esd保护二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SRV05-4 编号：C397788

封装：SOT-23-6

品牌：AnBon(安邦)

特性：低钳位电压。低泄漏电流。小封装。由于集成齐纳二极管，具有低电压钳位特性。四个超低输入电容（典型值1 pF）的ESD轨到轨保护二极管。无铅部件符合RoHS要求。应用：数码相机。便携式仪器

数据手册

10+
￥0.3211
100+
￥0.2601
300+
￥0.2296
3000+
￥0.1927
6000+
￥0.1744
9000+
￥0.1653

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型号：TPD1E05U06DYAR 编号：C3702980

封装：SOT-5X3

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E05U06 适用于高速接口且采用 0402 封装的 0.5pF、5.5V、±12kV ESD 保护二极管

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5+
￥0.8708
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￥0.6892
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￥0.6005
500+
￥0.5215
3000+
￥0.4997
6000+
￥0.4867

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型号：PESD15VS2UT,215 编号：C282556

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23塑料封装的单向双路ESD保护二极管。旨在保护多达两条传输线或数据线免受静电放电（ESD）损坏。

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￥1.0735
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￥0.8985
150+
￥0.811
500+
￥0.7454
3000+
￥0.6826
6000+
￥0.6563

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型号：PUSB3F96X 编号：C478121

封装：DFN2510-10

品牌：Nexperia(安世)

该器件旨在保护高速接口，如超高速USB、高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口免受静电放电（ESD）影响。该器件包含四个用于超高速信号线的高级ESD保护二极管结构，并采用无引脚小型DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）塑料封装。所有信号线均采用特殊的二极管配置进行保护，仅提供0.5 pF的超低线路电容。这些二极管采用独特的回滞结构，以便为下游组件提供高达±10 kV接触ESD电压的保护，超过了IEC 61000 - 4 - 2标准的4级要求。

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￥1.2067
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￥0.9799
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￥0.8827
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￥0.7615
2500+
￥0.7075
5000+
￥0.675

有货

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型号：TPD4E1U06DBVR 编号：C124691

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E1U06 采用 SOT-23 和 SC70 封装的四路 0.8pF、5.5V、±15kV ESD 保护二极管

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5+
￥1.7179
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￥1.4313
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￥1.3085
500+
￥1.1553
3000+
￥0.6637

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型号：PESD5V0L5UV,115 编号：C84255

封装：SOT-666-6

品牌：Nexperia(安世)

低电容单向五通道静电放电（ESD）保护二极管阵列，采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护多达五条单向信号线免受ESD及其他瞬态干扰造成的损坏。

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￥2.0227
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￥1.5759
150+
￥1.3844
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￥1.1455
2500+
￥1.0391
4000+
￥0.9753

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型号：TPD4E02B04QDQARQ1 编号：C1973193

封装：USON-10(1x2.5)

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E02B04-Q1 适用于 USB 3.0 和高速接口的汽车类四路 0.25pF、±3.6V、±12kV ESD 保护二极管

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￥2.49
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￥1.94
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￥1.71
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￥1.41
500+
￥1.28
1000+
￥1.2

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型号：TPD4E1B06DCKR 编号：C840093

封装：SC-70-6

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E1B06 采用 SOT 和 SC70 封装且具有 0.5nA 最大泄漏电流的四路 0.7pF、±5.5V、±12kV ESD 保护二极管

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5+
￥2.5283
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￥2.0473
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￥1.8412
500+
￥1.4351
3000+
￥1.3206

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型号：IP4220CZ6,125 编号：C282546

封装：SC-74(TSOP-6)

品牌：Nexperia(安世)

IP4220CZ6旨在保护对电容负载敏感的I/O线路（如USB 2.0、以太网、数字视频接口（DVI）等）免受静电放电（ESD）损坏。它集成了四对超低电容轨到轨ESD保护二极管以及一个齐纳二极管，可为信号和电源组件提供保护，使其能承受高达±8 kV接触放电的ESD电压。

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5+
￥3.3301
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￥2.8588
150+
￥2.6569
500+
￥2.4049
3000+
￥2.2927
6000+
￥2.2253

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型号：NUP4202W1T2G 编号：C89319

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

NUP4202W1浪涌保护器件旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击的影响。全新的NUP4202W1是一款低电容浪涌保护二极管阵列，用于保护通信系统、计算机及计算机外设等敏感电子设备，使其免受静电放电事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速输入/输出（I/O）数据线。NUP4202W1采用集成设计，在单个封装（SC - 88）中集成了具有浪涌额定值的低电容导向二极管和浪涌保护二极管。若出现瞬态情况，导向二极管会将瞬态电流引导至电源的正轨或接地。浪涌保护器件可保护电源线免受电压过高的影响，避免损坏电源及任何下游组件。

1+
￥4.01
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￥3.37
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￥3.04
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￥2.72
500+
￥2.13
1000+
￥2.03

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型号：SLESD11LL5.0CT5G 编号：C2904402

封装：DFN0603-2L

品牌：Slkor(萨科微)

SLESD11LL5.0CT5是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。SLESD11LL5.0CT5符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±20 kV，接触放电±15 kV。该器件采用超小型0.6x0.3x0.3 mm无铅0201封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想之选。

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20+
￥0.1355
200+
￥0.1074
600+
￥0.0918
2000+
￥0.0824
15000+
￥0.0655
30000+
￥0.0611

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型号：BN5A201V 编号：C19078056

封装：DFN1610-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) DFN1610 20V单向静电保护管

5+
￥0.39438 ￥0.4382
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￥0.34398 ￥0.3822
150+
￥0.31878 ￥0.3542
500+
￥0.29988 ￥0.3332
2500+
￥0.28476 ￥0.3164
5000+
￥0.2772 ￥0.308

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型号：ESD401DPYR 编号：C1974752

封装：X1-SON-2(0.6x1)

品牌：TI(德州仪器)

ESD401 采用 0402 封装的 0.77pF、±5.5V、±24kV ESD 保护二极管

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10+
￥0.4496
100+
￥0.3584
300+
￥0.3128
1000+
￥0.2786
5000+
￥0.2512

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型号：ESDSRVLC05-4 编号：C2920028

封装：SOT-23-6L

品牌：Yint(音特电子)

ESDSRVLC05 - 4采用专有硅雪崩技术制造，具备超低电容的轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够在IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高级别（4级）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394。

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10+
￥0.4618
100+
￥0.3658
300+
￥0.3178
3000+
￥0.2673
6000+
￥0.2385
9000+
￥0.224

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型号：PESD5V0L1BSF,315 编号：C2443725

封装：DSN0603-2

品牌：Nexperia(安世)

采用SOD962无引脚超小型表面贴装器件（SMD）封装的低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态影响造成的损坏。

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5+
￥0.5282
50+
￥0.421
150+
￥0.3675
500+
￥0.3273
2500+
￥0.2951
5000+
￥0.2791

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型号：SP4021-01FTG-C 编号：C720051

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4021 系列元件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些元件每 IEC 61000 - 4 - 5 标准（tp = 8/20μs）可安全吸收高达 25A 的浪涌电流而性能不下降，且每 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准可承受最小 ±30kV 的 ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口和其他高速数据接口。

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5+
￥0.8549
50+
￥0.6722
150+
￥0.5808
500+
￥0.5123
3000+
￥0.4347
6000+
￥0.4073

有货

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型号：TPD2E2U06DCKR 编号：C1855726

封装：SC-70-3

品牌：TI(德州仪器)

TPD2E2U06 适用于 USB 2.0 且具有 5.5A 8/20us 浪涌等级的双通道 1.5pF、5.5V、±25kV ESD 保护二极管

数据手册

5+
￥0.9603
50+
￥0.76
150+
￥0.6623
500+
￥0.575
3000+
￥0.5511

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型号：PESD5V0U1BL,315 编号：C85389

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

采用SOD882无引脚超小型塑料封装的低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

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10+
￥0.9706
100+
￥0.8747
300+
￥0.8267
1000+
￥0.7907
5000+
￥0.7619
10000+
￥0.7357

有货

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型号：PESD12VS2UT,215 编号：C85379

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23塑料封装的单向双路ESD保护二极管。旨在保护多达两条传输线或数据线免受静电放电（ESD）损坏。

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5+
￥1.199
50+
￥0.9463
150+
￥0.838
500+
￥0.7029
3000+
￥0.6427
6000+
￥0.6066

有货

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型号：PESD24VS2UT,215 编号：C477999

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23塑料封装的单向双路ESD保护二极管。旨在保护多达两条传输线或数据线免受静电放电（ESD）损坏。

数据手册

5+
￥1.3578
50+
￥1.0704
150+
￥0.9473
500+
￥0.7936
3000+
￥0.7252
6000+
￥0.6842

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型号：PESD15VS1UB,115 编号：C139560

封装：SOD-523

品牌：Nexperia(安世)

采用SOD523塑料封装的单向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条传输线或数据线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

5+
￥1.441
50+
￥1.1308
150+
￥0.9978
500+
￥0.8319
3000+
￥0.7581
6000+
￥0.7138

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型号：TPD1E0B04DPYR 编号：C1975594

封装：X1-SON-2(0.6x1)

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E0B04 适用于 USB-C 和天线且采用 0402 和 0201 封装的 0.13pF、±3.6V、±8kV ESD 保护二极管

数据手册

5+
￥1.5039
50+
￥1.1906
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￥1.0563
500+
￥0.8888
2500+
￥0.8095
5000+
￥0.7647

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型号：NUP4301MR6T1G 编号：C5123900

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：超低电容：I/O到地最大1pF。超低泄漏：nA级。低工作电压：70V。单向TVS二极管阵列。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试空气放电：±15kV 接触放电：±8kV。应用：USB 2.0和Firewire端口保护。LAN/WLAN接入点终端

数据手册

5+
￥1.7408
50+
￥1.3981
150+
￥1.2512
500+
￥1.0679
3000+
￥0.9534
6000+
￥0.9044

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型号：TPD4E001DRLR 编号：C527516

封装：SOT-563

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的四路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

数据手册

5+
￥1.7612
50+
￥1.4185
150+
￥1.2716
500+
￥1.0883
2500+
￥0.921
4000+
￥0.8721

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型号：CDSOD323-T15C 编号：C720654

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制器阵列二极管，用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至24 V。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，便于在标准贴装设备上操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。伯恩斯器件有助于满足IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、IEC 61000 - 4 - 4（EFT）和IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）要求。

数据手册

5+
￥2.1529
50+
￥1.7378
150+
￥1.5599
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￥1.2042 ￥1.338
3000+
￥1.01709 ￥1.1301
6000+
￥0.96372 ￥1.0708

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型号：TPD2E007DCKR 编号：C464811

封装：SOT-323

品牌：TI(德州仪器)

TPD2E007 适用于交流信号数据接口的双通道 10pF、±13V、±8kV ESD 保护二极管

数据手册

5+
￥2.2233
50+
￥1.6571
150+
￥1.4621
500+
￥1.2187
3000+
￥1.1103

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型号：ESDS302DBVR 编号：C1975280

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

ESDS302 适用于 USB 和以太网且具有 12A 8/20uS 浪涌额定值的双通道 2.3pF、3.6V、±30kV ESD 保护二极管

数据手册

5+
￥2.3
50+
￥1.8347
150+
￥1.6353
500+
￥1.3866
3000+
￥1.2758

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型号：SP3010-04UTG 编号：C126837

封装：UFDFN-10(1x2.5)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3010集成了4通道超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的器件能够在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8KV接触放电）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

数据手册

5+
￥2.4828
50+
￥1.9438
150+
￥1.7128
500+
￥1.4245
3000+
￥1.2214

有货

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型号：SM2T3V3A 编号：C970557

封装：DO-216AA

品牌：ST(意法半导体)

SM2T3V3A是一款瞬态抑制二极管，专为易受静电放电（ESD）瞬态过电压影响的便携式设备和小型化电子设备而设计。其低截止电压使其适用于对电气过应力（EOS）和ESD事件非常敏感的低电压应用。瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过电压保护。

数据手册

1+
￥2.95
10+
￥2.33
30+
￥2.07
100+
￥1.74
500+
￥1.59
1000+
￥1.5

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型号：CDSOD323-T12C 编号：C711707

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制器阵列二极管，用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至24 V。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，便于在标准贴装设备上操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。伯恩斯器件有助于满足IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、IEC 61000 - 4 - 4（EFT）和IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）要求。

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1+
￥2.99
10+
￥2.41
30+
￥2.16
100+
￥1.85
500+
￥1.71
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