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首页 > 热门关键词 > 100V肖特基二极管
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描述
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RB168MM100TR-HXY
型号：RB168MM100TR-HXY 编号：C52754450
封装：SOD-123FL
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.84V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出优异的反向阻断能力。得益于肖特基结构的低开启电压与快速恢复特性，该器件适用于对能效和响应速度有要求的整流、箝位及电源转换等电子电路中。

  • 5+

    ￥0.587195 ￥0.6181

  • 50+

    ￥0.467685 ￥0.4923

  • 150+

    ￥0.408025 ￥0.4295

  • 500+

    ￥0.363185 ￥0.3823

  • 3000+

    ￥0.32737 ￥0.3446

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    ￥0.309415 ￥0.3257
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    电压:100V 电流:2A
    型号：SS20100FL-AU_R1_000A1 编号：C5446687
    封装：SOD-123FL
    品牌：PANJIT(强茂)
    特性：低正向压降。适合自动贴装。低功耗，高效率。高浪涌电流能力。符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准。符合IEC 61249标准的绿色模塑料。通过AEC-Q101认证

    • 5+

      ￥0.6125

    • 50+

      ￥0.4875

    • 150+

      ￥0.425

    • 500+

      ￥0.3781
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    肖特基二极管
    型号：SR3100L 编号：C49326426
    封装：DO-27
    品牌：XUMAO(旭茂微)
    58MIL-LVF

    • 5+

      ￥0.6134

    • 50+

      ￥0.4886

    • 150+

      ￥0.4262
  • 有货
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    电压:100V 电流:3A
    型号：SR3100 编号：C402291
    封装：DO-27
    品牌：LGE(鲁光)
    特性：低功耗，高效率。 高电流能力，低正向压降。 高可靠性。 高浪涌电流能力。 外延结构。 保护环用于瞬态保护。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6158

    • 50+

      ￥0.4901

    • 150+

      ￥0.4272

    • 1250+

      ￥0.3643

    • 2500+

      ￥0.3266

    • 5000+

      ￥0.3078
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    100V 3A
    型号：SB3100L 编号：C51883318
    封装：DO-15
    品牌：Huixin(慧芯)
    独立式，3A/100V，正向压降：0.7V@3A，适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

    • 5+

      ￥0.622776 ￥0.7077

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      ￥0.496056 ￥0.5637

    • 150+

      ￥0.432696 ￥0.4917

    • 1250+

      ￥0.385176 ￥0.4377

    • 2500+

      ￥0.34716 ￥0.3945

    • 5000+

      ￥0.328152 ￥0.3729
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    V3FM10HM3/H-HXY
    型号：V3FM10HM3/H-HXY 编号：C52754501
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，在导通时能量损耗较低；反向漏电流为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率和热性能有较高要求的电子系统中。

    • 5+

      ￥0.62757 ￥0.6606

    • 50+

      ￥0.49989 ￥0.5262

    • 150+

      ￥0.43605 ￥0.459

    • 500+

      ￥0.38817 ￥0.4086

    • 3000+

      ￥0.34979 ￥0.3682

    • 6000+

      ￥0.330695 ￥0.3481
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    电压:100V 电流:5A
    型号：SR5100L 编号：C5125724
    封装：DO-27
    品牌：JUXING(钜兴)
    特性：高电流能力。高浪涌电流能力。低正向压降。超过MIL-S-19500/228环境标准。适用于低压、高频逆变器续流和极性保护应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.645392 ￥0.7334

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      ￥0.514096 ￥0.5842

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      ￥0.448448 ￥0.5096

    • 1250+

      ￥0.399168 ￥0.4536

    • 2500+

      ￥0.359832 ￥0.4089

    • 5000+

      ￥0.34012 ￥0.3865
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    电压:100V 电流:10A
    型号：MBR10100CD 编号：C7502677
    封装：TO-252
    品牌：DIYI(迪一/芯诺)
    打线工艺

    • 5+

      ￥0.649272 ￥0.8324

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      ￥0.51051 ￥0.6545

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      ￥0.441168 ￥0.5656

    • 500+

      ￥0.389142 ￥0.4989

    • 2500+

      ￥0.36192 ￥0.464

    • 5000+

      ￥0.341172 ￥0.4374
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    电压:100V 电流:2A
    型号：SSL210BF 编号：C4749017
    封装：SMBF
    品牌：晶导微电子
    特性：金属硅结，多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗，高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6584

    • 50+

      ￥0.524

    • 150+

      ￥0.4568

    • 500+

      ￥0.4064

    • 2500+

      ￥0.3492
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    电压:100V 电流:5A
    型号：SM5100AF 编号：C2912073
    封装：SMA-FL
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：塑料封装具有UL可燃性等级94V-0。 低功耗，高效率。 用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 有保护环用于过压保护。 高温焊接保证：引脚处260℃/10秒。 MSL：1。 产品材料符合RoHS要求且无卤素
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6612

    • 50+

      ￥0.5186

    • 150+

      ￥0.4473

    • 500+

      ￥0.3939
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    电压:100V 电流:3A
    型号：SR3100 编号：C2683744
    封装：DO-27
    品牌：ZHIDE(志得)
    塑封肖特基二极管反向电压 20~200V，正向电流3.0A
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6691

    • 50+

      ￥0.5347

    • 150+

      ￥0.4675

    • 1250+

      ￥0.3895

    • 2500+

      ￥0.3492

    • 5000+

      ￥0.329
  • 有货
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    STPS2H100U-HXY
    型号：STPS2H100U-HXY 编号：C52988684
    封装：SMB
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率与可靠性有要求的整流、续流及电源极性保护等电路场景。

    • 5+

      ￥0.67013 ￥0.7054

    • 50+

      ￥0.533805 ￥0.5619

    • 150+

      ￥0.465595 ￥0.4901

    • 500+

      ￥0.414485 ￥0.4363

    • 3000+

      ￥0.37354 ￥0.3932

    • 6000+

      ￥0.353115 ￥0.3717
  • 有货
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    SK110-AQ-HXY
    型号：SK110-AQ-HXY 编号：C52988592
    封装：SMA
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换及保护电路等场景，在确保电气性能稳定的同时提升系统效率。

    • 5+

      ￥0.672315 ￥0.7077

    • 50+

      ￥0.535515 ￥0.5637

    • 150+

      ￥0.467115 ￥0.4917

    • 500+

      ￥0.415815 ￥0.4377

    • 2000+

      ￥0.374775 ￥0.3945

    • 4000+

      ￥0.354255 ￥0.3729
  • 有货
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    RB068MM100TFTR-HXY
    型号：RB068MM100TFTR-HXY 编号：C52754481
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在100V反向电压下，漏电流（IR）最大为20μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路，常见于电源适配器、开关电源及各类便携式电子设备中。

    • 5+

      ￥0.672315 ￥0.7077

    • 50+

      ￥0.535515 ￥0.5637

    • 150+

      ￥0.467115 ￥0.4917

    • 500+

      ￥0.415815 ￥0.4377

    • 3000+

      ￥0.374775 ￥0.3945

    • 6000+

      ￥0.354255 ￥0.3729
  • 有货
    • 立即购买
    电压:100V 电流:5A
    型号：SSL510F(7S5S) 编号：C779375
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    表面贴装肖特基势垒整流器，反向电压100V，正向电流5.0A
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6873

    • 50+

      ￥0.5433

    • 150+

      ￥0.4713
  • 有货
    • 立即购买
    电压:100V 电流:5A
    型号：SR5100T 编号：C402295
    封装：DO-27
    品牌：LGE(鲁光)
    特性：轴向引线型器件，适用于通孔设计。 低正向压降。 出色的高温稳定性。 快速开关能力。 后缀 “H” 表示无卤部件。 无铅部件符合 MIL-STD-19500/228 环境标准
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6929

    • 50+

      ￥0.5477

    • 150+

      ￥0.4752

    • 1250+

      ￥0.4176

    • 2500+

      ￥0.3741

    • 5000+

      ￥0.3523
  • 有货
    • 立即购买
    电压:100V 电流:1A
    型号：10MQ100NTRPBF 编号：C3008820
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    为需要低正向压降和在 PC 板上占用非常小空间的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和反向电池保护。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6948

    • 50+

      ￥0.5776

    • 150+

      ￥0.519

    • 500+

      ￥0.4751
  • 有货
    • 立即购买
    电压:100V 电流:5A
    型号：SR5100 编号：C22448101
    封装：DO-27
    品牌：XUMAO(旭茂微)
    66MIL

    • 5+

      ￥0.70245 ￥0.7805

    • 50+

      ￥0.5553 ￥0.617

    • 150+

      ￥0.48168 ￥0.5352

    • 1250+

      ￥0.42651 ￥0.4739

    • 2500+

      ￥0.38232 ￥0.4248

    • 5000+

      ￥0.36027 ￥0.4003
  • 有货
    • 立即购买
    电压:100V 电流:10A
    型号：MBRD10100DT 编号：C20607920
    封装：TO-252
    品牌：OSEN(欧芯)
    特性：开关频率高。 正向压降低。 高效低功耗。 大电流浪涌能力强。应用：高频整流器开关电源。 续流二极管

    • 5+

      ￥0.7169

    • 50+

      ￥0.5729

    • 150+

      ￥0.5009

    • 500+

      ￥0.4469

    • 2500+

      ￥0.4037

    • 5000+

      ￥0.382
  • 有货
    • 立即购买
    电压:100V 电流:5A
    型号：SS510L(SMBG) 编号：C5356750
    封装：SMBG
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：正向平均电流（IF(AV)）：5A。 重复峰值反向电压（VRRM）：100V。 高浪涌电流能力。 极性：色带表示阴极。 低正向峰值电压。应用：整流器

    • 5+

      ￥0.7174

    • 50+

      ￥0.5734

    • 150+

      ￥0.5014
  • 有货
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    电压:100V 电流:5A
    型号：MBRF10L100CT 编号：C570160
    封装：TO-220F-3
    品牌：HUAKE(华科)
    特性：共阴极结构。 低功耗和高效率。 超低正向压降。 高浪涌能力。应用：高频开关。 续流和极性保护应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7454

    • 50+

      ￥0.6376

    • 150+

      ￥0.5949

    • 500+

      ￥0.5415

    • 2000+

      ￥0.5178
  • 有货
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    B1100Q-13-F-HXY
    型号：B1100Q-13-F-HXY 编号：C52988588
    封装：SMA
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗。在最大反向电压下，其反向漏电流（IR）不超过100μA，具备良好的阻断性能。器件可承受高达30A的非重复峰值浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、便携式设备电源管理及各类低电压高效率电路中。

    • 5+

      ￥0.784415 ￥0.8257

    • 50+

      ￥0.624815 ￥0.6577

    • 150+

      ￥0.545015 ￥0.5737

    • 500+

      ￥0.485165 ￥0.5107

    • 2000+

      ￥0.437285 ￥0.4603

    • 4000+

      ￥0.413345 ￥0.4351
  • 有货
    • 立即购买
    SK310HE3-HXY
    型号：SK310HE3-HXY 编号：C52988710
    封装：SMC
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，有助于降低导通损耗；反向漏电流低至20μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于开关电源、电源适配器、DC-DC转换器及高频整流等场合，能够有效支持对效率与热性能有要求的电路设计。

    • 5+

      ￥0.829255 ￥0.8729

    • 50+

      ￥0.660535 ￥0.6953

    • 150+

      ￥0.576175 ￥0.6065

    • 500+

      ￥0.512905 ￥0.5399

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    电压:100V 电流:10A
    型号：MBR10100 编号：C5375273
    封装：TO-220AC
    品牌：XCH(旭昌辉)
    芯片采用外延平面结构，具有较低的导通压降，适用于开关和续流电路。
    数据手册

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      ￥0.918296 ￥1.1624

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    SDM2100S1F-7-HXY
    型号：SDM2100S1F-7-HXY 编号：C52754482
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源以及高频逆变器等应用场合。

    • 5+

      ￥0.92131 ￥0.9698

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    STPS3H100U-HXY
    型号：STPS3H100U-HXY 编号：C52988698
    封装：SMB
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为100V。其正向压降典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、便携设备充电模块及各类电子系统的电源路径中。

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    VSSA310S-M3/61T-HXY
    型号：VSSA310S-M3/61T-HXY 编号：C52988747
    封装：SMA
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、开关模式电源以及各类消费类电子设备中的续流与保护电路。

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      ￥0.92131 ￥0.9698

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      ￥0.72979 ￥0.7682

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    电压:100V 电流:2A
    型号：HSS210E352T 编号：C42389400
    封装：SMB
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款肖特基二极管具有2A的额定电流（IF）和100V的最大反向电压（VR），适用于需要高效能与稳定性的电路设计中。其正向电压降（VF）仅为0.85V，在确保效率的同时减少了功耗。二极管的反向漏电流（IR）在室温下不超过100微安，显示出良好的阻断性能。瞬态大电流处理能力（IFSM）高达50A，使其能够在短时间内承受电流峰值而不损坏，适合于要求高可靠性的开关电源及其它消费电子产品中的整流或保护电路应用。

    • 5+

      ￥0.95104 ￥1.1888

    • 50+

      ￥0.75144 ￥0.9393

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    电压:100V 电流:5A
    型号：SB5100L 编号：C3003023
    封装：DO-27
    品牌：Huixin(慧芯)
    特性：塑料封装，具有UL 94V-0阻燃等级。 金属硅结，多数载流子传导。 有保护环用于过压保护。 低功耗，高效率。 高电流能力，低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 端子可承受260℃/10秒高温焊接。 符合RoHS 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC标准
    数据手册

    • 5+

      ￥0.957528 ￥1.0881

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      ￥0.494824 ￥0.5623
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    SKL310-HXY
    型号：SKL310-HXY 编号：C52754500
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为100V。在导通状态下，其正向压降为0.85V，有助于减少功耗；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路，常见于电源适配器、开关电源及各类电子设备中。

    • 5+

      ￥0.967385 ￥1.0183

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      ￥0.766365 ￥0.8067

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      ￥0.572565 ￥0.6027

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      ￥0.524685 ￥0.5523

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