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型号：PDFB050150-SOD923 编号：C2890114

封装：SOD-923(0402)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：超低电容：典型值15pF。超低泄漏：nA级别。低工作电压：±5V。低钳位电压。 2引脚无铅封装。符合以下标准: IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。应用：智能手机和平板电脑。电视和机顶盒

数据手册

20+
￥0.2439
200+
￥0.1964
600+
￥0.17
2000+
￥0.1541
8000+
￥0.1219
16000+
￥0.1145

有货

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型号：HDESD3V3E1BL-7B 编号：C22440392

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此ESD保护装置为单通道双向二极管，额定电压VRWM为3.3伏特，能承受9安培峰值瞬态电流IPP，具有15皮法电容CJ，确保了在高灵敏电路应用中既有效抑制静电放电，又最大限度地减少了对信号传输的影响。

20+
￥0.16497 ￥0.1833
200+
￥0.12852 ￥0.1428
600+
￥0.10827 ￥0.1203
2000+
￥0.09612 ￥0.1068
10000+
￥0.08559 ￥0.0951
20000+
￥0.07992 ￥0.0888

有货

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型号：HESDBK3V3 编号：C22440179

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款ESD防护器件为单通道双向二极管，额定电压VRWM为3.3V，具备9A峰值瞬态电流IPP处理能力，以及15pF的低等效电容CJ，旨在为电路提供高效的静电放电保护，确保信号完整无损，适用于高灵敏度电子系统中的静电防护设计。

10+
￥0.23256 ￥0.2907
100+
￥0.18344 ￥0.2293
300+
￥0.15888 ￥0.1986
1000+
￥0.1404 ￥0.1755
5000+
￥0.12568 ￥0.1571
10000+
￥0.11832 ￥0.1479

有货

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型号：AOZ8S503BDS-05 编号：C3024410

封装：DFN-2L(0.6x0.3)

品牌：AOS

AOZ8S503BDS-05是一款单通道双向高浪涌瞬态电压抑制器，旨在保护音频线和电源线等数据线免受静电放电（ESD）或浪涌事件的损害。该器件在单个封装中集成了两个单向TVS二极管。在瞬态条件下，双向二极管将瞬态电流导向电源线的正端或接地。AOZ8S503BDS-05的典型电容为9 pF，钳位电压低，非常适合用于移动和计算设备的数据传输保护。AOZ8S503BDS-05采用符合RoHS标准且无卤素的0.6mm×0.3mm封装，结温范围为-40℃至+125℃。

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