esd保护二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：CDSOD323-T12 编号：C1975233

封装：SOD-323

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制器阵列二极管，用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至24 V。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，便于在标准贴装设备上操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。伯恩斯器件有助于满足IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、IEC 61000 - 4 - 4（EFT）和IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）要求。

数据手册

1+
￥3.2
10+
￥2.47
30+
￥2.16
100+
￥1.76

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型号：ESD7008MUTAG 编号：C260424

封装：UDFN-18(1.5x5.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD7008静电放电（ESD）保护二极管专为保护四对高速差分线而设计。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想选择。直插式封装便于PCB布局，并能实现匹配的走线长度，这对于保持高速线路的阻抗一致性至关重要。

数据手册

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￥6.7
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￥5.58
30+
￥4.96
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￥4.26
500+
￥3.95
1000+
￥3.81

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型号：ESD7L5.0DT5G 编号：C605398

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

ESD7L系列旨在保护电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）造成的损坏，适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用场景。该系列具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，同时其二极管电容低至0.5pF，能为集成电路（IC）提供一流的ESD防护，避免其受损。

数据手册

1+
￥9.68
10+
￥8
30+
￥7.07
100+
￥6.03

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型号：UCLAMP2804L.TCT 编号：C512389

封装：SO-8

品牌：SEMTECH

μClamp®2804L TVS二极管专为满足千兆以太网接口的性能要求而设计。它们旨在保护敏感的PHY芯片，使其免受静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）造成的损坏或故障影响。

数据手册

1+
￥11.57
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￥9.85
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￥8.78
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￥7.68
500+
￥7.18
1000+
￥6.96

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型号：ESD8D5.0C-V2-HXY 编号：C4748771

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道保护。具有5.5A峰值脉冲电流IPP能力，有效对抗双向瞬态ESD冲击，确保电路安全。结电容低至10pF，保障高速数据传输时信号完整性，是现代电子设备接口的理想选择，为高集成度应用提供卓越的静电防护性能。

数据手册

100+
￥0.0348 ￥0.0435
1000+
￥0.02704 ￥0.0338
3000+
￥0.02272 ￥0.0284
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￥0.01888 ￥0.0236
50000+
￥0.01664 ￥0.0208
100000+
￥0.01544 ￥0.0193

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型号：MSESD8D3.3CAT5G 编号：C42403084

封装：DFN1006-2

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款SOD-882封装双向ESD静电防护二极管专为3.3V系统设计，具备单通道强大保护功能，双向抑制ESD冲击，保障电路安全。其结电容低至15pF，特别适应高速数据传输需求，提供卓越的信号完整性和高效ESD防护性能，是紧凑型电子设备的理想选择。

100+
￥0.044745 ￥0.0471
1000+
￥0.034485 ￥0.0363
3000+
￥0.028785 ￥0.0303
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￥0.025365 ￥0.0267
50000+
￥0.022325 ￥0.0235
100000+
￥0.020805 ￥0.0219

有货

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型号：HESD5311N 编号：C22439783

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款单向ESD静电保护二极管针对单通道电路设计，5V工作电压下稳定可靠，能承受4A瞬态电流冲击，为电路安全保驾护航。其电容值仅为0.6pF，极大减少了信号衰减和延迟，是保护高频电路和微弱信号应用的理想元件，确保信号完整性与系统高性能表现。

20+
￥0.065032 ￥0.0739
200+
￥0.063536 ￥0.0722
600+
￥0.062568 ￥0.0711
2000+
￥0.0616 ￥0.07

有货

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型号：HESDNC5VB1CL-A 编号：C3033490

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道高效保护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力，有效抑制双向瞬态ESD冲击，确保电路安全稳定。其15pF结电容设计，在保障高速信号线路不受干扰的同时，为现代电子设备提供卓越的静电防护性能。

数据手册

50+
￥0.0688
500+
￥0.0532
3000+
￥0.0434
6000+
￥0.0382
24000+
￥0.0336
51000+
￥0.0312

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型号：PESD5V0U1BL 编号：C3001955

封装：SOD-882

品牌：UMW(友台半导体)

超低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管，采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，旨在保护一条数据线免受 ESD 造成的损坏。

数据手册

50+
￥0.0842
500+
￥0.0654
1500+
￥0.0549
10000+
￥0.0486
20000+
￥0.0432
50000+
￥0.0402

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型号：ULC0511CDN 编号：C2972751

封装：DFN1006-2

品牌：JKSEMI(金开盛)

ULC0511CDN是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间、极低电容和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ULC0511 CDN符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15KV，接触放电±8KV。它采用超小型1.0×0.6×0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和极低电容使ULC0511CDN成为保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口和许多其他便携式应用的理想选择。

数据手册

50+
￥0.0862
500+
￥0.0667
1500+
￥0.0559
10000+
￥0.0508

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型号：ESD5Z3.3C-HXY 编号：C4748788

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款紧凑型SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管，专为1通道应用设计。具有低至3.3V的VRWM反向工作电压，能在不影响正常信号传输下提供卓越保护。其高达9A的峰值脉冲电流IPP和仅15pF的超低结电容CJ，确保在高效抵御ESD冲击的同时保持高速数据线路的优异信号质量。

数据手册

50+
￥0.089015 ￥0.0937
500+
￥0.070015 ￥0.0737
3000+
￥0.05643 ￥0.0594
6000+
￥0.050065 ￥0.0527
24000+
￥0.044555 ￥0.0469
51000+
￥0.04161 ￥0.0438

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型号：ESD5Z5V0 编号：C20611933

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-523封装的单向ESD静电防护二极管专为高效防护设计，工作额定电压VRWM为5V，峰值脉冲电流IPP高达9.4A。具备1通道卓越保护性能，结电容低至80pF，确保高速信号传输无损，满足IEC 61000-4-2标准，有效防止静电放电对电子设备造成的损害。

50+
￥0.1028
500+
￥0.0801
3000+
￥0.0665
6000+
￥0.0589
24000+
￥0.0523
51000+
￥0.0488

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型号：AZC199-02S(UMW) 编号：C19626356

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

是一种包含静电放电（ESD）额定二极管阵列的设计，用于保护高速数据接口。专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件，使其免受静电放电（ESD）引起的过电压影响。

20+
￥0.1294
200+
￥0.1026
600+
￥0.0878
3000+
￥0.0789
9000+
￥0.0712
21000+
￥0.067

有货

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型号：BNESD9X5.0ST5G 编号：C19077972

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) 0402封装 5V单向静电保护管

20+
￥0.1354
200+
￥0.1057
600+
￥0.0892
2000+
￥0.0793
10000+
￥0.0707
20000+
￥0.066

有货

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型号：HRCLAMP0521P 编号：C22439747

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款双向ESD保护二极管专为单通道应用优化，5V最大工作电压下能有效阻挡静电冲击，4A峰值电流处理能力为电路安全提供强力保障。加之0.5pF的低电容特性，确保了信号完整无损，特别适配于高速数据传输及静电敏感型电子设备，强化系统防护等级。

20+
￥0.14292 ￥0.1588
200+
￥0.11133 ￥0.1237
600+
￥0.09378 ￥0.1042
2000+
￥0.08325 ￥0.0925
10000+
￥0.07416 ￥0.0824
20000+
￥0.06921 ￥0.0769

有货

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型号：ESD8D12C 编号：C22368679

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，采用DFN1006(SOD882)无铅超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态损害。

20+
￥0.14958 ￥0.1662
200+
￥0.11655 ￥0.1295
600+
￥0.09819 ￥0.1091
2000+
￥0.08712 ￥0.0968
10000+
￥0.07758 ￥0.0862
20000+
￥0.07245 ￥0.0805

有货

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型号：UAQ02C05L01-R0.5 编号：C730027

封装：SOD-882

品牌：Brightking(君耀电子)

UAQ02C05L01-R0.5包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背 TVS 二极管，可为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供保护。这些耐用的二极管能够安全吸收高达 IEC61000-4-2 国际标准规定的最大水平的重复 ESD 冲击，且性能不会下降。背对背配置在存在交流信号时为数据线提供对称的 ESD 保护。

数据手册

20+
￥0.1535
200+
￥0.132
600+
￥0.1201
2000+
￥0.113
10000+
￥0.1049

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型号：LGSOT12CLT1G 编号：C136176

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

LGSOT12CLT1G是一款双片式电压抑制器，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受静电放电（ESD）影响。对于正瞬变，它将电压钳位在逻辑电平电源略高的位置；对于负瞬变，它将电压钳位到低于地电位一个二极管压降的位置。仅连接引脚1和2时，它也可作为双向抑制器工作。

数据手册

20+
￥0.1541
200+
￥0.1182
600+
￥0.0983
3000+
￥0.0864
9000+
￥0.076

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型号：LY8AC15UL 编号：C22434953

封装：DFN1006-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY8AC15UL 是一款双向 TVS 二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合 IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受 ±20KV 空气放电和 ±15KV 接触放电。该器件采用超小型无铅 DFN1006 - 2 封装。其尺寸小、电容超低且具备高 ESD 浪涌保护能力，是保护手机和大功率 USB 的理想选择。

10+
￥0.15468 ￥0.2578
100+
￥0.12156 ￥0.2026
300+
￥0.105 ￥0.175
1000+
￥0.09258 ￥0.1543
5000+
￥0.08262 ￥0.1377
10000+
￥0.08112 ￥0.1352

有货

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型号：TPD4E1U06DBVR(UMW) 编号：C19626382

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

是一种基于四通道单向瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管，具有超低电容。该器件的 ESD 冲击耗散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准规定的最高水平。

20+
￥0.1573
200+
￥0.1221
600+
￥0.1025
3000+
￥0.0908
9000+
￥0.0806
21000+
￥0.0752

有货

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型号：ESD8FT5.0 编号：C22368658

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

ESD8FT5.0是一款单向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD8FT5.0符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使ESD8FT5.0成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

10+
￥0.16236 ￥0.1804
100+
￥0.14256 ￥0.1584
300+
￥0.13266 ￥0.1474
1000+
￥0.12528 ￥0.1392
5000+
￥0.11934 ￥0.1326
10000+
￥0.11637 ￥0.1293

有货

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型号：ESD8ST3.3 编号：C22368672

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

ESD8ST3.3 是一款单向 TVS 二极管，采用领先的单片硅技术，可实现快速响应时间和低 ESD 钳位电压，使该器件成为保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD8ST3

10+
￥0.16974 ￥0.1886
100+
￥0.14904 ￥0.1656
300+
￥0.13869 ￥0.1541
1000+
￥0.13095 ￥0.1455
5000+
￥0.12474 ￥0.1386
10000+
￥0.12168 ￥0.1352

有货

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型号：HASD05CL 编号：C22439771

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款双向ESD保护二极管专为单通道电路打造，5V电压保护阈值（VRWM），在低电压应用中表现出色。高达17A的峰值脉冲电流承受力（IPP），为电路提供强效静电屏蔽。尽管电容值CJ为90pF，但针对非极致高速信号线路，仍能有效平衡保护与信号质量，是众多电子设备静电防护的优选方案。

20+
￥0.177555 ￥0.1869
200+
￥0.13832 ￥0.1456
600+
￥0.116565 ￥0.1227
3000+
￥0.103455 ￥0.1089
9000+
￥0.09215 ￥0.097
21000+
￥0.085975 ￥0.0905

有货

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型号：BDFN2C181V35 编号：C19077993

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) 0402封装双向 18V ESD静电保护管

20+
￥0.21006 ￥0.2334
200+
￥0.16632 ￥0.1848
600+
￥0.14202 ￥0.1578
2000+
￥0.12744 ￥0.1416
10000+
￥0.09864 ￥0.1096
20000+
￥0.0918 ￥0.102

有货

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型号：AQ3522-01FTG(UMW) 编号：C19626362

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

集成超低电容二极管，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。该组件能安全吸收高于IEC 61000-4-2国际标准（4级，±8kV接触放电）规定的最大水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。

20+
￥0.2223
200+
￥0.1742
600+
￥0.1475
3000+
￥0.1314
9000+
￥0.1175
21000+
￥0.1101

有货

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型号：BNPESD5V0L5UY 编号：C19077979

封装：SOT-363

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) SOT-363封装 5V集成静电保护管

10+
￥0.25353 ￥0.2817
100+
￥0.22113 ￥0.2457
300+
￥0.20493 ￥0.2277
3000+
￥0.19278 ￥0.2142
6000+
￥0.18306 ￥0.2034
9000+
￥0.1782 ￥0.198

有货

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型号：HSZ1SMA30AT3G 编号：C42401985

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该静电和浪涌保护器件是一款单向TVS二极管，具有8.3安培的IPP（峰值脉冲电流）和30伏特的VRWM（重复工作电压）。适用于单线保护方案，可在电子装置中作为关键的安全屏障，防止静电放电（ESD）及瞬态电压对内部电路造成冲击。此元件通过限制电压水平来保护连接器和其他易损接口，确保设备在面对非预期电压波动时仍能保持正常运作。

10+
￥0.27759 ￥0.2922
100+
￥0.21698 ￥0.2284
300+
￥0.18658 ￥0.1964
1000+
￥0.163875 ￥0.1725
5000+
￥0.145635 ￥0.1533
10000+
￥0.13661 ￥0.1438

有货

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型号：LRC1043-04DT1G 编号：C383272

封装：DFN2510

品牌：LRC(乐山无线电)

LRC1043-04DT1G是一款4通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对二极管组成，可将正或负ESD电流导向正或负轨。在正负电源轨之间集成了一个齐纳二极管。在典型应用中，负轨引脚（指定为GND）与系统地相连。正ESD电流通过ESD二极管和齐纳二极管导向地，正ESD电压被钳位到齐纳电压。LRC1043-04DT1G非常适合保护高速数据线。

数据手册

10+
￥0.3426
100+
￥0.2788
300+
￥0.2469
3000+
￥0.2229

有货

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型号：TT0514SPX 编号：C3038067

封装：DFN2510-10L

品牌：晶扬电子

TT0514SPX是一款超低电容瞬态电压抑制器（TVS），专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护而设计。其典型电容仅为0.5pF，旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC61000 - 4 - 2（ESD）4级标准（±15kV空气放电、±8kV接触放电）、IEC61000 - 4 - 4（电气快速瞬变 - EFT）（40A、5/50ns）、超快充电器件模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等标准。TT0514SPX采用符合RoHS标准且无卤的2.5mm x 1.0mm x 0.55mm DFN2510 - 10L封装。该器件在单个封装中集成了八个浪涌额定的超低电容导向二极管和一个TVS。在瞬态条件下，导向二极管将瞬态电流引导至电源线的正端或接地。

数据手册

10+
￥0.3646
100+
￥0.2926
300+
￥0.2566
3000+
￥0.2131
6000+
￥0.1915
9000+
￥0.1806

有货

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型号：PESD36VS2UT 编号：C3001943

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：单向两线ESD保护。 ESD保护高达30 kV。低二极管电容：Cd = 17 pF。 IEC 61000-4-2；4级（ESD）。最大峰值脉冲功率：Ppp = 160 W。 IEC 61000-4-5（浪涌）；Ipp = 2.5 A。应用：计算机及周边设备。音频和视频设备

数据手册

10+
￥0.4035
100+
￥0.3205
300+
￥0.279
3000+
￥0.2407
6000+
￥0.2158
9000+
￥0.2033

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