esd保护二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DFN2510-10

该器件旨在保护高速接口，如10 Gbps的SuperSpeed USB 3.2、高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口免受静电放电（ESD）影响。该器件包含一个高级ESD保护二极管结构，用于保护超高速信号线的敏感发射机和接收机。该器件采用无引脚小型DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）塑料封装。所有信号线均采用特殊的二极管配置进行保护，最大线路电容仅为0.2 pF。这些二极管采用回滞结构，以便为下游组件提供高达±15 kV接触ESD电压的保护，超过了IEC 61000 - 4 - 2标准的4级要求。

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￥2.2873
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型号：PESD5V0L5UV,115 编号：C84255

封装：SOT-666-6

品牌：Nexperia(安世)

低电容单向五通道静电放电（ESD）保护二极管阵列，采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护多达五条单向信号线免受ESD及其他瞬态干扰造成的损坏。

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型号：TPD4E02B04QDQARQ1 编号：C1973193

封装：USON-10(1x2.5)

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E02B04-Q1 适用于 USB 3.0 和高速接口的汽车类四路 0.25pF、±3.6V、±12kV ESD 保护二极管

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型号：CDSOD323-T03C 编号：C711705

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制器阵列二极管，用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至24 V。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，便于在标准贴装设备上操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。伯恩斯器件有助于满足IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、IEC 61000 - 4 - 4（EFT）和IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）要求。

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型号：PRTR5V0U2AX,215 编号：C455074

封装：SOT-143

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT143B表面贴装器件（SMD）塑料封装的超低电容双轨到轨静电放电（ESD）保护二极管。该器件旨在保护两条高速数据线或高频信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。PRTR5V0U2AX集成了两个超低电容轨到轨二极管和一个额外的ESD保护二极管，即使在没有电源电压的情况下也能确保信号线得到保护。

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￥3.85
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型号：NUP4202W1T2G 编号：C89319

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

NUP4202W1浪涌保护器件旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击的影响。全新的NUP4202W1是一款低电容浪涌保护二极管阵列，用于保护通信系统、计算机及计算机外设等敏感电子设备，使其免受静电放电事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速输入/输出（I/O）数据线。NUP4202W1采用集成设计，在单个封装（SC - 88）中集成了具有浪涌额定值的低电容导向二极管和浪涌保护二极管。若出现瞬态情况，导向二极管会将瞬态电流引导至电源的正轨或接地。浪涌保护器件可保护电源线免受电压过高的影响，避免损坏电源及任何下游组件。

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型号：RCLAMP3374N.TCT 编号：C512373

封装：SMD,3x2mm

品牌：SEMTECH

RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在单个封装中。RClamp3374N旨在替代多达两个用于板级千兆以太网（GbE）保护的元件。每个器件设计用于保护两对线路。这通过将走线穿过器件来实现。以这种方式连接时，该器件能够承受高水平的浪涌电流（40A，8/20μs），同时保持低于5pF的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于诸如千兆以太网、电信线路和低压差分信号（LVDS）接口等应用的高风险环境中。RClamp3374N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供低箝位电压，并显著降低泄漏电流和电容。它具有3.3伏的实际工作电压，可提供卓越的保护。RClamp3374N采用10引脚的SLP3020N10封装。尺寸为3.0×2.0×0.60mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。

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型号：LTC4359CMS8#TRPBF 编号：C688235

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

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￥33.3422 ￥38.77
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￥23.8564 ￥27.74

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型号：TPD1E10B06DPYR(UMW) 编号：C2987697

封装：X1-SON-2(0.6x1)

品牌：UMW(友台半导体)

是一款单通道 ESD TVS 二极管，采用小型 0402 封装，适用于空间受限的应用，也有行业标准 SOD-523 封装。该 TVS 保护产品提供 ±30 kV 接触 ESD、±30 kV IEC 气隙保护，并有一个带背对背 TVS 二极管的 ESD 钳位电路，支持双极或双向信号。该 ESD 保护二极管的 12 pF 线路电容适用于支持高达 400 Mbps 数据速率的广泛应用。

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50+
￥0.099
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型号：BNPESD5V0S1UL 编号：C19077977

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) 0402封装 5V单向静电保护管

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型号：ESDA05 编号：C2836909

封装：0603

品牌：Leiditech(雷卯电子)

ESD器件可将静电放电从高清电视设备、打印机、笔记本电脑、手机及其他便携式设备中的敏感电路分流出去。与传统保护器件（如多层压敏电阻（MLV））相比，ESD器件具有诸多优势，多层压敏电阻可能会使高速数据率电路中的信号劣化或失真。与瞬态电压抑制（TVS）二极管和微型气体放电管（GDT）相比，ESD器件外形更为紧凑，为如今日益小型化的紧凑型信息家电提供了经济的解决方案。我们的ESD保护器件有多种外形规格可供选择，电容低，符合传输线脉冲（TLP）测试以及IEC61000-4-2测试要求。

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￥0.18772 ￥0.1976
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￥0.148675 ￥0.1565
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￥0.091485 ￥0.0963
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型号：PESD3V3U1UB(UMW) 编号：C19626352

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

超低电容单向静电放电（ESD）保护二极管，采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。

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￥0.2039
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3000+
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型号：PESD5V0L1BSF,315 编号：C2443725

封装：DSN0603-2

品牌：Nexperia(安世)

采用SOD962无引脚超小型表面贴装器件（SMD）封装的低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态影响造成的损坏。

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5+
￥0.4858
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￥0.3786
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￥0.3251
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￥0.2849
2500+
￥0.2527
5000+
￥0.2367

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型号：ESD73034D-10/TR 编号：C2941834

封装：DFN2510-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73034D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73034D集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73034D可提供高达±10 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤素。

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5+
￥0.5209
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￥0.4215
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￥0.3718
500+
￥0.3346
3000+
￥0.3048
6000+
￥0.2899

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型号：PESD12VS1UA,115 编号：C131084

封装：SOD-323

品牌：Nexperia(安世)

单向静电放电（ESD）保护二极管采用超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护单条信号线免受ESD和瞬态过电压造成的损坏。

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5+
￥0.7298
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￥0.428
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￥0.3797
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￥0.3555

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型号：SP4020-01FTG 编号：C1972938

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4020 组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，用于单向或双向保护，以抵御 ESD 和雷电感应浪涌事件。根据 IEC 61000 - 4 - 5 第二版（tp = 8/20μs），这些器件可安全吸收高达 30A 的电流而性能不下降，并且根据 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，其最小 ESD 为 ±30kV。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护电信端口，如以太网和其他高速数据接口。

5+
￥1.0646
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￥0.8638
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￥0.7778
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￥0.6704
3000+
￥0.6226

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型号：CDDFN10-0524P 编号：C911379

封装：DFN-10(1x2.5)

品牌：BOURNS

CDDFN10 - 0524P器件可为高速数据端口提供静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和浪涌保护，满足IEC 61000 - 4 - 2（ESD）要求。该瞬态电压抑制器阵列可保护多达4条数据线，工作峰值反向电压为5 V，最小击穿电压为6 V。采用DFN10封装的器件可直接安装到行业标准的DFN10焊盘上。芯片二极管符合JEDEC标准，使用标准的贴装设备易于操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。CDDFN10 - 0524P型号旨在保护高速数据端口免受ESD瞬变影响。对于HDMI 1.4和USB 3.0等高速端口，保持信号线阻抗是一项关键要求。采用“直通式”布局的DFN10封装可使高速数据线上的阻抗变化最小化，同时该器件的超低电容性能可限制每个通道上的信号衰减。

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5+
￥1.0759
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￥0.8617
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￥0.6554
3000+
￥0.6044
6000+
￥0.5738

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型号：SP3003-02JTG 编号：C151302

封装：SC-70-5

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3003具备超低电容的轨到轨二极管以及一个额外的齐纳二极管，采用专有硅雪崩技术制造，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高级别（4级，±8 KV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394等高速度信号引脚。

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5+
￥1.3807
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￥1.1188
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￥1.0066
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￥0.8666
3000+
￥0.8042
6000+
￥0.7668

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型号：TPD1E05U06QDPYRQ1 编号：C1974916

封装：X1-SON-2(0.6x1)

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E05U06-Q1 适用于 USB 3.0 且采用 0402 封装的汽车类 0.4pF 5.5V ±12kV ESD 保护二极管

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5+
￥1.4243
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￥1.1197
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￥0.971
500+
￥0.8383
2500+
￥0.8019

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型号：NUP4114HMR6T1G 编号：C260431

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NUP4114 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和高级别的ESD保护使这些器件非常适合用于USB 2.0高速应用。新型NUP4114是一款低电容ESD二极管阵列，旨在保护通信系统、计算机和计算机外设等敏感电子设备，使其免受ESD事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速I/O数据线。NUP4114的集成设计在单个封装（TSOP - 6）中集成了低电容转向二极管和ESD二极管。该器件可保护电源线免受过压情况影响，避免损坏电源和任何下游组件。

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5+
￥1.4951
50+
￥1.159
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￥1.0149
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￥0.8351
3000+
￥0.7551
6000+
￥0.7071

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型号：UCLAMP0571P.TNT 编号：C512387

封装：SGP1610-2

品牌：SEMTECH

μClamp TVS二极管旨在保护敏感电子设备，避免其因电气过应力（EOS）、雷击、电缆放电事件（CDE）和静电放电（ESD）而损坏或发生闩锁。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。这些器件具备出色的板级保护特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。μmxpxx71P系列采用2引脚SGP1610N2封装，尺寸为1.6×1.0 mm，标称高度为0.57 mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。它们可用于保护5V、8V、10V、12V、15V、18V、22V、26V和36V系统。其特点是具有高浪涌电流能力和低钳位电压，非常适合在恶劣的瞬态环境中使用。

数据手册

5+
￥1.7556
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￥1.3626
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￥1.1942
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￥0.984
2500+
￥0.8905
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￥0.8343

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型号：TPD2EUSB30ADRTR 编号：C94934

封装：SOT(9x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPD2EUSB30A 适用于 USB 3.0 且具有 5A 浪涌额定值的双通道 0.7pF、3.6V、±8kV ESD 保护二极管

数据手册

5+
￥1.8945
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￥1.4964
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￥1.3257
500+
￥1.1128

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型号：RCLAMP0504S.TCT 编号：C132260

封装：SOT-23-6L

品牌：SEMTECH

RailClamps是浪涌额定二极管阵列，旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个瞬态电压抑制（TVS）二极管集成在单个封装中。在瞬态情况下，转向二极管将瞬态电流导向电源线的正极或接地。内部的TVS二极管可防止电源线上出现过电压，保护任何下游元件。低电容阵列配置使用户能够保护四条高速数据或传输线路。低电感结构可在大电流浪涌期间将电压过冲降至最低。该器件针对便携式电子设备的静电放电保护进行了优化。它们可用于满足IEC 61000-4-2标准（4级 ±15KV空气放电、±8KV接触放电）的静电放电抗扰度要求。

数据手册

5+
￥1.9213
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￥1.5181
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￥1.3453
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￥1.1297
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￥1.0337
6000+
￥0.976

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型号：ESD224DQAR 编号：C1981316

封装：USON-10(1x2.5)

品牌：TI(德州仪器)

ESD224 适用于 USB 和 HDMI 的四通道 0.5pF、±3.6V、±12kV ESD 保护二极管

数据手册

1+
￥1.98
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￥1.56
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￥1.35
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￥1.17
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￥1.12
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￥1.09

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型号：TPD2E009DBZR 编号：C2871371

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

TPD2E009 具有 5A 浪涌额定值的双通道 0.7pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

数据手册

5+
￥2.0357
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￥1.6313
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￥1.4339
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￥1.2578
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￥1.2094

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型号：PESD15VL1BA,115 编号：C85378

封装：SOD-323

品牌：Nexperia(安世)

采用超小型SOD323（SC 76）贴片塑料封装的双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

5+
￥2.0438
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￥1.6599
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￥1.4954
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￥1.2901
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￥1.1975
6000+
￥1.1427

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型号：PESD5V0U1BA,115 编号：C552574

封装：SOD-323

品牌：Nexperia(安世)

采用超小型SOD323 (SC-76) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装的低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

5+
￥2.0462
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￥1.6483
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￥1.4777
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￥1.2649
3000+
￥1.1228
6000+
￥1.066

有货

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型号：TPD4E001DCKR 编号：C1973965

封装：SC-70-6

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的四路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

数据手册

5+
￥2.2151
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￥1.7818
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￥1.5961
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￥1.3602
3000+
￥1.2571
6000+
￥1.1951

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型号：CDSOD323-T05C 编号：C711706

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制器阵列二极管，用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至24 V。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，便于在标准贴装设备上操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。伯恩斯器件有助于满足IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、IEC 61000 - 4 - 4（EFT）和IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）要求。

数据手册

5+
￥2.5339
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￥2.0534
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￥1.8474
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￥1.5905

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型号：SP3011-06UTG 编号：C207281

封装：UDFN-14(1.4x3.5)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3011集成了六路超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的USB 3.0端口提供保护。该高密度阵列能够在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8 kV接触放电）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容使其非常适合保护任何高速信号引脚。

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￥2.64
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￥1.83
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