemi(安森美)
    ESDR0502B 适用于在需要超低电容来保护信号完整性的应用中，为电压敏感性组件提供针对 ESD 的损坏防护。绝佳箝位能力、低漏和快速响应时间，再结合 0.5 pF 的超低二极管电容，可提供最佳保护，使其不会由于 ESD 而损坏。小型 SC-75 封装适用于板面积非常宝贵的设计。ESDR0502B 可用于保护两个单向线路或一个双向线路。用于保护一个双向线路时，有效电容为 0.25 pF。因其低电容，它非常适用于保护高频率信号线路，如 USB 2.0 高速和天线应用。
    数据手册

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    单向TVS 26V截止 峰值浪涌电流：0.87A@1.0ms
    型号：SZMMBZ33VALT1G 编号：C719773
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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    ESD 3.3V截止
    型号：CM1213A-04SO 编号：C233378
    封装：SC-74
    品牌：onsemi(安森美)
    CM1213A−04SO专为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供静电放电（ESD）保护而设计。该器件非常适合保护具有高数据和时钟速率的系统，或用于需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成，可将正或负ESD电流脉冲导向正（Vₚ）或负（Vₙ）电源轨。在Vₚ和Vₙ之间嵌入了一个齐纳二极管，具有两个优点。首先，它保护VCC轨免受ESD冲击；其次，它消除了原本用于将正ESD冲击吸收到地所需的旁路电容。该器件可根据IEC 61000−4−2标准防护高达8 kV的ESD脉冲。该器件特别适合保护使用高速端口的系统，如USB 2.0、IEEE1394（Firewire、iLink）、串行ATA、DVI、HDMI，以及可移动存储设备、数码摄像机、DVD−RW驱动器和其他需要在小封装尺寸内实现极低负载电容和ESD保护的应用中的相应端口。
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    单向ESD
    型号：SRDA05-4R2G 编号：C233430
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    SRDA05−4浪涌保护器旨在保护连接到高速通信线路的设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击的影响。SRDA05−4R2是一款低电容浪涌保护二极管阵列，旨在保护通信系统、计算机和计算机外设等敏感电子设备免受静电放电事件或瞬态过电压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速I/O数据线。SRDA05−4R2的集成设计将浪涌额定、低电容转向二极管和浪涌保护二极管集成在一个封装（SO−8）中。如果出现瞬态情况，转向二极管会将瞬态电流引导至电源的正轨或接地。浪涌保护器件可保护电源线免受电压过高的影响，避免损坏电源和其他下游组件。
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    ESD 3.3V截止
    型号：ESD7551N2T5G 编号：C730370
    封装：X2DFN-2(0.6x1)
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD保护二极管
    数据手册

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    ESD 4V截止 峰值浪涌电流：9.75A
    型号：ESDL2031MX4T5G 编号：C896712
    封装：DFN-2(0.3x0.6)
    品牌：onsemi(安森美)
    ESDL2031 ESD 保护二极管可为高速数据线提供针对 ESD 的保护。超低电容和低 ESD 箝位电压，使得此器件成为保护电压敏感性高速数据线路的理想方案。
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    单向ESD 5.5V截止 峰值脉冲电流：8A
    型号：NUP4114UPXV6T1G 编号：C74675
    封装：SOT-563
    品牌：onsemi(安森美)
    NUP4114 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和高等级的ESD保护特性使这些器件非常适合用于USB 2.0高速应用。
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    ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：25A@8/20us
    型号：SRDA3.3-4DR2G 编号：C464120
    封装：SO-8
    品牌：onsemi(安森美)
    SRDA3.3−4浪涌保护器件旨在保护连接到高速通信线路的设备免受静电放电（ESD）和雷击影响。SRDA3.3−4是一款低电容浪涌保护二极管阵列，用于保护通信系统、计算机及计算机外设等敏感电子设备，避免其因ESD事件或瞬态过压情况而受损。因其电容较低，可用于高速I/O数据线。SRDA3.3−4采用集成设计，将浪涌额定、低电容导向二极管和浪涌保护二极管集成在单个封装（SO−8）中。若出现瞬态情况，导向二极管会将瞬态电流导向电源正轨或接地。该浪涌保护器件可保护电源线免受电压过高影响，避免对电源和其他下游组件造成损坏。
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    100A@8/20us
    型号：LC03-6R2G 编号：C233438
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    浪涌保护二极管阵列旨在保护敏感电子设备，如通信系统、计算机和计算机外设，免受由闪电、静电放电 (ESD) 和电气快速瞬变 (EFT) 引起的瞬态过电压条件的损害。由于其相对较低的电容 (<25 pF)，可用于高速 I/O 数据线，如 USB 1.1 端口。
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    双向ESD 26V截止 峰值浪涌电流：0.87A@1.0ms
    型号：SZMMBZ33VAWT1G 编号：C463903
    封装：SC-70-3
    品牌：onsemi(安森美)
    双共阳极齐纳二极管瞬变电压抑制器适用于需要瞬变过压保护功能的应用。此器件适用于电压和 ESD 敏感设备中，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两个独立的线路。此器件适用于板空间非常宝贵的情况。
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    单向ESD 6V截止 峰值浪涌电流：1.7A
    型号：SZMMBZ9V1ALT3G 编号：C896987
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：17A@8/20us
    型号：SZSM05T1G 编号：C464136
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此类双路单片硅二极管适用于需要保护功能的应用。此类器件适合用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两个单独的线路。此类器件适用于板空间非常宝贵的情况。
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