esd保护二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMD-3P,1x0.6mm

RClamp0512TQ专为高速端口提供二次浪涌和ESD保护而设计。RClamp0512TQ将低电容、浪涌额定转向二极管与高功率瞬态电压抑制器（TVS）集成在一起。该TVS采用回滞或“撬棒”技术，以最小化器件钳位电压，并具有20A（tp = 8/20us）的高浪涌电流能力。其ESD特性表现为高ESD耐受电压（根据IEC 61000 - 4 - 2标准为+/-30kV）和极低的动态电阻（典型值为0.075欧姆）。每个器件可保护两条工作在5伏的线路，并且符合汽车应用的AEC - Q100 1级标准（-40至+125℃）。RClamp0512TQ采用3引脚SGP1006N3T封装。其尺寸为1.0×0.6mm，标称高度仅为0.4mm。引脚采用无铅镍金镀层。直插式封装设计简化了PCB布局。

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￥2.75
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￥2.16
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￥1.92
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￥1.46
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型号：SM2T3V3A 编号：C970557

封装：DO-216AA

品牌：ST(意法半导体)

SM2T3V3A是一款瞬态抑制二极管，专为易受静电放电（ESD）瞬态过电压影响的便携式设备和小型化电子设备而设计。其低截止电压使其适用于对电气过应力（EOS）和ESD事件非常敏感的低电压应用。瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过电压保护。

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￥2.95
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￥2.33
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￥2.07
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型号：TPD3E001DRLR 编号：C470828

封装：SOT(5x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPD3E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大泄漏电流和 VCC 引脚的 3 通道 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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￥3.61
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型号：PESD1USB3SZ 编号：C461215

封装：WLCSP-5(0.8x1.2)

品牌：Nexperia(安世)

该器件用于单通道、双通道和三通道差分信号的静电放电（ESD）保护。该器件与具备ESD保护功能的PCMFxUSB3S共模滤波器引脚兼容。二极管可为下游组件提供保护，每条信号线可承受高达±15 kV的ESD电压。

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￥6.45
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型号：LTC4359HDCB#TRPBF 编号：C688238

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

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型号：SS34-TD 编号：C46550832

封装：SMA

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

此款肖特基二极管采用SMA封装，他具有更低的正向压降，更快的开关速度和更高的反向耐压能力，最大正向电流高达3A,被广泛应用于广泛应用于DC-DC转换器、电压钳位、保护电路（如ESD保护）、电池充电电路、脉冲电路、以及各种电子设备中的信号线保护等。

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￥0.1323
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型号：ESDA12-1K(UMW) 编号：C19723979

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

是一款单线瞬态抑制二极管，专为保护便携式设备和小型电子设备中的集成电路免受静电放电 (ESD) 和电气过应力 (EOS) 瞬态过电压的影响而设计。

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￥0.2019
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￥0.0956

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型号：PESD1LIN 编号：C2831530

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

特性：采用非常小的SOD323表面贴装器件（SMD）塑料封装。对一条汽车LIN总线线路进行ESD保护。非对称二极管配置，确保对LIN电子控制单元（ECU）的电磁干扰（EMI）进行优化保护。最大峰值脉冲功率：在tp = 8 / 20μs时，PPP = 160 W。低钳位电压：在IPP = 1 A时，VCL = 40 V。超低泄漏电流：IRM < 1 nA。应用：LIN总线保护。汽车应用

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￥0.2345
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￥0.1796
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￥0.1491
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￥0.095

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型号：RCLAMP0542ZATFT 编号：C1981685

封装：0201

品牌：SEMTECH

RClamp 0542ZA 是一款超低电容的静电放电（ESD）保护器件，旨在以 0201 封装尺寸保护两条高速线路。这种创新的封装设计与现有的单线解决方案相比，可将电路板空间需求降低 50%以上。RClamp 0542ZA 是一款三引脚器件，每个引脚都连接有相同的低电容瞬态电压抑制（TVS）二极管

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￥0.2528
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￥0.2078
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15000+
￥0.183

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型号：SRV05-4 编号：C397788

封装：SOT-23-6

品牌：AnBon(安邦)

特性：低钳位电压。低泄漏电流。小封装。由于集成齐纳二极管，具有低电压钳位特性。四个超低输入电容（典型值1 pF）的ESD轨到轨保护二极管。无铅部件符合RoHS要求。应用：数码相机。便携式仪器

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￥0.3093
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￥0.2483
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￥0.2178
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6000+
￥0.1626
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￥0.1534

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型号：ESD9X5VU-2/TR 编号：C189964

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9X5VU 是一款单向瞬态电压抑制器 (TVS)，可为可能遭受静电放电 (ESD) 的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用（如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等）中的多层压敏电阻 (MLV)。ESD9X5VU 集成了一对超低电容转向二极管和一个 TVS 二极管。根据 IEC61000 - 4 - 2 标准，ESD9X5VU 可提供高达 ±20 kV（接触和空气放电）的 ESD 保护，并根据 IEC61000 - 4 - 5 标准，能够承受 8/20 μs 脉冲下高达 4A 的峰值脉冲电流。ESD9X5VU 采用 FBP - 02C 封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.3362
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￥0.2762
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￥0.2327
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￥0.1968
10000+
￥0.1907

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型号：TPD1E6B06DPLR 编号：C914099

封装：X2-SON-2(0.3x0.6)

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E6B06 采用 0201 封装的 6pF ±5V ±15kV ESD 保护二极管

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10+
￥0.4007
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￥0.323
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￥0.2841
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￥0.2549
5000+
￥0.2316

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型号：ESDSRVLC05-4 编号：C2920028

封装：SOT-23-6L

品牌：Yint(音特电子)

ESDSRVLC05 - 4采用专有硅雪崩技术制造，具备超低电容的轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够在IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高级别（4级）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394。

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￥0.4618
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￥0.3658
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￥0.3178
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￥0.2673
6000+
￥0.2385
9000+
￥0.224

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型号：DF2S6M4CT,L3F 编号：C1976256

封装：CST-2

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S6M4CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2S6M4CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mmx0.6 mm），可满足对占用空间要求较小的应用需求。

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￥0.4788
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￥0.3732
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￥0.3204
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￥0.2808
2500+
￥0.2491
5000+
￥0.2332

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型号：ESD8011MUT5G 编号：C462721

封装：X3-DFN-2(0.3x0.6)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8011静电放电（ESD）保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。

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5+
￥0.7705
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￥0.6193
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￥0.5437
500+
￥0.487
2500+
￥0.4416
5000+
￥0.4095

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型号：PSD15C-LF-T7 编号：C94199

封装：SOD-323

品牌：PROTEK

PSDxx和PSDxxC系列是瞬态电压抑制器阵列，专为智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子设备的静电放电（ESD）保护而设计。与多层压敏电阻（MLV）等其他技术相比，这些基于硅的二极管具有更出色的钳位电压和性能。PSDxx和PSDxxC系列可作为单线路保护器，采用单向或双向配置。SOD - 323小型封装配置为设计人员在印刷电路板上为每个I/O端口或电压总线进行布局提供了灵活性。PSDxx和PSDxxC系列符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、61000 - 4 - 4（EFT）和61000 - 4 - 5标准要求。

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5+
￥0.7921
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￥0.6258
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￥0.5427
500+
￥0.4803
3000+
￥0.4304
6000+
￥0.4054

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型号：TPD4E1U06DCKR 编号：C194628

封装：SOT-363

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E1U06 采用 SOT-23 和 SC70 封装的四路 0.8pF、5.5V、±15kV ESD 保护二极管

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5+
￥0.8398
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￥0.672
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￥0.5881
500+
￥0.5251
3000+
￥0.4748

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型号：PESD5V0S2BQAZ 编号：C552571

封装：DFN1010-3

品牌：Nexperia(安世)

两个双向静电放电（ESD）保护二极管，用于保护两条信号线免受 ESD 和其他瞬态损害。该器件采用无铅超小 DFN1010D-3（SOT1215）表面贴装器件（SMD）塑料封装，带有可见且可焊接的侧焊盘。

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5+
￥0.8982
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￥0.7088
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￥0.6141
500+
￥0.5431
2500+
￥0.4863
5000+
￥0.4579

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型号：ESDA8P80-1U1M 编号：C2970112

封装：0603

品牌：ST(意法半导体)

ESDA8P80-1U1M是一款单向单线TVS二极管，旨在保护电源线免受EOS和ESD瞬态影响。该器件非常适合需要高功率TVS且节省电路板空间的应用。

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￥0.9454
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￥0.7352
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￥0.4827
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￥0.4527

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型号：SP1001-05XTG 编号：C207269

封装：SOT-563

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管能够安全吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大电平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

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5+
￥1.247
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￥0.99
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￥0.8798
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￥0.7424
3000+
￥0.6812

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型号：LM66100DCKR 编号：C2869734

封装：SC-70-6

品牌：TI(德州仪器)

LM66100 具有集成式 FET 的 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二极管

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5+
￥1.3082
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￥1.0621
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￥0.825
3000+
￥0.7664
6000+
￥0.7313

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型号：ESD2CANXL24DBZRQ1 编号：C20345393

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

ESD2CANXL24-Q1 适用于车载网络的汽车类双路 1.75pF ±24V ±20kV ESD 保护二极管

5+
￥1.5077
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￥1.2281
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￥1.0916
500+
￥0.9699

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型号：SP3002-04JTG 编号：C84558

封装：SOT-363-6(SC-70)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3002采用专有的硅雪崩技术制造，配备超低电容的轨到轨二极管和额外的齐纳二极管，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够在IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高级别（4级）下安全承受反复的ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394等高速度信号引脚。

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5+
￥1.6397
50+
￥1.3233
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￥1.1877
500+
￥1.0186
3000+
￥0.9432

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型号：UCLAMP3301P.TCT 编号：C117559

封装：SLP1006-2

品牌：SEMTECH

A钳位瞬态电压抑制（TVS）二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。与MLV相比，它们具有卓越的电气特性，如更低的钳位电压，且不会出现器件性能退化的问题。这些二极管旨在保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）造成的损坏或故障影响。

数据手册

5+
￥1.7367
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￥1.3531
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￥1.1887
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￥0.9835
3000+
￥0.8922
6000+
￥0.8374

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型号：HCDSOT236-0504LC 编号：C22440379

封装：SOT-23-6L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款单向ESD静电保护二极管，设计有4个通道，专为多线路电路保驾护航。5V工作电压下稳定运作，能承受4A瞬时电流冲击，保护电路免受静电破坏。0.5pF的低电容值，确保高速数据传输无干扰，是现代电子设备中保障信号纯净与系统安全的精妙之选。

1+
￥1.9125 ￥2.25
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￥1.4875 ￥1.75
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￥1.3005 ￥1.53
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￥0.969 ￥1.14
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￥0.9095 ￥1.07

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型号：SP3010-04UTG 编号：C126837

封装：UFDFN-10(1x2.5)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3010集成了4通道超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的器件能够在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8KV接触放电）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

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5+
￥2.0012
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￥1.6059
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￥1.4365
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￥1.2251
3000+
￥1.0761

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型号：ESDS302DBVR 编号：C1975280

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

ESDS302 适用于 USB 和以太网且具有 12A 8/20uS 浪涌额定值的双通道 2.3pF、3.6V、±30kV ESD 保护二极管

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5+
￥2.3
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￥1.8347
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￥1.6353
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￥1.3866

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型号：CDSOD323-T03SC 编号：C840638

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至36 V

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￥3.15
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￥2.52
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￥2.25
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￥1.91
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￥1.76
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￥1.67

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型号：CDSOD323-T12 编号：C1975233

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制器阵列二极管，用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至24 V。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，便于在标准贴装设备上操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。伯恩斯器件有助于满足IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、IEC 61000 - 4 - 4（EFT）和IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）要求。

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￥3.24
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￥2.57
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￥2.23
100+
￥1.89

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型号：TPD3S044DBVR 编号：C2155670

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPD3S0x4集成器件配有一个限流负载开关和一个基于双通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列，适用于USB接口。

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￥4.15
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￥3.31
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￥2.89
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￥2.47
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