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首页 > 热门关键词 > 100V肖特基二极管
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电压:100V 电流:10A
型号：MBRB10100CT 编号：C328577
封装：TO-263-2
品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)
TO-263塑封封装肖特基二极管。
数据手册

  • 5+

    ￥1.2845

  • 50+

    ￥1.0107

  • 150+

    ￥0.8934

  • 800+

    ￥0.747
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    电压:100V 电流:20A
    型号：MBR20100 编号：C18198761
    封装：TO-220AB
    品牌：JUXING(钜兴)
    特性：塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。 阻燃环氧模塑料。 金属硅结，多数载流子传导。 低功率损耗，高效率。 高电流能力。 适用于低电压、高频逆变器续流和极性保护应用。 符合欧盟RoHS标准的无铅产品

    • 5+

      ￥1.30226 ￥1.3708

    • 50+

      ￥1.00966 ￥1.0628

    • 150+

      ￥0.89129 ￥0.9382

    • 500+

      ￥0.74366 ￥0.7828

    • 2500+

      ￥0.67792 ￥0.7136

    • 5000+

      ￥0.6384 ￥0.672
  • 有货
    • 立即购买
    电压:100V 电流:2A
    型号：PMEG10020AELPX 编号：C503397
    封装：SOD-128
    品牌：Nexperia(安世)
    平面肖特基势垒整流器，集成保护环用于应力保护，封装在SOD128小型扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3039

    • 50+

      ￥1.0351

    • 150+

      ￥0.92

    • 500+

      ￥0.7762

    • 3000+

      ￥0.7122

    • 6000+

      ￥0.6738
  • 订货
    • 我要订货
    电压:100V 电流:10A
    型号：MBRD10L100 编号：C17702895
    封装：TO-252
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    特性：低正向压降。 高电流能力。 高可靠性。 高浪涌电流能力。 外延结构

    • 5+

      ￥1.3236

    • 50+

      ￥1.0464

    • 150+

      ￥0.8946

    • 525+

      ￥0.7464

    • 2475+

      ￥0.6804

    • 5025+

      ￥0.6408
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    电压:100V 电流:5A
    型号：MBR10100CT 编号：C5764037
    封装：TO-220AB
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：极低的正向电压。 高电流能力。 高正向浪涌能力。 低功耗，高效率。 过压保护。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

    • 5+

      ￥1.32579 ￥1.4731

    • 50+

      ￥1.02087 ￥1.1343

    • 150+

      ￥0.8982 ￥0.998

    • 500+

      ￥0.74511 ￥0.8279

    • 2000+

      ￥0.67698 ￥0.7522

    • 5000+

      ￥0.63612 ￥0.7068
  • 有货
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    电压:100V 电流:10A
    型号：MBRF10L100CT 编号：C2848667
    封装：ITO-220AB
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.3464 ￥1.496

    • 10+

      ￥1.05156 ￥1.1684

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      ￥0.8901 ￥0.989

    • 100+

      ￥0.73251 ￥0.8139

    • 500+

      ￥0.66231 ￥0.7359

    • 1000+

      ￥0.6201 ￥0.689
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    电压:100V 电流:20A
    型号：MBR20100CT 编号：C842800
    封装：TO-220
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：低功耗，高效率。高电流能力。高浪涌能力。用于过压保护的保护环。低存储电荷多数载流子传导。硅外延平面芯片，金属硅结。无铅部件符合MIL-STD-19500/228的环境标准
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3511

    • 50+

      ￥1.0134

    • 150+

      ￥0.8946

    • 500+

      ￥0.7464

    • 2500+

      ￥0.6804

    • 5000+

      ￥0.6408
  • 有货
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    BYS12-90HE3_A/H-HXY
    型号：BYS12-90HE3_A/H-HXY 编号：C52988745
    封装：SMA
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压为100V。在导通状态下，其正向压降为0.85V，有助于减少功耗；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源中的续流路径、信号解调以及对效率和热性能有要求的通用电子电路。

    • 5+

      ￥1.358975 ￥1.4305

    • 50+

      ￥1.076445 ￥1.1331

    • 150+

      ￥0.955415 ￥1.0057

    • 500+

      ￥0.804365 ￥0.8467

    • 2000+

      ￥0.737105 ￥0.7759

    • 4000+

      ￥0.69673 ￥0.7334
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    100V 20A
    型号：MBR20100YCT 编号：C49384089
    封装：TO-263
    品牌：HT(金誉)
    特性：共阴极结构。 低功耗，高效率。 高工作结温。 带保护环用于过压保护，高可靠性。 RoHS产品。应用：高频开关电源。 续流二极管，极性保护应用

    • 5+

      ￥1.375125 ￥1.4475

    • 50+

      ￥1.08927 ￥1.1466

    • 150+

      ￥0.96672 ￥1.0176

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      ￥0.813865 ￥0.8567

    • 2400+

      ￥0.745845 ￥0.7851

    • 4800+

      ￥0.704995 ￥0.7421
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    电压:100V 电流:1A
    型号：20CJQ100 编号：C260230
    封装：SOT-223-3
    品牌：SMC(桑德斯)
    特性：150℃ TJ 操作。低正向压降。高纯度、高温环氧树脂封装，增强机械强度和防潮性。高频操作。保护环，增强耐用性和长期可靠性。“- A” 是 AEC-Q101 合格器件。应用：开关电源。冗余电源子系统
    数据手册

    • 5+

      ￥1.376

    • 50+

      ￥1.0988

    • 150+

      ￥0.98

    • 500+

      ￥0.8318

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      ￥0.7658

    • 6000+

      ￥0.7261
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    电压:100V 电流:30A
    型号：MBR30100F 编号：C5143107
    封装：TO-220F
    品牌：MOT(仁懋)
    电压:100V 电流:30A 共阴极肖特基二极管
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4642

    • 50+

      ￥1.1145

    • 150+

      ￥0.9806

    • 500+

      ￥0.8135

    • 2000+

      ￥0.7391

    • 5000+

      ￥0.6944
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    电压:100V 电流:30A
    型号：MBR30100SCT 编号：C22368993
    封装：TO-220
    品牌：Wild Goose(威谷)
    这是一款适用于电源转换、高频开关电路以及需要快速恢复时间的整流应用的肖特基二极管

    • 5+

      ￥1.495915 ￥1.7599

    • 50+

      ￥1.174615 ￥1.3819

    • 150+

      ￥1.036915 ￥1.2199

    • 500+

      ￥0.86513 ￥1.0178

    • 2000+

      ￥0.78863 ￥0.9278

    • 5000+

      ￥0.74273 ￥0.8738
  • 有货
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    电压:100V 电流:30A
    型号：MBRD30100CT 编号：C5444331
    封装：TO-252
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    优化用于超低正向压降，以在电源应用中实现效率最大化。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.54679 ￥1.6282

    • 50+

      ￥1.217425 ￥1.2815

    • 150+

      ￥1.076255 ￥1.1329

    • 500+

      ￥0.90003 ￥0.9474

    • 2500+

      ￥0.808545 ￥0.8511

    • 5000+

      ￥0.76152 ￥0.8016
  • 有货
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    SS19
    型号：SS19 编号：C52988748
    封装：SMA
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

    • 5+

      ￥1.566265 ￥1.6487

    • 50+

      ￥1.2407 ￥1.306

    • 150+

      ￥1.101145 ￥1.1591

    • 500+

      ￥0.92701 ￥0.9758

    • 2000+

      ￥0.84949 ￥0.8942

    • 4000+

      ￥0.803035 ￥0.8453
  • 有货
    • 立即购买
    NTE642-HXY
    型号：NTE642-HXY 编号：C52988680
    封装：SMB
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在100V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景。低导通压降有助于减少功耗，提升系统能效，适合用于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

    • 5+

      ￥1.63533 ￥1.7214

    • 50+

      ￥1.29542 ￥1.3636

    • 150+

      ￥1.14969 ￥1.2102

    • 500+

      ￥0.967955 ￥1.0189

    • 3000+

      ￥0.887015 ￥0.9337

    • 6000+

      ￥0.83847 ￥0.8826
  • 有货
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    电压:100V 电流:20A
    型号：MBR20100CT 编号：C7428039
    封装：TO-220-3L
    品牌：NH(纽航)
    特性：NH'S平面肖特基势垒芯片技术。 低正向压降，实现高效率。 低功耗，确保高可靠性。 高频开关速度。应用：开关模式电源（SMPS）。 快速充电器

    • 5+

      ￥1.6535

    • 50+

      ￥1.2972

    • 150+

      ￥1.1503
  • 有货
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    电压:100V 电流:3A
    型号：SS3H10-E3/9AT 编号：C467997
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装，适合自动贴装。 保护环用于过压保护。 低功耗，高效率。 低正向压降。 低漏电流。 高浪涌能力。应用：低压高频逆变器。 续流
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6772

    • 50+

      ￥1.3495

    • 150+

      ￥1.2091

    • 500+

      ￥1.0338
  • 有货
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    电压:100V 电流:20A
    型号：MBRD20100CT 编号：C5334291
    封装：TO-252
    品牌：LGE(鲁光)
    特性：沟槽肖特基势垒技术。 超低正向压降。 低功耗，高效率。 出色的低反向泄漏。 出色的高温稳定性。 高电流能力。应用：开关二极管。 开关模式电源（SMPS）

    • 50+

      ￥1.215

    • 500+

      ￥1.125

    • 1000+

      ￥1.08

    • 5000+

      ￥1.035

    • 10000+

      ￥1.008
    我要订货
    电压:100V 电流:10A
    型号：MBRF10100VCT 编号：C22369039
    封装：TO-220F
    品牌：Wild Goose(威谷)
    这是一款适用于电源转换、高频开关电路以及需要快速恢复时间的整流应用的肖特基二极管

    • 5+

      ￥1.7625 ￥2.35

    • 50+

      ￥1.3875 ￥1.85

    • 150+

      ￥1.2225 ￥1.63

    • 500+

      ￥1.02 ￥1.36

    • 2500+

      ￥0.93 ￥1.24

    • 5000+

      ￥0.8775 ￥1.17
  • 有货
    • 立即购买
    电压:100V 电流:20A
    型号：MBRT20100DY 编号：C3027208
    封装：TO-252
    品牌：晶导微电子
    特性：低功耗，高效率。 低正向压降。 高浪涌能力。 保证高温焊接。 安装位置：任意
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7952

    • 50+

      ￥1.4021

    • 150+

      ￥1.2336
  • 有货
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    IF:40A VR:100V VF:0.82V IFSM:350A
    型号：HMBRF40100CT 编号：C22396417
    封装：TO-220F
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款肖特基二极管创新采用1对共阴极结构，优化电路布局，简化应用。尽管正向压降为820mV，仍保持高效能运作。直流反向耐压高达100V，确保了在高电压环境下的稳定性和耐用性。其20A的平均整流电流处理能力，适合高功率应用，如高端电源供应、服务器和高性能充电系统，是要求苛刻的电子设计中实现高效电能转换的优选组件。

    • 5+

      ￥1.850236 ￥2.2292

    • 50+

      ￥1.452832 ￥1.7504

    • 150+

      ￥1.282516 ￥1.5452

    • 500+

      ￥1.070036 ￥1.2892

    • 2500+

      ￥0.975416 ￥1.1752

    • 5000+

      ￥0.918644 ￥1.1068
  • 有货
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    NRVTS10100PFST3G-HXY
    型号：NRVTS10100PFST3G-HXY 编号：C53262814
    封装：TO-277
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.67V，反向漏电流（IR）典型值为100μA，并可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。低VF有助于减少导通损耗，适合用于高效率要求的电源整流、直流-直流转换及各类消费类电子设备中的续流与保护电路。

    • 1+

      ￥1.8525 ￥1.95

    • 10+

      ￥1.8145 ￥1.91

    • 30+

      ￥1.786 ￥1.88

    • 100+

      ￥1.7575 ￥1.85
  • 有货
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    电压:100V 电流:30000mA
    型号：SBDB30100CT 编号：C5295519
    封装：TO-263-2L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8824

    • 50+

      ￥1.4892

    • 150+

      ￥1.3207
  • 有货
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    RB068LAM100TFTR-HXY
    型号：RB068LAM100TFTR-HXY 编号：C52988658
    封装：SMAF
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）控制在20μA，有助于维持电路的高效率运行。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。

    • 5+

      ￥1.91178 ￥2.0124

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      ￥1.514395 ￥1.5941

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      ￥1.34406 ￥1.4148

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      ￥1.131545 ￥1.1911

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      ￥1.036925 ￥1.0915

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      ￥0.980115 ￥1.0317
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    电压:100V 电流:30A
    型号：HBR30100YD 编号：C7428011
    封装：TO-263
    品牌：NH(纽航)
    特性：NH'S平面肖特基势垒芯片技术。低正向压降，实现高效率。低功耗，确保高可靠性。高频开关速度。应用：开关模式电源（SMPS）。快速充电器

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      ￥1.9241

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      ￥1.5109

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      ￥1.3338
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    RB168L100DDTE25-HXY
    型号：RB168L100DDTE25-HXY 编号：C52988590
    封装：SMA
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，反向漏电流（IR）不超过100μA，体现出优异的导通效率与低漏电特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、直流-直流转换器、电池供电设备及各类对能效和热管理有较高要求的电子电路中。

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      ￥1.93477 ￥2.0366

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      ￥1.532635 ￥1.6133

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      ￥1.14513 ￥1.2054

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      ￥1.04937 ￥1.1046

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      ￥0.99199 ￥1.0442
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    电压:100V 电流:40A
    型号：MBR40100SCT 编号：C22368996
    封装：TO-220
    品牌：Wild Goose(威谷)
    这是一款适用于电源转换、高频开关电路以及需要快速恢复时间的整流应用的肖特基二极管

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      ￥1.9425 ￥2.59

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      ￥1.5225 ￥2.03

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      ￥0.9675 ￥1.29
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    电压:100V 电流:10A
    型号：MBR10100LCT 编号：C5246163
    封装：TO-220AB
    品牌：LGE(鲁光)
    特性：Trench Schottky Barrier技术。 超低正向压降。 低功耗，高效率。 优异的低反向泄漏。 优异的高温稳定性。 高电流能力。应用：开关二极管。 开关模式电源（SMPS）
    数据手册

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      ￥2.0272

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      ￥1.5521

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      ￥1.3702

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    CMSH3-100MTR13-HXY
    型号：CMSH3-100MTR13-HXY 编号：C52988695
    封装：SMB
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及各类高频电路中的续流与保护功能。

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      ￥2.072995 ￥2.1821

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      ￥1.642075 ￥1.7285

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      ￥1.457395 ￥1.5341

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      ￥1.062765 ￥1.1187
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    电压:100V 电流:30A
    型号：MBRF30100CT 编号：C3025175
    封装：ITO-220AB
    品牌：baocheng(宝乘)
    特征和功能：高频、高浪涌电流能力、环保 应用：消费电子、开关电源、仪器仪表、转换器等
    数据手册

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      ￥2.0759

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      ￥1.5683

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