esd保护二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSD3C051U2 编号：C18199525

封装：SOD-323

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) ESD静电保护管低结电容接口保护物料

10+
￥0.2913
100+
￥0.2553
300+
￥0.2373
3000+
￥0.207
6000+
￥0.1962
9000+
￥0.1908

有货

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型号：SM712X 编号：C5364052

封装：SOT-23

品牌：晶扬电子

SM712通过在单个封装中集成两个12V和两个7V的瞬态电压抑制（TVS）二极管，取代了四个分立元件。这种集成设计有助于减少与走线电感相关的电压过冲。SM712的低钳位电压可将受保护收发器所承受的应力降至最低。SM712瞬态电压抑制（TVS）二极管专为多点数据传输标准RS - 485应用中的不对称（12V至 - 7V）保护而设计。SM712专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。

数据手册

10+
￥0.3048
100+
￥0.2649
300+
￥0.2449
3000+
￥0.2299
6000+
￥0.2179
9000+
￥0.2119

有货

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型号：LESDA6V1W5T1G 编号：C383221

封装：SC-88A

品牌：LRC(乐山无线电)

LESDA6V1W5T1G是一款单片抑制器，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受静电放电（ESD）影响。对于正瞬态，该器件将电压钳位在逻辑电平电源略高的位置；对于负瞬态，将电压钳位在地电位以下一个二极管压降的位置。

数据手册

20+
￥0.3062
200+
￥0.2482
600+
￥0.2159
3000+
￥0.1697
9000+
￥0.1529

有货

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型号：RCLAMP0542ZATFT 编号：C1981685

封装：0201

品牌：SEMTECH

RClamp 0542ZA 是一款超低电容的静电放电（ESD）保护器件，旨在以 0201 封装尺寸保护两条高速线路。这种创新的封装设计与现有的单线解决方案相比，可将电路板空间需求降低 50%以上。RClamp 0542ZA 是一款三引脚器件，每个引脚都连接有相同的低电容瞬态电压抑制（TVS）二极管

10+
￥0.3505
100+
￥0.2785
300+
￥0.2425
1000+
￥0.2155
5000+
￥0.1939
15000+
￥0.183

有货

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型号：TPD1E6B06DPLR 编号：C914099

封装：X2-SON-2(0.3x0.6)

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E6B06 采用 0201 封装的 6pF ±5V ±15kV ESD 保护二极管

数据手册

10+
￥0.3845
100+
￥0.3068
300+
￥0.2679
1000+
￥0.2387
5000+
￥0.2154

有货

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型号：SM712 编号：C5247923

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

SM712专为多点数据传输应用中的不对称（12V至7V）保护而设计。ASM712通过在单个封装中集成两个12V和两个7V瞬态电压抑制（TVS）二极管，取代了四个分立元件。SM712符合IEC 61000 - 4 - 2（静电放电，ESD）标准，可承受±30kV空气放电和±30kV接触放电

数据手册

5+
￥0.45
50+
￥0.42
150+
￥0.4
1500+
￥0.37
3000+
￥0.32
4500+
￥0.29

有货

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型号：SP1003-01ETG 编号：C207270

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个 I/O 引脚，为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地承受 ±30kV（接触放电，符合 IEC 61000-4-2 标准）的反复 ESD 冲击，且性能不会下降。此外，每个二极管能够在极低的钳位电压下安全耗散 7A 的 8/20μs 浪涌电流（符合 IEC61000-4-5 标准）。

数据手册

10+
￥0.4524
100+
￥0.3527
300+
￥0.3028
1000+
￥0.2653
5000+
￥0.2354
10000+
￥0.2204

有货

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型号：PUSB3BB4Z(ES) 编号：C42400205

封装：DFN2510-10L

品牌：ElecSuper(静芯)

PUSB3BB4Z(ES) 是一款超低电容 TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受 ESD（静电放电）引起的过应力影响。该阵列集成了四对超低电容导向二极管和一个 TVS 二极管

5+
￥0.5728
50+
￥0.4528
150+
￥0.3928
500+
￥0.3478
3000+
￥0.3118
6000+
￥0.2938

有货

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型号：SEUCS10F3V4B 编号：C42400196

封装：DFN2510-10L

品牌：ElecSuper(静芯)

SEUCS10F3V4B是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。该阵列集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管

5+
￥0.5761
50+
￥0.4561
150+
￥0.3961
500+
￥0.3511
3000+
￥0.3151
6000+
￥0.297

有货

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型号：HCDSOT236-0504LC 编号：C22440379

封装：SOT-23-6L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款单向ESD静电保护二极管，设计有4个通道，专为多线路电路保驾护航。5V工作电压下稳定运作，能承受4A瞬时电流冲击，保护电路免受静电破坏。0.5pF的低电容值，确保高速数据传输无干扰，是现代电子设备中保障信号纯净与系统安全的精妙之选。

1+
￥0.9605 ￥1.13
10+
￥0.9435 ￥1.11
30+
￥0.9265 ￥1.09
100+
￥0.9095 ￥1.07

有货

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型号：SMAJ28CA-Q 编号：C3708825

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

5+
￥0.9765
50+
￥0.8652
150+
￥0.8175
500+
￥0.742742 ￥0.7579
2500+
￥0.716772 ￥0.7314
5000+
￥0.70119 ￥0.7155

有货

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型号：PESD3V3Z1BSF 编号：C478137

封装：DSF0603-2

品牌：Nexperia(安世)

极低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，属于TrEOS保护系列。该器件采用DSN0603 - 2（SOD962 - 2）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）封装，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

5+
￥1.0127
50+
￥0.8111
150+
￥0.7247
500+
￥0.6169
2500+
￥0.5689
5000+
￥0.54

有货

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型号：ESDA8P80-1U1M 编号：C2970112

封装：0603

品牌：ST(意法半导体)

ESDA8P80-1U1M是一款单向单线TVS二极管，旨在保护电源线免受EOS和ESD瞬态影响。该器件非常适合需要高功率TVS且节省电路板空间的应用。

5+
￥1.014
50+
￥0.8039
150+
￥0.7138
500+
￥0.6014
2500+
￥0.5514
5000+
￥0.5213

有货

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型号：ESDA25P35-1U1M 编号：C1974707

封装：DFN1610-2

品牌：ST(意法半导体)

ESDA25P35-1U1M是一款单向单线路TVS二极管，旨在保护电源线免受EOS和ESD瞬态影响。该器件非常适合需要高功率TVS且节省电路板空间的应用。

数据手册

5+
￥1.1336
50+
￥0.9013
150+
￥0.8018
500+
￥0.6776
2500+
￥0.6223

有货

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型号：PUSB3AB4Z(ES) 编号：C42400204

封装：DFN2510-10L

品牌：ElecSuper(静芯)

PUSB3AB4Z(ES)是一款超低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）引起的过应力影响。该阵列集成了四对超低电容导向二极管和一个TVS二极管

5+
￥1.1733
50+
￥0.9213
150+
￥0.8133
500+
￥0.6786
3000+
￥0.6186
6000+
￥0.5825

有货

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型号：AQ4020-01FTG 编号：C1975165

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4020 组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据 IEC 61000 - 4 - 5 第二版标准（tp = 8/20μs）安全吸收高达 30A 的电流，且性能不会下降，同时符合 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，最小静电放电能力为 ±30kV。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口以及其他高速数据接口。

数据手册

5+
￥1.18
50+
￥0.9403
150+
￥0.8376
500+
￥0.7095
3000+
￥0.6524

有货

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型号：SP0504SHTG 编号：C207264

封装：SOT-23-6

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP0504S采用专有硅雪崩技术制造，配备超低电容的轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管能够在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394。

数据手册

5+
￥1.4562
50+
￥1.1605
150+
￥1.0337
500+
￥0.8756
3000+
￥0.8052

有货

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型号：P4SMA36A 编号：C1973815

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns提供用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供6.8 V至550 V的击穿电压选择。单向器件的典型快速响应时间小于1.0皮秒，双向器件小于5.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

数据手册

5+
￥1.471
50+
￥1.1686
150+
￥1.039
500+
￥0.859754 ￥0.8773
2500+
￥0.753914 ￥0.7693
5000+
￥0.71148 ￥0.726

有货

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型号：PESD3V3Y1BSFYL 编号：C552535

封装：DSN0603-2

品牌：Nexperia(安世)

超低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管，属于 TrEOS 保护系列。该器件采用 DSN0603-2 (SOD962-2) 无铅超小型表面贴装器件 (SMD) 封装，旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态电压的损害。

数据手册

5+
￥1.672
50+
￥1.3518
150+
￥1.2146
500+
￥1.0433
2500+
￥0.9671
5000+
￥0.9213

有货

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型号：PESD3V3S1UL,315 编号：C70371

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

采用SOD882无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的单向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

5+
￥1.6991
50+
￥1.4522
150+
￥1.3463
500+
￥1.2143
2500+
￥1.1555
5000+
￥1.1202

有货

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型号：PESD5V0U1BA,115 编号：C552574

封装：SOD-323

品牌：Nexperia(安世)

采用超小型SOD323 (SC-76) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装的低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

5+
￥1.8448
50+
￥1.486
150+
￥1.3323
500+
￥1.1404
3000+
￥1.0123
6000+
￥0.961

有货

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型号：RCLAMP0504S.TCT 编号：C132260

封装：SOT-23-6L

品牌：SEMTECH

RailClamps是浪涌额定二极管阵列，旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个瞬态电压抑制（TVS）二极管集成在单个封装中。在瞬态情况下，转向二极管将瞬态电流导向电源线的正极或接地。内部的TVS二极管可防止电源线上出现过电压，保护任何下游元件。低电容阵列配置使用户能够保护四条高速数据或传输线路。低电感结构可在大电流浪涌期间将电压过冲降至最低。该器件针对便携式电子设备的静电放电保护进行了优化。它们可用于满足IEC 61000-4-2标准（4级 ±15KV空气放电、±8KV接触放电）的静电放电抗扰度要求。

数据手册

5+
￥1.9213
50+
￥1.5181
150+
￥1.3453
500+
￥1.1297
3000+
￥1.0337
6000+
￥0.9761

有货

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型号：RCLAMP0504FATCT 编号：C132258

封装：SC-70-6L

品牌：SEMTECH

RailClamp低电容TVS阵列旨在保护高速数据接口。该系列专为保护连接到数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。独特的设计在单个封装中集成了浪涌额定、低电容的导向二极管和一个TVS二极管。这使得该器件能够吸收大量能量，同时保护下游元件免受有害瞬态事件的影响。RClampOE04FA采用6引脚SC-70封装。引脚采用无铅哑光锡镀层。它们可用于满足IEC 61000-4-2标准4级（15kV空气放电、8kV接触放电）的ESD抗扰度要求。小尺寸、低电容和高ESD浪涌能力的结合使其非常适合用于USB 2.0、多媒体卡和视频接口等应用。

数据手册

5+
￥1.9508
50+
￥1.6131
150+
￥1.4684
500+
￥1.2878
3000+
￥1.2074
6000+
￥1.1592

有货

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型号：PESD2V0Y1BSFYL 编号：C552506

封装：DSN0603-2

品牌：Nexperia(安世)

极低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，属于TrEOS保护系列产品。该器件采用DSN0603 - 2（SOD962 - 2）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）封装，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

5+
￥3.2702
50+
￥2.8035
150+
￥2.6035
500+
￥2.354
2500+
￥2.2428
5000+
￥2.1761

有货

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型号：CDSOT23-SR208 编号：C840635

封装：SOT-23-6

品牌：BOURNS

为EFT和ESD保护应用提供瞬态电压抑制器阵列二极管，采用紧凑的SOT23-6芯片封装。符合JEDEC标准，便于在标准贴装设备上操作，扁平结构可减少滚动。能满足IEC 61000-4-2（ESD）和IEC 61000-4-4（EFT）要求。

数据手册

1+
￥3.73
10+
￥3.04
30+
￥2.7
100+
￥2.3128 ￥2.36
500+
￥2.1168 ￥2.16
1000+
￥2.0188 ￥2.06

有货

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型号：CDSOD323-T05SC 编号：C840636

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至36 V

1+
￥3.92
10+
￥3.14
30+
￥2.75
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￥2.37
500+
￥2.14
1000+
￥2.02

有货

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型号：PESD5V0U1BB,115 编号：C85388

封装：SC-79(SOD-523)

品牌：Nexperia(安世)

采用超小扁平引脚SOD523塑料封装的低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

1+
￥4.3
10+
￥3.58
30+
￥3.21
100+
￥2.85
500+
￥2.64
1000+
￥2.53

有货

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型号：ESD5451N 编号：C6321761

封装：DFN1006-2

品牌：DOWO(东沃)

ESD5451N是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD5451N符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅0402封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

100+
￥0.0471
1000+
￥0.0363
3000+
￥0.0303
10000+
￥0.0283
50000+
￥0.0251
140000+
￥0.0234

有货

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型号：BNPESD5V0S1UL 编号：C19077977

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) 0402封装 5V单向静电保护管

50+
￥0.1191
500+
￥0.0921
1500+
￥0.0771
10000+
￥0.0681
20000+
￥0.0603
50000+
￥0.056

有货

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型号：HCESD1006LC5VB-M 编号：C22440069

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该ESD静电保护二极管为双向单通道设计，工作电压5V，能有效承受2.5A瞬时冲击电流，确保电路安全性。其超低2.5pF电容特性，完美适应高速信号环境，不影响数据传输质量，为各类精密电子设备提供隐形的静电防护盾。

20+
￥0.14608 ￥0.1826
200+
￥0.11568 ￥0.1446
600+
￥0.09888 ￥0.1236
2000+
￥0.08872 ￥0.1109
10000+
￥0.08 ￥0.1
20000+
￥0.07528 ￥0.0941

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