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TPD8S009 适用于 HDMI 和 DisplayPort 的 8 通道 0.8pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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￥7.42
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￥6.16
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型号：SP720ABTG 编号：C434726

封装：SOIC-16

SP720是一个由SCR/二极管双极结构组成的阵列，用于为敏感输入电路提供ESD和过压保护。每个输入有2个SCR/二极管保护器件结构。总共14个可用输入可用于保护多达14条外部信号或总线线路。过压保护从IN（引脚1 - 7和9 - 15）到V+或V-。SCR结构设计为在高于V+（引脚16）一个+VBE二极管阈值或低于V-（引脚8）一个-VBE二极管阈值的阈值下快速触发。从IN输入来看，如果瞬态脉冲使输入电压升高到比V+高一个VBE的电压电平，则激活到V+的钳位。如果向IN输入施加一个比V-低一个VBE的负脉冲，则激活到V-的类似钳位。标准ESD人体模型（HBM）能力为：

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￥13.6
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型号：LM74910QRGERQ1 编号：C22427891

封装：VQFN-24-EP(4x4)

LM749x0-Q1理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V至65V的宽输入电源电压可保护和控制12V和24V汽车类电池供电的ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至-65V的负电源电压的影响。

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￥28.46
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￥24.67
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型号：HESDUC5VB1AF-B 编号：C3033473

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供单通道保护。具备3A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抑制双向瞬态ESD冲击，确保电路安全。超低结电容0.6pF设计，尤其适合高速数据传输接口，兼具卓越信号完整性和高级别的静电防护效能，是现代电子设备的理想选择。

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￥0.089505 ￥0.1053
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￥0.07021 ￥0.0826
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￥0.0595 ￥0.07
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￥0.045305 ￥0.0533
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￥0.042245 ￥0.0497

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型号：PESD3V3S1UB(UMW) 编号：C7436896

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装，旨在保护一条传输线或数据线免受ESD（静电放电）和其他瞬态现象造成的损坏。

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￥0.1278
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￥0.0992
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￥0.0833
3000+
￥0.0737
9000+
￥0.0655
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￥0.061

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型号：ESD5311N-2/TR 编号：C153721

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5311N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD5311N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5311N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5311N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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￥0.1409
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￥0.1103
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￥0.0933
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￥0.0832
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型号：BDFN2A201V 编号：C18199522

封装：DFN1006-2

TVS二极管(ESD) ESD静电保护管接口保护物料

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￥0.1741
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￥0.1363
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￥0.1153
2000+
￥0.1027

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型号：BDFN2C4R51V50 编号：C19077990

封装：DFN1006-2

TVS二极管(ESD) 0402封装双向4.5V ESD静电保护管

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￥0.20277 ￥0.2253
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￥0.15903 ￥0.1767
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￥0.13473 ￥0.1497
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￥0.12015 ￥0.1335
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￥0.10755 ￥0.1195
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￥0.10071 ￥0.1119

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型号：CM1293A-04SO 编号：C393377

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

CM1293A−04SO专为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供静电放电（ESD）保护而设计。该器件非常适合保护具有高数据和时钟速率的系统，或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成，可将正或负ESD电流脉冲导向正（Vₚ）或负（Vₙ）电源轨。在Vₚ和Vₙ之间嵌入了一个齐纳二极管，有助于保护V₍₎₎轨免受ESD冲击。根据IEC 61000−4−2 4级标准，该器件可防护高达±8 kV（接触放电）的ESD脉冲。该器件特别适合保护使用高速端口的系统，如USB2.0、IEEE1394（FireWire、i.LINK）、串行ATA、DVI、HDMI，以及可移动存储设备、数码摄像机、DVD−RW驱动器等应用中的相应端口，这些应用需要在小封装尺寸下实现极低的负载电容和ESD保护。

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5+
￥0.227
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￥0.2212
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￥0.2173
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型号：SP0504SHTG(UMW) 编号：C19723967

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

具有超低电容的轨到轨二极管，通过专有的硅雪崩技术制造了一个额外的齐纳二极管，以保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。

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￥0.2512
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￥0.1975
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型号：TPD1E05U06DPYR 编号：C436349

封装：X1SON-2(0.6x1)

TPD1E05U06 适用于高速接口且采用 0402 封装的 0.5pF、5.5V、±12kV ESD 保护二极管

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￥0.2946
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￥0.2333
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￥0.2026
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型号：ESD73034D-10/TR(ES) 编号：C42400206

封装：DFN2510-10L

品牌：ElecSuper(静芯)

ESD73034D - 10/TR(ES)是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件而设计，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。该器件集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管

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￥0.2301
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￥0.2193
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型号：SM712X 编号：C5364052

封装：SOT-23

品牌：晶扬电子

SM712通过在单个封装中集成两个12V和两个7V的瞬态电压抑制（TVS）二极管，取代了四个分立元件。这种集成设计有助于减少与走线电感相关的电压过冲。SM712的低钳位电压可将受保护收发器所承受的应力降至最低。SM712瞬态电压抑制（TVS）二极管专为多点数据传输标准RS - 485应用中的不对称（12V至 - 7V）保护而设计。SM712专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。

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10+
￥0.3048
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￥0.2649
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￥0.2449
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￥0.2299
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￥0.2179
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￥0.2119

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型号：BNPTVS15VS1UR 编号：C19077981

封装：SOD-123FL

TVS二极管(ESD) 15V电源口保护物料单项 SOD-123FL封装

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￥0.3437
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￥0.2717
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￥0.2357
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￥0.2087
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￥0.1871
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￥0.1763

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型号：BSD3C301V 编号：C19077996

封装：SOD-323

TVS二极管(ESD) SOD-323封装双向 30V ESD静电保护管

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￥0.3685
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￥0.2951
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￥0.2583
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￥0.2235
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￥0.2015
9000+
￥0.1904

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型号：PESD3V3C1BSFYL 编号：C461155

封装：DFN0603-2

品牌：Nexperia(安世)

超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，属于TrEOS保护系列产品。该器件采用DSN0603 - 2（SOD962）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）封装。TrEOS保护系列产品经过优化，可高度可靠地保护非常敏感的高速接口免受ESD脉冲影响。

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￥0.7135
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￥0.5738
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￥0.5039
500+
￥0.4516
2500+
￥0.3562
5000+
￥0.3353

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型号：SP4022-01FTG-C 编号：C720050

封装：SOD-323

SP4022系列分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些器件每IEC 61000 - 4 - 5第二版（tp = 8/20μs）可安全吸收高达15A的电流，性能不会下降，且每IEC61000 - 4 - 2国际标准可承受最小±30kV的ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

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5+
￥0.9412
50+
￥0.7735
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￥0.6897
500+
￥0.6269
3000+
￥0.5766

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型号：ESDA25P35-1U1M 编号：C1974707

封装：DFN1610-2

品牌：ST(意法半导体)

ESDA25P35-1U1M是一款单向单线路TVS二极管，旨在保护电源线免受EOS和ESD瞬态影响。该器件非常适合需要高功率TVS且节省电路板空间的应用。

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5+
￥1.1274
50+
￥0.8965
150+
￥0.7975
500+
￥0.674
2500+
￥0.619

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型号：ESDA7P60-1U1M 编号：C1975146

封装：1610

品牌：ST(意法半导体)

ESDA7P60-1U1M是一款单向单线TVS二极管，旨在保护电源线免受EOS和ESD瞬态影响。该器件非常适合需要高功率TVS且节省电路板空间的应用。

数据手册

5+
￥1.146
50+
￥0.9085
150+
￥0.8067
500+
￥0.6797
2500+
￥0.6231

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型号：PUSB3AB4Z(ES) 编号：C42400204

封装：DFN2510-10L

品牌：ElecSuper(静芯)

PUSB3AB4Z(ES)是一款超低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）引起的过应力影响。该阵列集成了四对超低电容导向二极管和一个TVS二极管

5+
￥1.1733
50+
￥0.9213
150+
￥0.8133
500+
￥0.6786
3000+
￥0.6186
6000+
￥0.5825

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型号：PSD36C-LF-T7 编号：C558829

封装：SOD-323

品牌：PROTEK

PSDxx 和 PSDxxC 系列是瞬态电压抑制器阵列，专为智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子设备的静电放电（ESD）保护而设计。与多层压敏电阻（MLV）等其他技术相比，这些基于硅的二极管具有出色的钳位电压和性能。PSDxx 和 PSDxxC 系列可作为单线路保护器，采用单向或双向配置。SOD - 323 小型封装配置为设计师在印刷电路板上为每个 I/O 端口或电压总线进行布局提供了灵活性。PSDxx 和 PSDxxC 系列符合 IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、61000 - 4 - 4（EFT）和 61000 - 4 - 5 标准要求。

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5+
￥1.3075
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￥1.1171
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￥1.0219
500+
￥0.9505
3000+
￥0.7546

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型号：ESD752DBZR 编号：C20345397

封装：SOT-23-3

ESD752 具有 8/20µS 浪涌的双路 3pF、±24V、±30kV ESD 保护二极管

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￥1.3081
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￥1.0353
150+
￥0.9021
500+
￥0.7833
3000+
￥0.7507

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型号：PESD15VS1UB,115 编号：C139560

封装：SOD-523

品牌：Nexperia(安世)

采用SOD523塑料封装的单向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条传输线或数据线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

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￥1.4262
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￥1.116
150+
￥0.9831
500+
￥0.8172
3000+
￥0.7433
6000+
￥0.699

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型号：ESDS452DBZRQ1 编号：C36965687

封装：SOT-23

ESDS452-Q1 是一款双向 ESD 和 TVS 二极管。ESDS452-Q1 的额定 ESD 冲击消散值超出了 IEC61000-4-2 国际标准所规定的最高水平（±30kV 接触放电，±30kV 空气间隙放电）。根据 IEC 61000-4-5 标准，该器件可以钳制峰值脉冲电流高达 18A 的 8/20 μs 浪涌。此外，二极管的正负低钳位电压有助于防止下游电路在 ESD 或浪涌事件期间暴露于高电压和大电流中。这种保护很关键，因为汽车系统在控制安全设备时需要高度的稳健性和可靠性。ESDS452-Q1 采用小型引线式 SOT-23 (DBZ) 封装。

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￥1.4962
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￥1.1841
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￥1.0318
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￥0.8959
3000+
￥0.8586

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型号：TPD4E1U06DBVR 编号：C124691

封装：SOT-23-6

TPD4E1U06 采用 SOT-23 和 SC70 封装的四路 0.8pF、5.5V、±15kV ESD 保护二极管

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5+
￥1.5707
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￥1.3429
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￥1.2453
500+
￥1.1235

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型号：SP1001-05JTG 编号：C207268

封装：SOT-363-6(SC-70)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管能够安全吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大电平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

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5+
￥1.5968
50+
￥1.2717
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￥1.1324
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￥0.9586

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型号：SP3003-04JTG 编号：C316003

封装：SC-70-6