esd保护二极管_厂家_价格_品牌_库存

具有超低电容的轨到轨二极管，通过专有的硅雪崩技术制造了一个额外的齐纳二极管，以保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。

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型号：LY323DC05UL 编号：C2925448

封装：SOD-323

品牌：Liown(里阳半导体)

LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

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￥0.347606 ￥0.3547
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型号：TPD1E01B04DPYR 编号：C779389

封装：X1-SON-2(0.6x1)

TPD1E01B04 适用于 USB-C 和天线且采用 0402 和 0201 封装的 0.18pF、±3.6V、±15kV ESD 保护二极管

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型号：SLESD4V5S 编号：C5155454

封装：SOD-323

品牌：Slkor(萨科微)

SLESD4V5S TVS二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它具有出色的电气特性，如低钳位电压、低泄漏电流和高浪涌能力。该二极管旨在保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。SLESD4V5S采用SOD - 323封装，可保护一条单向线路。根据IEC61000 - 4 - 2标准，它可提供高达±30 kV（接触和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可用于保护USB电压总线引脚（8/20 μs）。

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型号：ESD5304D 编号：C5337175

封装：DFN2510-10L

这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管，专为4通道设计，具有5V高耐压VRWM保护，有效防止过电压。器件在每个通道上均能承载瞬态峰值电流IPP高达5A，并配备超低结电容CJ仅为0.3pF，确保在提供卓越ESD防护的同时保持信号高速传输的完整性，是多通道高速接口防静电的理想选择。

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型号：UDT26A05L05-LC1 编号：C523553

封装：SOT-23-6L

品牌：Brightking(君耀电子)

UDT26A05L05-LC1是浪涌额定二极管阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的过电压影响。该器件的独特设计在单个封装中集成了一个浪涌额定二极管和四条数据线、低电容转向二极管以及一个TVS二极管。低电容阵列配置使用户能够保护四条高速数据或传输线路。接触放电：±20kV，空气放电：±25kV

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型号：PESD24VF1BLYL 编号：C2443373

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

采用DFN1006-2（SOD882）超小型无引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装的超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

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2500+
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型号：BN5C4R51V160 编号：C19078057

封装：DFN1610

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) DFN1610 4.5V双向静电保护管大电流

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型号：PSD03-LF-T7 编号：C139297

封装：SOD-323

品牌：PROTEK

PSDxx和PSDxxC系列是瞬态电压抑制器阵列，专为智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子设备的静电放电（ESD）保护而设计。与多层压敏电阻（MLV）等其他技术相比，这些基于硅的二极管具有更出色的钳位电压和性能。PSDxx和PSDxxC系列可作为单线路保护器，采用单向或双向配置。SOD - 323小型封装配置为设计人员在印刷电路板上为每个I/O端口或电压总线进行布局提供了灵活性。PSDxx和PSDxxC系列符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、61000 - 4 - 4（EFT）和61000 - 4 - 5标准要求。

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￥0.7049
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￥0.3629

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型号：ESD204DQAR 编号：C553132

封装：USON-10(1x2.5)

ESD204 适用于 USB 和 HDMI 且具有 5.5A 浪涌额定值的四通道 0.55pF、±3.6V、±30kV ESD 保护二极管

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型号：TPD2E2U06DRLR 编号：C1972959

封装：SOT-553-5

TPD2E2U06 适用于 USB 2.0 且具有 5.5A 8/20us 浪涌等级的双通道 1.5pF、5.5V、±25kV ESD 保护二极管

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型号：SP3002-04JTG 编号：C84558

封装：SOT-363-6(SC-70)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3002采用专有的硅雪崩技术制造，配备超低电容的轨到轨二极管和额外的齐纳二极管，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够在IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高级别（4级）下安全承受反复的ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394等高速度信号引脚。

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￥1.6622
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￥0.9562

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型号：ESD224DQAR 编号：C1981316

封装：USON-10(1x2.5)

ESD224 适用于 USB 和 HDMI 的四通道 0.5pF、±3.6V、±12kV ESD 保护二极管

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￥2.11
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型号：SP3011-06UTG 编号：C207281

封装：UDFN-14(1.4x3.5)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3011集成了六路超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的USB 3.0端口提供保护。该高密度阵列能够在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8 kV接触放电）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容使其非常适合保护任何高速信号引脚。

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￥2.82
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￥1.95
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￥1.29

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型号：CDSOD323-T03SC 编号：C840638

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至36 V

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￥3.17
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￥2.26
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型号：PRTR5V0U2AX,215 编号：C455074

封装：SOT-143

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT143B表面贴装器件（SMD）塑料封装的超低电容双轨到轨静电放电（ESD）保护二极管。该器件旨在保护两条高速数据线或高频信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。PRTR5V0U2AX集成了两个超低电容轨到轨二极管和一个额外的ESD保护二极管，即使在没有电源电压的情况下也能确保信号线得到保护。

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￥3.84
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￥3.01
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型号：CDSOT23-SRV05-4 编号：C118757

封装：SOT-23-6

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用紧凑型芯片封装SOT23 - 6尺寸的瞬态电压抑制二极管阵列，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，便于在标准贴片机上操作，其扁平结构可最大程度减少滚动

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￥4.17
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￥3.04
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￥2.66
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型号：RCLAMP3374N.TCT 编号：C512373

封装：SMD,3x2mm

品牌：SEMTECH

RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在单个封装中。RClamp3374N旨在替代多达两个用于板级千兆以太网（GbE）保护的元件。每个器件设计用于保护两对线路。这通过将走线穿过器件来实现。以这种方式连接时，该器件能够承受高水平的浪涌电流（40A，8/20μs），同时保持低于5pF的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于诸如千兆以太网、电信线路和低压差分信号（LVDS）接口等应用的高风险环境中。RClamp3374N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供低箝位电压，并显著降低泄漏电流和电容。它具有3.3伏的实际工作电压，可提供卓越的保护。RClamp3374N采用10引脚的SLP3020N10封装。尺寸为3.0×2.0×0.60mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。

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￥5.24
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￥3.64
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￥3.11
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￥2.79
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￥2.63

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型号：ESD8L5.0C-HXY 编号：C4748772

封装：DFN1006-2L

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统设计，提供单通道高效保护。具备3A峰值脉冲电流IPP性能，有效抑制双向瞬态ESD电压，保障电路安全。结电容低至0.6pF，确保高速数据接口在面对静电放电时信号完整性得到最佳维持，是高集成度和高速传输电子设备的理想ESD防护解决方案。

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￥0.0948
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￥0.0633
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型号：LESD8D12CT5G-HXY 编号：C18198395

封装：DFN1006-2L

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为12V系统提供高级别的单通道保护。具备高达8A的峰值脉冲电流IPP能力，有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击，确保电子设备免受静电损害。8pF低结电容设计有助于保持高速信号线路传输质量，是现代高性能接口及便携式电子设备的理想ESD防护解决方案。

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￥0.10963 ￥0.1154
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￥0.08797 ￥0.0926
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￥0.075905 ￥0.0799
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￥0.059185 ￥0.0623
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￥0.05586 ￥0.0588

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型号：HESD5341N 编号：C22439737

封装：DFN1006-2L

这款单向ESD保护二极管专为单通道电路定制，能在5V工作电压下稳定运行，具备4A峰值电流处理能力，为电路提供精确的静电防护。其超低电容值仅为0.6pF，确保了高速信号传输的无损与纯净，是精密电子和高频通讯应用中保护敏感元件的优选方案。

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￥0.12741 ￥0.137
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￥0.100254 ￥0.1078
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￥0.085281 ￥0.0917
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￥0.068355 ￥0.0735
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型号：LGSOT05CLT1G 编号：C136182

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

LGSOT05CLT1G是一款双片式电压抑制器，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受静电放电（ESD）影响。对于正瞬变，它将电压钳位在逻辑电平电源略上方；对于负瞬变，将电压钳位至低于地电位一个二极管压降。仅连接引脚1和2时，它也可作为双向抑制器使用。

数据手册

20+
￥0.1275
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￥0.098
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型号：PESD3V3S1UB(UMW) 编号：C7436896

封装：SOD-523

单向ESD保护二极管采用SOD523塑料封装，旨在保护一条传输线或数据线免受ESD（静电放电）和其他瞬态现象造成的损坏。

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￥0.1276
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型号：PESD3V3U1UB(UMW) 编号：C19626352

封装：SOD-523

超低电容单向静电放电（ESD）保护二极管，采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。

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型号：ESDA12-1K(UMW) 编号：C19723979

封装：SOD-523

是一款单线瞬态抑制二极管，专为保护便携式设备和小型电子设备中的集成电路免受静电放电 (ESD) 和电气过应力 (EOS) 瞬态过电压的影响而设计。

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型号：TPD4E1B06DCKR(UMW) 编号：C19723972

封装：SOT-363