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封装：DFN1006-2L

ESD63011N是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD63011N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD63011N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD63011N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

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型号：SM712 编号：C5247923

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

SM712专为多点数据传输应用中的不对称（12V至7V）保护而设计。ASM712通过在单个封装中集成两个12V和两个7V瞬态电压抑制（TVS）二极管，取代了四个分立元件。SM712符合IEC 61000 - 4 - 2（静电放电，ESD）标准，可承受±30kV空气放电和±30kV接触放电

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型号：ESD5304D-10/TR 编号：C153722

封装：DFN2510-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5304D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5304D集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5304D可提供高达±20KV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它可承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5304D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤。

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型号：PESD3V3L1UL,315 编号：C282557

封装：DFN1006-2(SOD-882)

品牌：Nexperia(安世)

低电容单向静电放电（ESD）保护二极管，采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

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型号：LY323DC24UL 编号：C3019381

封装：SOD-323

品牌：Liown(里阳半导体)

LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

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型号：PESD5V0V1BLD,315 编号：C552585

封装：DFN1006-2(SOD-882)

品牌：Nexperia(安世)

超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。该器件采用SOD882D无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面焊盘可见且可焊接。

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型号：TPD4E001DBVR 编号：C465736

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的四路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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型号：D4V5H1U2LP1610-7 编号：C5157834

封装：UDFN1610-2

品牌：DIODES(美台)

新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸与高 ESD 浪涌能力的结合，使其非常适合保护单条线路免受高浪涌电流和其他瞬态影响。这些坚固的二极管可以安全地吸收 ±30kV 的重复 ESD 冲击，而不会降低性能。此外，它可以在极低的钳位电压下安全地消散 90A 的 8/20μs 浪涌电流（IEC 61000-4-5）。

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型号：PESD2IVN-UX 编号：C552499

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

采用超小型SOT323 (SC - 70)表面贴装器件(SMD)塑料封装的静电放电(ESD)保护二极管，旨在保护两条汽车车载网络线路免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

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型号：TSD03DYFR 编号：C47002840

封装：SOD-323

品牌：TI(德州仪器)

是单向TVS保护二极管，专为钳制ESD和浪涌等有害瞬变而设计，额定ESD冲击消散值高达±30kV（接触放电和空气间隙放电），并且符合IEC61000-4-2国际标准中规定的最高级别（4级）。结合了强大钳位性能和低电容，可在许多不同应用中保护数据线路和电源线路。采用业界通用的引线式SOD-323封装，可轻松焊接。

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型号：PESD5V0V4UW,115 编号：C552588

封装：SOT-665-5

品牌：Nexperia(安世)

采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的极低电容单向四通道静电放电（ESD）保护二极管阵列，旨在保护多达四条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

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型号：SMBJ33CA 编号：C3719737

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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型号：P4SMA10CA 编号：C108203

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO-214AC（SMA）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供 6.8 V 至 550 V 的击穿电压选择。单向器件的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件小于 5.0 皮秒。芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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型号：SLVU2.8-4.TBT 编号：C2874966

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于保护低电压 CMOS 半导体免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬变影响。低电容补偿二极管集成到 TVS 中，使每条线路的典型电容降至 6pF。

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型号：SMBJ15CA 编号：C3719755

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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型号：SLVU2.8-4A1-FS 编号：C41411059

封装：SOP-8

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

SLVU2.8 - 4A1旨在保护低压CMOS半导体免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击及其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。该TVS集成了低电容补偿二极管，可将每线路的典型电容降至2pF。SLVU2.8 - 4A1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。SLVU2.8 - 4A1采用无铅8引脚SOP - 8封装。低泄漏、信号完整性和直连式设计的结合，使SLVU2.8 - 4A1非常适用于如10/100/1000以太网等应用。

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型号：PESD36VS2UT,215 编号：C85381

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23（TO - 236AB）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的低电容单向双静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护多达两条信号线免受ESD和其他瞬态影响造成的损坏。

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型号：TPD2S017DBVR 编号：C880115

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPD2S017 具有低钳位和 EMI 滤波功能的 2 通道 5.5V、1pF、±11kV ESD 保护二极管

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型号：RCLAMP0504F.TCT 编号：C132257

封装：SC-70-6L

品牌：SEMTECH

RailClamps是浪涌额定二极管阵列，旨在保护高速数据接口。该系列专为保护连接到数据和传输线路的敏感组件而设计，使其免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在一个封装中。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态电流引导至电源线的正端或接地。内部TVS二极管可防止电源线上出现过电压，保护任何下游组件。低电容阵列配置使用户能够保护四条高速数据或传输线路。低电感结构可在高电流浪涌期间将电压过冲降至最低。该器件针对便携式电子设备的ESD保护进行了优化。它们可用于满足IEC 61000 - 4 - 2（4级 ±15KV空气放电、±8KV接触放电）的ESD抗扰度要求。

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型号：SR3.3.TCT 编号：C512377

封装：SOT-143

品牌：SEMTECH

RailClamps是浪涌额定二极管阵列，旨在保护高速数据接口。SR系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和三级雷击引起的过电压影响。SR系列器件的独特设计在单个封装中集成了四个浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管。TVS二极管采用Semtech专有的低压EPD技术制造，在3.3伏电压下具有卓越的电气特性。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态电流引导至电源线的正端或接地。内部TVS二极管可防止电源线上出现过电压，保护任何下游元件。低电容阵列配置使用户能够保护两条高速数据或传输线路。低电感结构可在高电流浪涌期间将电压过冲降至最低。

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